MOSFET-ek ST Microelectronics ROHM Semiconductor Diodes a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres (2 ajánlat)

Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy a rendszer minimalizálja az állapot állóságát (RDS(on)), és kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatékonyságú energiagaz...

Diodes

DMN6069SE-13

kezdő: HUF 76,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 Egyszeres (1 ajánlat)

Ez az új generációs N-Channel Enhancement Mode MOSFET célja az RDS(BE) minimálisra csökkentése, ugyanakkor kiemelkedő kapcsolási teljesítmény fenntartása.Névleges +175 °C-os - ideális magas Környez...

Diodes

DMTH43M8LPS-13

kezdő: HUF 123,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PowerDI5060-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális ny...

Diodes

DMTH43M8LPS-13

kezdő: HUF 2 057,10*
10 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 12,2 A, 12 V, 6-tüskés, U-DFN2020 Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12,2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 12 V Csomag típusa = U-DFN2020 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő...

Diodes

DMN1008UFDF-7

kezdő: HUF 32,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 12,2 A, 12 V, 6-tüskés, U-DFN2020 Egyszeres (1 ajánlat)

A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is (RDS(ON)) alacsony ellenállással rendelkezzen, és mégis kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatásfokú teljesítményk...

Diodes

DMN1008UFDF-7

kezdő: HUF 5 320,60*
50 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 30 V, 8-tüskés, TSSOP Egyszeres (1 ajánlat)

Diodes

DMN3020UTS-13

kezdő: HUF 48,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 30 V, 8-tüskés, TSSOP Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = TSSOP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...

Diodes

DMN3020UTS-13

kezdő: HUF 3 970,40*
25 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 40 V, 3-tüskés, TO-220AB DMN Egyszeres (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMNH4005SCT

kezdő: HUF 31 488,50*
50 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 40 V, 3-tüskés, TO-220AB DMN Egyszeres (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMNH4005SCT

kezdő: HUF 3 612,80*
5 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrá...

Diodes

DMG3415U-7-57

kezdő: HUF 76 949,01*
3 000 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat)

Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy az alacsony teljesítményszintet (RDS(BE)) is minimalizálják, és kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtanak, így ideális a nagy hatásfokú teljesít...

Diodes

DMG3415U-7-57

kezdő: HUF 2 545,30*
100 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 4,6 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...

Diodes

DMN2058UW-7

kezdő: HUF 95 116,02*
3 000 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 4,6 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat)

Diodes

DMN2058UW-7

kezdő: HUF 3 692,80*
100 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 30 V, 8-tüskés, PowerFlate 5 x 6 Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerFlate 5 x 6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális ...

ST Microelectronics

STL40DN3LLH5

kezdő: HUF 205,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 30 V, 8-tüskés, PowerFlate 5 x 6 Egyszeres (1 ajánlat)

Ez a készülék egy N csatornás MOSFET-et fejlesztett STMicroelectronics A készüléket úgy optimalizálták, hogy alacsony, működés közbeni ellenállást érjenek el, ami hozzájárul ahhoz, hogy a kategória...

ST Microelectronics

STL40DN3LLH5

kezdő: HUF 2 812,70*
10 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 46,3 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 46,3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális ...

Diodes

DMTH10H025SK3-13

kezdő: HUF 92,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 46,3 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Az új generációs MOSFET-ek alacsony ellenállással és gyors átkapcsolással rendelkeznek, így ideálisan használható nagy hatásfokú teljesítménykezelő alkalmazásokhoz.100%-Osan Kifeszített Induktív Ka...

Diodes

DMTH10H025SK3-13

kezdő: HUF 1 131,40*
10 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 46,9 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 46,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális n...

Diodes

DMTH6016LK3-13

kezdő: HUF 68,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 46,9 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Diodes

DMTH6016LK3-13

kezdő: HUF 2 204,10*
25 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Diodes

DMPH4023SK3-13

kezdő: HUF 287 828,00*
2 500 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...

Diodes

DMPH4023SK3-13

kezdő: HUF 1 399,70*
10 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Diodes

DMPH4013SK3-13

kezdő: HUF 127,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 55 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...

Diodes

DMPH4013SK3-13

kezdő: HUF 3 308,70*
10 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (2 ajánlat)

Ez a készülék egy N csatornás MOSFET-erősítő, az MDmesh™ M5 innovatív függőleges gyártási technológiájával, amelyet a jól ismert PowerMESH™ vízszintes elrendezés követ. A kapott termék rendkívül ki...

ST Microelectronics

STB43N65M5

kezdő: HUF 1 983,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 7 A Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 630 m/s Csatorna m...

ST Microelectronics

STB43N65M5

kezdő: HUF 5 972,10*
2 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7,1 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 7,1 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SOT-223 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő fo...

Diodes

DMN6040SE-13

kezdő: HUF 49,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7,1 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres (1 ajánlat)

Diodes

DMN6040SE-13

kezdő: HUF 2 330,10*
25 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7,4 A, 20 V, 8-tüskés, TSSOP Egyszeres (1 ajánlat)

Diodes

DMP2021UTS-13

kezdő: HUF 256 272,00*
2 500 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7,4 A, 20 V, 8-tüskés, TSSOP Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 7,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = TSSOP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...

Diodes

DMP2021UTS-13

kezdő: HUF 1 366,20*
10 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SOT-223 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forr...

Diodes

DMN6069SE-13

kezdő: HUF 59,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (2 ajánlat)

Diodes

DMN3009SK3-13

kezdő: HUF 55,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 80 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...

Diodes

DMN3009SK3-13

kezdő: HUF 2 812,70*
25 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 80 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 55 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...

Diodes

DMNH6011LK3-13

kezdő: HUF 1 768,80*
5 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 26 A, 60 V, 8-tüskés, DI5060 DMP (1 ajánlat)

Kettős P-csatornás MOSFET, Diodes Inc.

Diodes

DMPH6050SPD-13

kezdő: HUF 600 892,00*
2 500 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 26 A, 60 V, 8-tüskés, DI5060 DMP (1 ajánlat)

Kettős P-csatornás MOSFET, Diodes Inc.

Diodes

DMPH6050SPD-13

kezdő: HUF 3 742,30*
10 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 33,2 A, 60 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 33,2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerDI5060-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális n...

Diodes

DMTH6016LPD-13

kezdő: HUF 373 424,00*
2 500 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 33,2 A, 60 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 (1 ajánlat)

A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is minimális legyen az ellenállás (RDS(BE)), de kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így nagy hatékonyságú energiagazdálkodási alkalmazáso...

Diodes

DMTH6016LPD-13

kezdő: HUF 2 610,10*
10 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 5,2 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC DMP (2 ajánlat)

Kettős P-csatornás MOSFET, Diodes Inc.

Diodes

DMPH6050SSD-13

kezdő: HUF 154,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 5,2 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC DMP (1 ajánlat)

Kettős P-csatornás MOSFET, Diodes Inc.

Diodes

DMPH6050SSD-13

kezdő: HUF 2 073,20*
10 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 7,6 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC DMT (2 ajánlat)

Két N-csatornás MOSFET, Diodes Inc.

Diodes

DMTH6016LSD-13

kezdő: HUF 147,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 7,6 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC DMT (1 ajánlat)

Két N-csatornás MOSFET, Diodes Inc.

Diodes

DMTH6016LSD-13

kezdő: HUF 2 117,90*
10 db-ként

MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP (1 ajánlat)

Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Diodes

DMT10H4M9LPSW-13

kezdő: HUF 830 695,50*
2 500 db-ként

MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP (1 ajánlat)

Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Diodes

DMT10H4M9LPSW-13

kezdő: HUF 527,00*
db-ként

MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP (1 ajánlat)

Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Diodes

DMT10H4M9SPSW-13

kezdő: HUF 820 359,50*
2 500 db-ként

MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP (1 ajánlat)

Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Diodes

DMT10H4M9SPSW-13

kezdő: HUF 521,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...

ST Microelectronics

SCT10N120

kezdő: HUF 2 307,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat)

Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...

ST Microelectronics

SCT10N120

kezdő: HUF 1 924,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 15 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,...

ST Microelectronics

STF22N60M6

kezdő: HUF 602,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 15 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (1 ajánlat)

Az STMicroelectronics új MDmesh™ M6 technológiája magában foglalja az SJ MOSFET-EK ismert és konszolidált MDmesh-családjának legújabb fejlesztései által elért eredményeket. Az STMicroelectronics az...

ST Microelectronics

STF22N60M6

kezdő: HUF 618,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 20 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...

ST Microelectronics

SCTWA20N120

kezdő: HUF 3 858,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 20 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat)

ST Microelectronics

SCTWA20N120

kezdő: HUF 4 597,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) ST SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenál...

ST Microelectronics

STB33N60DM6

kezdő: HUF 1 036 076,00*
1 000 db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) ST SiC (1 ajánlat)

Az STMicroelectronics nagyfeszültségű N-csatornás teljesítményMOSFET az MDmesh™ DM6 gyors helyreállító diódasorozat része. Az MDmesh gyorsgenerációs rendszerrel összehasonlítva a DM6 egyesíti a nag...

ST Microelectronics

STB33N60DM6

kezdő: HUF 1 593,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,...

ST Microelectronics

STF33N60DM6

kezdő: HUF 1 118,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (1 ajánlat)

Az STMicroelectronics N-csatornás Power MOSFET az MDmesh™ DM6 gyors helyreállító diódasorozat része. Az MDmesh gyorsgenerációs rendszerrel összehasonlítva a DM6 egyesíti a nagyon alacsony helyreáll...

ST Microelectronics

STF33N60DM6

kezdő: HUF 1 517,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (2 ajánlat)

ST Microelectronics

STP33N60DM6

kezdő: HUF 877,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STP33N60DM6

kezdő: HUF 1 234,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 30 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (2 ajánlat)

ST Microelectronics

STF36N60M6

kezdő: HUF 1 262,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 30 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,...

ST Microelectronics

STF36N60M6

kezdő: HUF 1 678,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat)

Az STMicroelectronics autóipari minőségű szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET technológiát az ST Advanced and innovative 2ngenerációs SiC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. A készülék rendkív...

ST Microelectronics

SCTW40N120G2VAG

kezdő: HUF 5 798,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 33 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...

ST Microelectronics

SCTW40N120G2VAG

kezdő: HUF 6 426,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (2 ajánlat)

ST Microelectronics

SCTH40N120G2V7AG

kezdő: HUF 4 914,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 33 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrásellen...

ST Microelectronics

SCTH40N120G2V7AG

kezdő: HUF 4 901,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (2 ajánlat)

ST Microelectronics

SCTW100N65G2AG

kezdő: HUF 10 571,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (1 ajánlat)

ST Microelectronics

SCTW100N65G2AG

kezdő: HUF 11 020,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 38 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-247 ST SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 38 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,...

ST Microelectronics

STWA65N60DM6

kezdő: HUF 1 905,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 38 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-247 ST SiC (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STWA65N60DM6

kezdő: HUF 2 591,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 39 A, 600 V, Kiürítéses, 4-tüskés, TO-247-4 ST SiC (2 ajánlat)

ST Microelectronics

STW48N60M6-4

kezdő: HUF 1 914,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 39 A, 600 V, Kiürítéses, 4-tüskés, TO-247-4 ST SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 39 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,...

ST Microelectronics

STW48N60M6-4

kezdő: HUF 2 229,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...

ST Microelectronics

SCTWA30N120

kezdő: HUF 7 920,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat)

ST Microelectronics

SCTWA30N120

kezdő: HUF 8 086,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat)

ST Microelectronics

SCTW35N65G2VAG

kezdő: HUF 4 170,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0...

ST Microelectronics

SCTW35N65G2VAG

kezdő: HUF 4 168,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 52 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-247 ST SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 52 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...

ST Microelectronics

STWA67N60M6

kezdő: HUF 1 842,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 52 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-247 ST SiC (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STWA67N60M6

kezdő: HUF 3 662,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 62 A, 600 V, Kiürítéses, 4-tüskés, TO-247-4 ST SiC (2 ajánlat)

ST Microelectronics

STW70N60DM6-4

kezdő: HUF 3 196,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 62 A, 600 V, Kiürítéses, 4-tüskés, TO-247-4 ST SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 62 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásell...

ST Microelectronics

STW70N60DM6-4

kezdő: HUF 3 587,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 65 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat)

ST Microelectronics

SCT50N120

kezdő: HUF 10 071,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 65 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 65 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...

ST Microelectronics

SCT50N120

kezdő: HUF 10 059,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 68 A, 650 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-247 ST SiC (2 ajánlat)

ST Microelectronics

STW70N65DM6

kezdő: HUF 2 756,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 68 A, 650 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-247 ST SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 68 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...

ST Microelectronics

STW70N65DM6

kezdő: HUF 3 441,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 68 A, 650 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-247 ST SiC (2 ajánlat)

ST Microelectronics

STW70N65DM6-4

kezdő: HUF 3 564,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 68 A, 650 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-247 ST SiC (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STW70N65DM6-4

kezdő: HUF 6 526,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 68 A, 650 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-247 ST SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 68 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,...

ST Microelectronics

STWA70N65DM6

kezdő: HUF 2 917,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 68 A, 650 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-247 ST SiC (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STWA70N65DM6

kezdő: HUF 3 709,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 98 A, 650 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 98 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = H2PAK-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő fo...

ST Microelectronics

SCTH100N65G2-7AG

kezdő: HUF 8 445,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 98 A, 650 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (1 ajánlat)

ST Microelectronics

SCTH100N65G2-7AG

kezdő: HUF 8 399,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 13 A, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 13 A Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 280 mΩ Csatorna m...

ST Microelectronics

STB18N60M6

kezdő: HUF 435 918,00*
1 000 db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 13 A, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat)

Az új MDmesh M6 technológia magában foglalja az SJ MOSFET-ek jól ismert és konszolidált MDmesh termékcsaládjának legújabb fejlesztéseit. Az STMicroelectronics az MDmesh eszközök előző generációjára...

ST Microelectronics

STB18N60M6

kezdő: HUF 3 167,80*
5 db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 13 A, 3-tüskés, TO-220FP Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 13 A Csomag típusa = TO-220FP Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 280 mΩ Csatorna mód = Növekmény...

ST Microelectronics

STF18N60M6

kezdő: HUF 412,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 13 A, 3-tüskés, TO-220FP Egyszeres (1 ajánlat)

Az új MDmesh™ M6 technológia magában foglalja az SJ MOSFET-ek jól ismert és konszolidált MDmesh termékcsaládjának legújabb fejlesztéseit. Az STMicroelectronics az MDmesh eszközök előző generációjár...

ST Microelectronics

STF18N60M6

kezdő: HUF 2 811,60*
5 db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 15 A, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Csomag típusa = TO-220 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 195 m/s Csatorna mód = Növekménye...

ST Microelectronics

STP26N60DM6

kezdő: HUF 656,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 15 A, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres (1 ajánlat)

Ez a nagyfeszültségű N-csatornás MOSFET az MDmesh™ DM6 gyors helyreállítást biztosító diódasorozat része. A korábbi MDmesh gyors generációhoz képest a DM6 a nagyon alacsony helyreállási időt (Qrr),...

ST Microelectronics

STP26N60DM6

kezdő: HUF 2 057,10*
2 db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 15 A, 600 V, 5-tüskés, PowerFLAT 8 x 8 HV Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = PowerFLAT 8 x 8 HV Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximál...

ST Microelectronics

STL26N60DM6

kezdő: HUF 669,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 15 A, 600 V, 5-tüskés, PowerFLAT 8 x 8 HV Egyszeres (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STL26N60DM6

kezdő: HUF 990,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 25 A, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres (1 ajánlat)

Ez a nagyfeszültségű N-csatornás MOSFET az MDmesh™ DM2 gyors helyreállítást biztosító diódasorozat része. Alacsony visszaállítási töltést (Qrr) és időt (trr) biztosít alacsony RDS(on) funkcióval, a...

ST Microelectronics

STP26N65DM2

kezdő: HUF 30 798,10*
50 db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 25 A, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Csomag típusa = TO-220 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 190 Ω Csatorna mód = Növekményes ...

ST Microelectronics

STP26N65DM2

kezdő: HUF 883,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, 5-tüskés, PowerFLAT 8 x 8 HV Egyszeres (2 ajánlat)

ST Microelectronics

STL45N60DM6

kezdő: HUF 1 215,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, 5-tüskés, PowerFLAT 8 x 8 HV Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = PowerFLAT 8 x 8 HV Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximál...

ST Microelectronics

STL45N60DM6

kezdő: HUF 2 952,10*
2 db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 25 A, 750 V, 4-tüskés, PowerFLAT 5x6 HV GaN (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 750 V Csomag típusa = PowerFLAT 5x6 HV Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Csatorna ...

ST Microelectronics

SGT65R65AL

kezdő: HUF 4 542 025,02*
3 000 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .. 27 előre

MOSFET-ek (2 698 cikk)