MOSFET-ek Diodes Vishay a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (4/216 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 32 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L SQ Rugged Egyszeres Si (1 ajánlat)

AEC-Q101. N csatornás MOSFET, Robusztus SQ autóipari, Vishay Semiconductor. A Vishay Semiconductor SQ MOSFET-sorozatait az összes olyan autóipari alkalmazáshoz tervezték, ahol a zavartűrés a nagyfo...

Vishay

SQJ412EP-T1_GE3

kezdő: HUF 1 024 971,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 81 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 SiR870BDP (2 ajánlat)

A Vishay N-Channel 100 V (D-S) MOSFET nagyon alacsony RDS x QG értékű (FOM), és a legalacsonyabb RDS x Qoss FOM hangra van hangolva.TenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET 100 % RG és UIS vizsgálat

Vishay

SiR870BDP-T1-RE3

kezdő: HUF 979 756,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 33,8 A, 150 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 33,8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorn...

Vishay

SISS5708DN-T1-GE3

kezdő: HUF 957 389,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 116 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 116 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8

Vishay

SiR582DP-T1-RE3

kezdő: HUF 921 184,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 165 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 SiR626ADP (2 ajánlat)

A Vishay N-Channel 60 V (D-S) MOSFET a legalacsonyabb RDS - Qoss FOM hangolás érdekében.Power PAK SO-8 csomag TenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET

Vishay

SiR626ADP-T1-RE3

kezdő: HUF 919 971,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, TrentchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

Vishay

SIRA00DP-T1-GE3

kezdő: HUF 916 348,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 4 elem/chip, 8 A, 60 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N, P Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növek...

Vishay

SI4534DY-T1-GE3

kezdő: HUF 911 059,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 5,9 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 100 V - 450 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZXMP10A18KTC

kezdő: HUF 907 849,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 66,8 A, 80 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 66,8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növek...

Vishay

SIR5808DP-T1-RE3

kezdő: HUF 907 790,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 59,2 A, 40 V, 8-tüskés, 1212-8S Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 59,2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Nö...

Vishay

SISS4409DN-T1-GE3

kezdő: HUF 906 302,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 4 elem/chip, 100 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 l Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = Dual N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PowerPAK 8 x 8 l Rögzítés típusa = Nyomtatott áramkörre szerelhető Tüskék szá...

Vishay

SQJQ936E-T1_GE3

kezdő: HUF 894 533,00*
2 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) TrenchFET (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...

Vishay

SQD50P06-15L_GE3

kezdő: HUF 886 178,00*
2 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6,2 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V - 90 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI7850DP-T1-E3

kezdő: HUF 884 639,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60,6 A, 40 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 60,6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növek...

Vishay

SIR4409DP-T1-RE3

kezdő: HUF 875 725,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 44 A, 80 V, 8-tüskés, 1212-8SLW Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 44 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = 1212-8SLW Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Nö...

Vishay

SQS181ELNW-T1_GE3

kezdő: HUF 865 831,02*
3 000 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .. 216 előre

MOSFET-ek (3 226 cikk)