MOSFET-ek ST Microelectronics Diodes a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

MOSFET, 110 V, 5-tüskés, B4E RF5L (1 ajánlat)

Maximális nyelő forrásfeszültség = 110 V Csomag típusa = B4E Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximális nyelő forrásellenállás = 1 Ω Maximális kapu küszöbfeszültség = 3V

ST Microelectronics

RF5L08350CB4

kezdő: HUF 6 120 316,6008*
120 db-ként

MOSFET, 65 V, 4-tüskés, B4E RF2L (1 ajánlat)

Maximális nyelő forrásfeszültség = 65 V Csomag típusa = B4E Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás = 1 Ω Maximális kapu küszöbfeszültség = 2.5V

ST Microelectronics

RF2L16180CB4

kezdő: HUF 6 120 316,6008*
120 db-ként

MOSFET, 90 V, 5-tüskés, LBB RF3L (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális nyelő forrásfeszültség = 90 V Csomag típusa = LBB Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximális nyelő forrásellenállás = 1 Ω Maximális kapu küszöbf...

ST Microelectronics

RF3L05250CB4

kezdő: HUF 5 740 648,50*
100 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,5 A, 90 V, 5-tüskés, LBB RF3L05150CB4 Si (1 ajánlat)

A STMicroelectronics XXXX az ART LDMOS FET állapota, amelyet nagysávszélességű kommunikációs és ISM alkalmazásokhoz terveztek, HF-től 1 GHz-ig terjedő frekvenciákkal. A termék 136-174 MHz-es keresk...

ST Microelectronics

RF3L05150CB4

kezdő: HUF 5 433 440,60*
100 db-ként

MOSFET, 60 V, 2-tüskés, B2 RF2L (1 ajánlat)

Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = B2 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 2 Maximális nyelő forrásellenállás = 1 Ω Maximális kapu küszöbfeszültség = 2.5V

ST Microelectronics

RF2L36075CF2

kezdő: HUF 5 345 081,2008*
120 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,5 A, 40 V, 14-tüskés, PowerFLAT 5 x 5 Egyszeres Si (1 ajánlat)

RF MOSFET tranzisztorok, STMicroelectronics. A rádiófrekvenciás tranzisztorok olyan LDMOS optikai érzékelők, amelyek 1 MHz és 2 GHz közötti alkalmazásokon L-sávú műholdfelcsatlakozásra és DMOS telj...

ST Microelectronics

PD55003L-E

kezdő: HUF 5 335 702,02*
3 000 db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 25 A, 750 V, 4-tüskés, PowerFLAT 5x6 HV GaN (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 750 V Csomag típusa = PowerFLAT 5x6 HV Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Csatorna ...

ST Microelectronics

SGT65R65AL

kezdő: HUF 4 536 558,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 22 A, 600 V, 5-tüskés, PowerFLAT 8 x 8 HV MDmesh M5 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-channel MDmesh™ M5 sorozat STMicroelectronics. Az MDmesh M5 teljesítmény MOSFET-eket a nagy teljesítményű PFC és PWM topológiákra optimalizálták. A fő funkciók közé tartozik az egy szilíciumterül...

ST Microelectronics

STL36N55M5

kezdő: HUF 3 244 656,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 20 A, 3-tüskés, DPAK (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Csomag típusa = DPAK Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3

ST Microelectronics

STD65N160M9

kezdő: HUF 1 958 206,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 64 A, 650 V, 3-tüskés, ACEPACK SMIT (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 64 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = ACEPACK SMIT Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3

ST Microelectronics

SH68N65DM6AG

kezdő: HUF 1 893 696,80*
200 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 710 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) MDmesh M5 Egyszeres Si (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STD15N65M5

kezdő: HUF 1 875 375,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 710 V, 8-tüskés, PowerFLAT 5 x 6 MDmesh M5 Egyszeres Si (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STL18N65M5

kezdő: HUF 1 708 646,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 900 mA, 100 V, 3-tüskés, E-Line Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZVN4310A

kezdő: HUF 1 555 112,00*
4 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 710 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) MDmesh M5 Egyszeres Si (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STB45N65M5

kezdő: HUF 1 548 190,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1,1 A, 60 V, 3-tüskés, E-Line Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZVN4306A

kezdő: HUF 1 508 879,00*
4 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 80 V, 8-tüskés, PowerFLAT 5 x 6 STL1 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 120 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = STL1 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrásellen...

ST Microelectronics

STL125N8F7AG

kezdő: HUF 1 499 956,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 800 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat)

N-Channel MDmesh™, 800 V/1500 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STB11NM80T4

kezdő: HUF 1 425 273,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 550 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) MDmesh M5 Egyszeres Si (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STD18N55M5

kezdő: HUF 1 418 339,00*
2 500 db-ként

SiC teljesítménymodul, 75 A, 1200 V, ACEPACK 2 (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 75 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = ACEPACK 2 Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető

ST Microelectronics

A2U12M12W2-F2

kezdő: HUF 1 373 597,70012*
18 db-ként

SiC teljesítménymodul, 75 A, 1200 V, ACEPACK 2 (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 75 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = ACEPACK 2 Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető

ST Microelectronics

A2F12M12W2-F1

kezdő: HUF 1 365 897,90006*
18 db-ként

MOSFET, 100 A, 30 V, PowerDI5060-8 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerDI5060-8

Diodes

DMPH33M8SPSWQ-13

kezdő: HUF 1 365 617,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 300 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI1012-8 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 300 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PowerDI1012-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma...

Diodes

DMTH4001STLWQ-13

kezdő: HUF 1 348 520,01*
1 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 DMT4001 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = DMT4001 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrásel...

Diodes

DMT4001LPS-13

kezdő: HUF 1 329 925,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 8-tüskés, PowerFLAT 5 x 6 STripFET H7 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel STAripbeFET™ H7 sorozat STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.

ST Microelectronics

STL110N10F7

kezdő: HUF 1 328 798,01*
3 000 db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 53 A, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat)

Ez a készülék egy N csatornás MOSFET-erősítő, az MDmesh™ M5 innovatív függőleges gyártási technológiájával, amelyet a jól ismert PowerMESH™ vízszintes elrendezés fejez össze. A kapott termék rendkí...

ST Microelectronics

STB45N30M5

kezdő: HUF 1 300 411,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 11 A, 150 V, PowerDI5060-8 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 11 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = PowerDI5060-8

Diodes

DMTH15H017SPSWQ-13

kezdő: HUF 1 282 909,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 100 A, 30 V, PowerDI5060-8 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerDI5060-8

Diodes

DMPH33M8SPSW-13

kezdő: HUF 1 231 347,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9 A, 80 V, 3-tüskés, M250 Egyszeres Si (1 ajánlat)

ST Microelectronics

LET9045F

kezdő: HUF 1 220 032,90*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 300 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI1012-8 (1 ajánlat)

Diodes

DMTH4001STLW-13

kezdő: HUF 1 218 999,00*
1 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 710 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) MDmesh M5 Egyszeres Si (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STB38N65M5

kezdő: HUF 1 205 314,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 250 mA, 600 V, 8-tüskés, SOIC DMP65H (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 250 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = SOIC Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for...

Diodes

DMP65H13D0HSS-13

kezdő: HUF 1 109 356,00*
4 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 100 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 DMTH10 Si (1 ajánlat)

A DiodesZetex 100 V-os, 8 tűs, N-csatornás javítási módú MOSFET-et úgy tervezték, hogy minimalizálja a bekapcsolt állapotú ellenállást, ugyanakkor kiváló kapcsolási teljesítményt tartson fenn. Ez a...

Diodes

DMTH10H4M5LPS-13

kezdő: HUF 1 082 992,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) MDmesh Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STB24NM60N

kezdő: HUF 1 073 452,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 75 A, 650 V, HU3PAK (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 75 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = HU3PAK Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

ST Microelectronics

STHU32N65DM6AG

kezdő: HUF 1 062 783,60*
600 db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) ST SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenál...

ST Microelectronics

STB33N60DM6

kezdő: HUF 1 038 019,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 260 mA, 240 V, 3-tüskés, E-Line Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZVN4424A

kezdő: HUF 1 030 404,00*
4 000 db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 7 A, 600 V, 8-tüskés, PowerFLAT 5 x 6 HV Egyszeres (1 ajánlat)

Az új MDmesh M6 technológia magában foglalja az SJ MOSFET-ek jól ismert és konszolidált MDmesh termékcsaládjának legújabb fejlesztéseit. Az STMicroelectronics az MDmesh eszközök előző generációjára...

ST Microelectronics

STL13N60M6

kezdő: HUF 1 019 735,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 36 A, 600 V, 7-tüskés, HU3PAK STHU47 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 36 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = STHU47 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális kapu küszöbfesz...

ST Microelectronics

STHU47N60DM6AG

kezdő: HUF 982 253,40*
600 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 205 A, 60 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 DMT61M8SPS (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 205 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = DMT61M8SPS Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...

Diodes

DMT61M8SPS-13

kezdő: HUF 980 701,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 200 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STB40NF20

kezdő: HUF 974 459,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 100 A, 40 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = LFPAK, SOT-669 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4

ST Microelectronics

STK130N4LF7AG

kezdő: HUF 938 212,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 3 A, 4 A, 5 V, 12 V, 8-tüskés, TSOT23-8L E-Fuse Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 3 A, 4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 5 V, 12 V Sorozat = E-Fuse Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,04 Ω Maximális kapu...

ST Microelectronics

STEF512GR

kezdő: HUF 906 390,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 5,9 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 100 V - 450 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZXMP10A18KTC

kezdő: HUF 904 233,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 5 A, 650 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) Egyszeres (1 ajánlat)

Az MDmesh™ egy új, forradalmi Power MOSFET technológia, amely a vállalat PowerMESH™ vízszintes elrendezéséhez kapcsolódik a többprocesszoros folyamathoz. A kapott termék rendkívül alacsony ellenáll...

ST Microelectronics

STD5NM60T4

kezdő: HUF 894 926,00*
2 500 db-ként

MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP (1 ajánlat)

Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Diodes

DMT10H4M9LPSW-13

kezdő: HUF 831 303,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 280 mA, 60 V, 3-tüskés, E-Line Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZVP2106A

kezdő: HUF 828 162,00*
4 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3 A, 900 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STD3NK90ZT4

kezdő: HUF 822 726,00*
2 500 db-ként

MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP (1 ajánlat)

Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Diodes

DMT10H4M9SPSW-13

kezdő: HUF 818 347,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 40 V, 4-tüskés, ECOPACK (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = ECOPACK Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növ...

ST Microelectronics

STK184N4F7AG

kezdő: HUF 806 060,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 33 A, 60 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 DMNH6035 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 33 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = DMNH6035 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrásel...

Diodes

DMNH6035SPDW-13

kezdő: HUF 805 381,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 4 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC STripFET Izolált Si (1 ajánlat)

N-csatornás STripfFET™ kettős MOSFET, STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.

ST Microelectronics

STS4DNF60L

kezdő: HUF 796 547,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 240 V, 3-tüskés, E-Line Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 100 V - 450 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZVP4424A

kezdő: HUF 795 843,00*
4 000 db-ként

MOSFET, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMT10H010LK3-13

kezdő: HUF 791 268,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 75 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STB160N75F3

kezdő: HUF 785 095,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) STripFET II Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel STripfFET™ II, STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.

ST Microelectronics

STB120NF10T4

kezdő: HUF 776 040,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 11 A Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 360 mΩ Csatorna mó...

ST Microelectronics

STD13N60DM2

kezdő: HUF 744 707,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 600 V, 8-tüskés, ECOPACK (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 17 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = ECOPACK Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növ...

ST Microelectronics

STO24N60M6

kezdő: HUF 744 594,804*
1 800 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 37 A, 30 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 DMP32 Si (1 ajánlat)

A DiodesZetex 30 V-os, 8 tűs P-csatornás javítási mód MOSFET-et úgy tervezték, hogy minimalizálja a bekapcsolt állapotú ellenállást, ugyanakkor kiváló kapcsolási teljesítményt tartson fenn, így ide...

Diodes

DMP32M6SPS-13

kezdő: HUF 741 044,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) STripFET II Egyszeres Si (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STD60NF06T4

kezdő: HUF 738 196,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 11 A, 150 V, PowerDI5060-8 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 11 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = PowerDI5060-8

Diodes

DMTH15H017SPSW-13

kezdő: HUF 729 154,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 5 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) MDmesh Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STD7NM60N

kezdő: HUF 728 203,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 160 mA, 60 V, 3-tüskés, E-Line Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZVP3306A

kezdő: HUF 726 649,00*
4 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 40 V, 8-tüskés, SOIC STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás STripfFET™ MOSFET teljesítményerősítő STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással ...

ST Microelectronics

STS10P4LLF6

kezdő: HUF 686 438,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 500 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics

ST Microelectronics

STB14NK50ZT4

kezdő: HUF 679 629,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1,3 A, 70 V, 3-tüskés, SOT-23 IntelliFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

IntelliFET Önállóan védett MOSFET-ek, diódák B. Az IntelliFET önműködő MOSFET-ek, amelyek integrálják az ESD (Electrostatic-Érzékeny Eszköz), a túláram, a túlfeszültség és a túlmelegedés elleni véd...

Diodes

ZXMS6004FFTA

kezdő: HUF 667 996,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) STripFET II Egyszeres Si (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STD35NF06LT4

kezdő: HUF 632 218,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 600 mA, 60 V, 3-tüskés, E-Line Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZVN4206A

kezdő: HUF 629 025,00*
4 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STD30NF06LT4

kezdő: HUF 602 202,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STD35NF06T4

kezdő: HUF 601 128,00*
2 500 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 26 A, 60 V, 8-tüskés, DI5060 DMP (1 ajánlat)

Kettős P-csatornás MOSFET, Diodes Inc.

Diodes

DMPH6050SPD-13

kezdő: HUF 600 890,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 55 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 80 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 55 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális ny...

ST Microelectronics

STB80NF55-06T4

kezdő: HUF 584 053,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STD40NF10

kezdő: HUF 563 263,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,4 A, 100 V, 3-tüskés, SOT-223 STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STN2NF10

kezdő: HUF 555 462,00*
4 000 db-ként

MOSFET, 12,1 A, 30 V, PowerDI5060-8 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 12,1 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerDI5060-8

Diodes

DMP3011SPDW-13

kezdő: HUF 553 606,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 400 mA, 600 V, 3-tüskés, SOT-223 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics

ST Microelectronics

STN1HNK60

kezdő: HUF 549 110,00*
4 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9,9 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZXMP4A16KTC

kezdő: HUF 548 523,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11.7 A, 76 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 DMP4011 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 11.7 A, 76 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PowerDI5060-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maxim...

Diodes

DMP4011SPS-13

kezdő: HUF 546 493,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 60 V, 8-tüskés, PowerDI3333-8 (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMT6007LFG-7

kezdő: HUF 544 350,00*
2 000 db-ként

MOSFET, 80 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 80 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3

ST Microelectronics

STD86N3LH5

kezdő: HUF 543 603,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 5,8 A, 900 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STB6NK90ZT4

kezdő: HUF 537 262,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STN3NF06L

kezdő: HUF 531 262,00*
4 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 450 mA, 60 V, 3-tüskés, E-Line Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZVN2106A

kezdő: HUF 527 512,00*
4 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 230 mA, 45 V, 3-tüskés, E-Line Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

BS250P

kezdő: HUF 504 665,00*
4 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6,5 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-223 STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STN4NF03L

kezdő: HUF 499 867,00*
4 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 16,1 A, 60 V, 8-tüskés, V-DFN3333 DMT Műanyag (1 ajánlat)

A DiodesZetex N-csatornás javítási mód MOSFET-et úgy tervezték, hogy minimalizálja az RDS(ON) funkciót, ugyanakkor kiváló kapcsolási teljesítményt tartson fenn. Ez az eszköz ideális notebook akkumu...

Diodes

DMT64M8LCG-7

kezdő: HUF 493 320,00*
2 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 450 mA, 100 V, 3-tüskés, TO-92 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZVN4210A

kezdő: HUF 487 594,00*
4 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 74 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) DMP4011 Si (1 ajánlat)

A DiodesZetex 40V,3 tűs P-csatornás javítási mód MOSFET-et úgy tervezték, hogy minimalizálja a bekapcsolt állapotú ellenállást, ugyanakkor kiváló kapcsolási teljesítményt tartson fenn, így ideális ...

Diodes

DMP4011SK3-13

kezdő: HUF 487 472,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3,7 A, 100 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 100 V - 450 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZXMP10A18GTA

kezdő: HUF 480 672,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 100 A, 30 V, 8-tüskés, PowerDI5060–8 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerDI5060–8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális ny...

Diodes

DMT32M5LPSW-13

kezdő: HUF 479 657,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 100 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI3333-8 DMTH43 Si (1 ajánlat)

A DiodesZetex 40V,8 tűs N-csatornás javítási mód MOSFET-et úgy tervezték, hogy minimalizálja a bekapcsolt állapotú ellenállást, ugyanakkor kiváló kapcsolási teljesítményt tartson fenn, így ideális ...

Diodes

DMTH43M8LFG-7

kezdő: HUF 478 786,00*
2 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 5,7 A, 70 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZXMP7A17KTC

kezdő: HUF 477 847,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 5,4 A, 400 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics

ST Microelectronics

STD7NK40ZT4

kezdő: HUF 475 551,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 DMNH4004 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = DMNH4004 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráse...

Diodes

DMNH4004SPS-13

kezdő: HUF 473 013,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 240 mA, 20 V, 6-tüskés, SOT-963 Izolált Si (1 ajánlat)

Két N-csatornás MOSFET, Diodes Inc.

Diodes

DMN26D0UDJ-7

kezdő: HUF 466 401,00*
10 000 db-ként

MOSFET, X4-DSN1717-4 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Csomag típusa = X4-DSN1717-4

Diodes

DMN2009UCA4-7

kezdő: HUF 462 692,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 11 A, 12 V, 3-tüskés, SC-59 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 11 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 12 V Csomag típusa = SC-59 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3

Diodes

DMN1019USNQ-13

kezdő: HUF 461 296,00*
10 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1,6 A, 100 V, 6-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 100 V - 450 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZXMP10A17E6TA

kezdő: HUF 459 762,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 270 mA, 60 V, 3-tüskés, E-Line Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

VN10LP

kezdő: HUF 454 949,00*
4 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1,9 A, 100 V, 6-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZXMN10A08E6TA

kezdő: HUF 443 834,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) MDmesh M2 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-channel MDmesh™ M2 sorozat, STMicroelectronics. Nagyteljesítményű MOSFET-ek széles választéka az STMicroelektrronics cégtől. Alacsony kapupakítási töltéssel és kiváló kimeneti kapacitásokkal az M...

ST Microelectronics

STB18N60M2

kezdő: HUF 439 300,00*
1 000 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .. 21 előre

MOSFET-ek (2 062 cikk)