MOSFET-ek ST Microelectronics ROHM Semiconductor Diodes a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres (2 ajánlat)

Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy a rendszer minimalizálja az állapot állóságát (RDS(on)), és kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatékonyságú energiagaz...

Diodes

DMN6069SE-13

kezdő: HUF 59,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 Egyszeres (1 ajánlat)

Ez az új generációs N-Channel Enhancement Mode MOSFET célja az RDS(BE) minimálisra csökkentése, ugyanakkor kiemelkedő kapcsolási teljesítmény fenntartása.Névleges +175 °C-os - ideális magas Környez...

Diodes

DMTH43M8LPS-13

kezdő: HUF 121,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PowerDI5060-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális ny...

Diodes

DMTH43M8LPS-13

kezdő: HUF 2 039,70*
10 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 12,2 A, 12 V, 6-tüskés, U-DFN2020 Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12,2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 12 V Csomag típusa = U-DFN2020 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő...

Diodes

DMN1008UFDF-7

kezdő: HUF 32,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 12,2 A, 12 V, 6-tüskés, U-DFN2020 Egyszeres (1 ajánlat)

A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is (RDS(ON)) alacsony ellenállással rendelkezzen, és mégis kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatásfokú teljesítményk...

Diodes

DMN1008UFDF-7

kezdő: HUF 1 583,50*
50 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 30 V, 8-tüskés, TSSOP Egyszeres (1 ajánlat)

Diodes

DMN3020UTS-13

kezdő: HUF 47,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 30 V, 8-tüskés, TSSOP Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = TSSOP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...

Diodes

DMN3020UTS-13

kezdő: HUF 3 932,00*
25 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 40 V, 3-tüskés, TO-220AB DMN Egyszeres (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMNH4005SCT

kezdő: HUF 28 979,20*
50 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 40 V, 3-tüskés, TO-220AB DMN Egyszeres (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMNH4005SCT

kezdő: HUF 2 848,20*
5 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrá...

Diodes

DMG3415U-7-57

kezdő: HUF 78 801,00*
3 000 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat)

Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy az alacsony teljesítményszintet (RDS(BE)) is minimalizálják, és kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtanak, így ideális a nagy hatásfokú teljesít...

Diodes

DMG3415U-7-57

kezdő: HUF 2 552,90*
100 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 4,6 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...

Diodes

DMN2058UW-7

kezdő: HUF 59 217,00*
3 000 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 4,6 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat)

Diodes

DMN2058UW-7

kezdő: HUF 2 094,30*
100 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 30 V, 8-tüskés, PowerFlate 5 x 6 Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerFlate 5 x 6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális ...

ST Microelectronics

STL40DN3LLH5

kezdő: HUF 203,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 30 V, 8-tüskés, PowerFlate 5 x 6 Egyszeres (1 ajánlat)

Ez a készülék egy N csatornás MOSFET-et fejlesztett STMicroelectronics A készüléket úgy optimalizálták, hogy alacsony, működés közbeni ellenállást érjenek el, ami hozzájárul ahhoz, hogy a kategória...

ST Microelectronics

STL40DN3LLH5

kezdő: HUF 2 816,70*
10 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 46,3 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 46,3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális ...

Diodes

DMTH10H025SK3-13

kezdő: HUF 91,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 46,3 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Az új generációs MOSFET-ek alacsony ellenállással és gyors átkapcsolással rendelkeznek, így ideálisan használható nagy hatásfokú teljesítménykezelő alkalmazásokhoz.100%-Osan Kifeszített Induktív Ka...

Diodes

DMTH10H025SK3-13

kezdő: HUF 929,90*
10 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 46,9 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 46,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális n...

Diodes

DMTH6016LK3-13

kezdő: HUF 62,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 46,9 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Diodes

DMTH6016LK3-13

kezdő: HUF 1 503,10*
25 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Diodes

DMPH4023SK3-13

kezdő: HUF 250 847,00*
2 500 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...

Diodes

DMPH4023SK3-13

kezdő: HUF 1 021,60*
10 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Diodes

DMPH4013SK3-13

kezdő: HUF 126,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 55 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...

Diodes

DMPH4013SK3-13

kezdő: HUF 1 281,80*
10 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (2 ajánlat)

Ez a készülék egy N csatornás MOSFET-erősítő, az MDmesh™ M5 innovatív függőleges gyártási technológiájával, amelyet a jól ismert PowerMESH™ vízszintes elrendezés követ. A kapott termék rendkívül ki...

ST Microelectronics

STB43N65M5

kezdő: HUF 1 890,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 7 A Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 630 m/s Csatorna m...

ST Microelectronics

STB43N65M5

kezdő: HUF 3 776,50*
2 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7,1 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 7,1 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SOT-223 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő fo...

Diodes

DMN6040SE-13

kezdő: HUF 50,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7,1 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres (1 ajánlat)

Diodes

DMN6040SE-13

kezdő: HUF 1 217,70*
25 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7,4 A, 20 V, 8-tüskés, TSSOP Egyszeres (1 ajánlat)

Diodes

DMP2021UTS-13

kezdő: HUF 222 390,50*
2 500 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7,4 A, 20 V, 8-tüskés, TSSOP Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 7,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = TSSOP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...

Diodes

DMP2021UTS-13

kezdő: HUF 1 300,80*
10 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SOT-223 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forr...

Diodes

DMN6069SE-13

kezdő: HUF 51,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (2 ajánlat)

Diodes

DMN3009SK3-13

kezdő: HUF 56,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 80 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...

Diodes

DMN3009SK3-13

kezdő: HUF 2 698,90*
25 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 80 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 55 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...

Diodes

DMNH6011LK3-13

kezdő: HUF 1 782,40*
5 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 26 A, 60 V, 8-tüskés, DI5060 DMP (1 ajánlat)

Kettős P-csatornás MOSFET, Diodes Inc.

Diodes

DMPH6050SPD-13

kezdő: HUF 476 635,00*
2 500 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 26 A, 60 V, 8-tüskés, DI5060 DMP (1 ajánlat)

Kettős P-csatornás MOSFET, Diodes Inc.

Diodes

DMPH6050SPD-13

kezdő: HUF 2 890,50*
10 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 33,2 A, 60 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 33,2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerDI5060-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális n...

Diodes

DMTH6016LPD-13

kezdő: HUF 357 247,50*
2 500 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 33,2 A, 60 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 (1 ajánlat)

A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is minimális legyen az ellenállás (RDS(BE)), de kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így nagy hatékonyságú energiagazdálkodási alkalmazáso...

Diodes

DMTH6016LPD-13

kezdő: HUF 2 311,50*
10 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 5,2 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC DMP (2 ajánlat)

Kettős P-csatornás MOSFET, Diodes Inc.

Diodes

DMPH6050SSD-13

kezdő: HUF 143,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 5,2 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC DMP (1 ajánlat)

Kettős P-csatornás MOSFET, Diodes Inc.

Diodes

DMPH6050SSD-13

kezdő: HUF 1 714,80*
10 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 7,6 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC DMT (2 ajánlat)

Két N-csatornás MOSFET, Diodes Inc.

Diodes

DMTH6016LSD-13

kezdő: HUF 147,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 7,6 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC DMT (1 ajánlat)

Két N-csatornás MOSFET, Diodes Inc.

Diodes

DMTH6016LSD-13

kezdő: HUF 1 488,80*
10 db-ként

MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP (1 ajánlat)

Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Diodes

DMT10H4M9LPSW-13

kezdő: HUF 810 083,50*
2 500 db-ként

MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP (1 ajánlat)

Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Diodes

DMT10H4M9LPSW-13

kezdő: HUF 530,00*
db-ként

MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP (1 ajánlat)

Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Diodes

DMT10H4M9SPSW-13

kezdő: HUF 799 185,00*
2 500 db-ként

MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP (1 ajánlat)

Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Diodes

DMT10H4M9SPSW-13

kezdő: HUF 519,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...

ST Microelectronics

SCT10N120

kezdő: HUF 2 313,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat)

Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...

ST Microelectronics

SCT10N120

kezdő: HUF 1 917,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 15 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,...

ST Microelectronics

STF22N60M6

kezdő: HUF 428,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 15 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (1 ajánlat)

Az STMicroelectronics új MDmesh™ M6 technológiája magában foglalja az SJ MOSFET-EK ismert és konszolidált MDmesh-családjának legújabb fejlesztései által elért eredményeket. Az STMicroelectronics az...

ST Microelectronics

STF22N60M6

kezdő: HUF 426,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 20 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...

ST Microelectronics

SCTWA20N120

kezdő: HUF 3 696,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .. 54 előre

MOSFET-ek (2 668 cikk)