MOSFET-ek Diodes Vishay a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 51 A, 600 V, 8-tüskés, 8 x 8LR Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 51 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = 8 x 8LR Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növ...

Vishay

SIHR080N60E-T1-GE3

kezdő: HUF 6 257 177,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 30 A, 650 V, 8-tüskés, PowerPAK 10 x 12 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = PowerPAK 10 x 12 Rögzítés típusa = Nyomtatott áramkörre szerelhető Tüskék száma = ...

Vishay

SIHK085N60EF-T1GE3

kezdő: HUF 4 681 768,00*
2 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 440 A, 40 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 440 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növekm...

Vishay

SIRS4400DP-T1-RE3

kezdő: HUF 3 513 491,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 334 A, 60 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 334 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növekm...

Vishay

SIRS4600DP-T1-RE3

kezdő: HUF 3 123 283,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 277 A, 100 V, 4-tüskés, 8 x 8L Szilikon (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 277 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = 8 x 8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növ...

Vishay

SIJH5100E-T1-GE3

kezdő: HUF 2 910 710,00*
2 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 225 A, 100 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 225 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növek...

Vishay

SIRS5100DP-T1-GE3

kezdő: HUF 2 657 310,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 34 A, 650 V, 8-tüskés, PowerPAK 10 x 12 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 34 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = PowerPAK 10 x 12 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek sz...

Vishay

SIHK065N60E-T1-GE3

kezdő: HUF 2 591 632,00*
2 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 265 A, 80 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 265 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növekm...

Vishay

SIRS5800DP-T1-GE3

kezdő: HUF 2 564 434,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 504 A, 40 V, 8-tüskés, SO-8SW Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 504 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = SO-8SW Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növe...

Vishay

SQRS140ELP-T1_GE3

kezdő: HUF 2 111 304,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 40 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növekm...

Vishay

SIR638ADP-T1-UE3

kezdő: HUF 2 106 009,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 90,9 A, 60 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 90,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növek...

Vishay

SIR5607DP-T1-RE3

kezdő: HUF 2 064 844,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 421 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPak SO-8DC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 421 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerPak SO-8DC Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8

Vishay

SIDR500EP-T1-RE3

kezdő: HUF 2 035 385,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 100 A, 40 V, 4-tüskés, 8 x 8L Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = 8 x 8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növe...

Vishay

SQJQ936EL-T1_GE3

kezdő: HUF 1 825 790,00*
2 000 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 123 A, 40 V, 4-tüskés, SO-8L Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 123 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növek...

Vishay

SQJ740EP-T1_GE3

kezdő: HUF 1 678 178,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 159 A, 40 V, 8-tüskés, PowerPAIR 6 x 5FS (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 159 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PowerPAIR 6 x 5FS Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek s...

Vishay

SIZF640DT-T1-GE3

kezdő: HUF 1 654 333,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 44,4 A, 80 V, 7-tüskés, SO-8L Szilikon (2 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 44,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Csatorna mód = Növe...

Vishay

SIJ4819DP-T1-GE3

kezdő: HUF 1 612 492,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 900 mA, 100 V, 3-tüskés, E-Line Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZVN4310A

kezdő: HUF 1 560 617,00*
4 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1,1 A, 60 V, 3-tüskés, E-Line Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZVN4306A

kezdő: HUF 1 508 203,00*
4 000 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 16 A, 650 V, 8-tüskés, PowerPAK 10 x 12 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 16 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = PowerPAK 10 x 12 Rögzítés típusa = Nyomtatott áramkörre szerelhető Tüskék száma = ...

Vishay

SIHK185N60EF-T1GE3

kezdő: HUF 1 498 593,00*
2 000 db-ként

MOSFET, 100 A, 30 V, PowerDI5060-8 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerDI5060-8

Diodes

DMPH33M8SPSWQ-13

kezdő: HUF 1 374 040,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 47,6 A, 100 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 47,6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növe...

Vishay

SIR5110DP-T1-RE3

kezdő: HUF 1 359 936,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 78 A, 150 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8DC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 78 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8DC Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8

Vishay

SIDR578EP-T1-RE3

kezdő: HUF 1 359 680,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 300 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI1012-8 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 300 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PowerDI1012-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma...

Diodes

DMTH4001STLWQ-13

kezdő: HUF 1 356 661,005*
1 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 DMT4001 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = DMT4001 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrásel...

Diodes

DMT4001LPS-13

kezdő: HUF 1 330 254,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 N-Channel 100 V (2 ajánlat)

A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.TrenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET Nagyon alacson...

Vishay

SIR5102DP-T1-RE3

kezdő: HUF 1 306 663,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 204 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8DC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 204 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8DC Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális ...

Vishay

SiDR626LDP-T1-RE3

kezdő: HUF 1 300 949,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 11 A, 150 V, PowerDI5060-8 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 11 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = PowerDI5060-8

Diodes

DMTH15H017SPSWQ-13

kezdő: HUF 1 281 544,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 59 A, 100 V, 7-tüskés, SO-8L Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 59 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Csatorna mód = Növek...

Vishay

SIJ4106DP-T1-GE3

kezdő: HUF 1 270 144,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 100 V, 7-tüskés, TO-263-7L Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 150 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-263-7L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Csatorna mód = ...

Vishay

SUM70042M-GE3

kezdő: HUF 1 250 166,80*
800 db-ként

MOSFET, 100 A, 30 V, PowerDI5060-8 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerDI5060-8

Diodes

DMPH33M8SPSW-13

kezdő: HUF 1 230 055,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 300 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI1012-8 (1 ajánlat)

Diodes

DMTH4001STLW-13

kezdő: HUF 1 214 966,01*
1 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 198 A, 30 V, 8-tüskés, 1212-F Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 198 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = 1212-F Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növe...

Vishay

SISD5300DN-T1-GE3

kezdő: HUF 1 208 427,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 40 V, 8-tüskés, SOIC SQ Rugged Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, SQ Robusztus sorozat, Vishay Semiconductor

Vishay

SQ4401EY-T1-GE3

kezdő: HUF 1 207 662,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 36 A, 80 V, 12-tüskés, 3 x 3FS Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 36 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = 3 x 3FS Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 12 Csatorna mód = Növ...

Vishay

SIZF4800LDT-T1-GE3

kezdő: HUF 1 166 459,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 71.9 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Si (2 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 71.9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...

Vishay

SiR681DP-T1-RE3

kezdő: HUF 1 145 187,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SIR870ADP-T1-GE3

kezdő: HUF 1 132 588,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 55,9 A, 100 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 55,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növe...

Vishay

SIR5108DP-T1-RE3

kezdő: HUF 1 131 826,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 250 mA, 600 V, 8-tüskés, SOIC DMP65H (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 250 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = SOIC Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for...

Diodes

DMP65H13D0HSS-13

kezdő: HUF 1 107 828,00*
4 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 602 A, 60 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 L N-Channel 60 V (1 ajánlat)

A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.AEC-Q101-minősítés 100 % RG és UIS tesztelve Vékony...

Vishay

SQJQ160E-T1_GE3

kezdő: HUF 1 086 833,00*
2 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 100 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 DMTH10 Si (1 ajánlat)

A DiodesZetex 100 V-os, 8 tűs, N-csatornás javítási módú MOSFET-et úgy tervezték, hogy minimalizálja a bekapcsolt állapotú ellenállást, ugyanakkor kiváló kapcsolási teljesítményt tartson fenn. Ez a...

Diodes

DMTH10H4M5LPS-13

kezdő: HUF 1 082 543,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 66,6 A, 80 V, 8-tüskés, 1212-8S Szilikon (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 66,6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Nö...

Vishay

SISS5808DN-T1-GE3

kezdő: HUF 1 069 042,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 55,9 A, 100 V, 8-tüskés, 1212-8S Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 55,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = N...

Vishay

SISS5110DN-T1-GE3

kezdő: HUF 1 067 688,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 362 A, 60 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 362 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Elemek szám...

Vishay

SQJ160EP-T1_GE3

kezdő: HUF 1 060 631,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 166 A, 60 V, 4-tüskés, SO-8L Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 166 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növek...

Vishay

SQJ162EP-T1_GE3

kezdő: HUF 1 031 105,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 260 mA, 240 V, 3-tüskés, E-Line Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZVN4424A

kezdő: HUF 1 030 351,00*
4 000 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 32 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L SQ Rugged Egyszeres Si (1 ajánlat)

AEC-Q101. N csatornás MOSFET, Robusztus SQ autóipari, Vishay Semiconductor. A Vishay Semiconductor SQ MOSFET-sorozatait az összes olyan autóipari alkalmazáshoz tervezték, ahol a zavartűrés a nagyfo...

Vishay

SQJ412EP-T1_GE3

kezdő: HUF 1 024 971,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 81 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 SiR870BDP (2 ajánlat)

A Vishay N-Channel 100 V (D-S) MOSFET nagyon alacsony RDS x QG értékű (FOM), és a legalacsonyabb RDS x Qoss FOM hangra van hangolva.TenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET 100 % RG és UIS vizsgálat

Vishay

SiR870BDP-T1-RE3

kezdő: HUF 979 756,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 33,8 A, 150 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 33,8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorn...

Vishay

SISS5708DN-T1-GE3

kezdő: HUF 957 389,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 116 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 116 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8

Vishay

SiR582DP-T1-RE3

kezdő: HUF 921 184,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 165 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 SiR626ADP (2 ajánlat)

A Vishay N-Channel 60 V (D-S) MOSFET a legalacsonyabb RDS - Qoss FOM hangolás érdekében.Power PAK SO-8 csomag TenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET

Vishay

SiR626ADP-T1-RE3

kezdő: HUF 919 971,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, TrentchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

Vishay

SIRA00DP-T1-GE3

kezdő: HUF 916 348,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 4 elem/chip, 8 A, 60 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N, P Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növek...

Vishay

SI4534DY-T1-GE3

kezdő: HUF 911 059,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 5,9 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 100 V - 450 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZXMP10A18KTC

kezdő: HUF 907 849,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 66,8 A, 80 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 66,8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növek...

Vishay

SIR5808DP-T1-RE3

kezdő: HUF 907 790,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 59,2 A, 40 V, 8-tüskés, 1212-8S Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 59,2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Nö...

Vishay

SISS4409DN-T1-GE3

kezdő: HUF 906 302,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 4 elem/chip, 100 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 l Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = Dual N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PowerPAK 8 x 8 l Rögzítés típusa = Nyomtatott áramkörre szerelhető Tüskék szá...

Vishay

SQJQ936E-T1_GE3

kezdő: HUF 894 533,00*
2 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) TrenchFET (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...

Vishay

SQD50P06-15L_GE3

kezdő: HUF 886 178,00*
2 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6,2 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V - 90 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI7850DP-T1-E3

kezdő: HUF 884 639,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60,6 A, 40 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 60,6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növek...

Vishay

SIR4409DP-T1-RE3

kezdő: HUF 875 725,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 44 A, 80 V, 8-tüskés, 1212-8SLW Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 44 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = 1212-8SLW Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Nö...

Vishay

SQS181ELNW-T1_GE3

kezdő: HUF 865 831,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 34 A, 40 V, 8-tüskés, 1212-8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 34 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = 1212-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növek...

Vishay

SIS9446DN-T1-GE3

kezdő: HUF 864 379,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9,5 A, 80 V, 8-tüskés, SO-8 TrenchFET (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 9,5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...

Vishay

SI4896DY-T1-E3

kezdő: HUF 860 422,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 100 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8

Vishay

SiR584DP-T1-RE3

kezdő: HUF 849 957,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1,8 A, 200 V, PowerPAK SO-8 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 1,8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 200 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Vishay

SI7464DP-T1-E3

kezdő: HUF 848 906,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 192 A, 30 V, 8-tüskés, 1212-8SLW Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 192 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = 1212-8SLW Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = N...

Vishay

SQS120ELNW-T1_GE3

kezdő: HUF 837 780,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 60 A, 80 V, PowerPAK SO-8L (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Vishay

SIJ482DP-T1-GE3

kezdő: HUF 836 854,02*
3 000 db-ként

MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP (1 ajánlat)

Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Diodes

DMT10H4M9LPSW-13

kezdő: HUF 827 405,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14,4 A, 250 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

TrenchFET® power MOSFET Kis hőellenállású PowerPAK® tok

Vishay

Si7190ADP-T1-RE3

kezdő: HUF 825 442,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 280 mA, 60 V, 3-tüskés, E-Line Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZVP2106A

kezdő: HUF 825 204,00*
4 000 db-ként

MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP (1 ajánlat)

Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Diodes

DMT10H4M9SPSW-13

kezdő: HUF 818 920,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 4 elem/chip, 6 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = Dual N Maximális folyamatos nyelőáram = 6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorn...

Vishay

SIS9634LDN-T1-GE3

kezdő: HUF 813 819,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 33 A, 60 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 DMNH6035 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 33 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = DMNH6035 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrásel...

Diodes

DMNH6035SPDW-13

kezdő: HUF 808 321,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 58 A, 40 V, 8-tüskés, SO-8SW Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 58 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = SO-8SW Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növek...

Vishay

SQRS152ELP-T1_GE3

kezdő: HUF 803 066,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 437 A, 30 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 L N-Channel 30 V (1 ajánlat)

Vishay

SQJ128ELP-T1_GE3

kezdő: HUF 798 794,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 240 V, 3-tüskés, E-Line Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 100 V - 450 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZVP4424A

kezdő: HUF 794 850,00*
4 000 db-ként

MOSFET, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMT10H010LK3-13

kezdő: HUF 792 581,50*
2 500 db-ként

Vishay SI7898DP-T1-E3 IGBT (1 ajánlat)

MOSFET-ek

Vishay

SI7898DP-T1-E3

kezdő: HUF 762 759,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 162 A, 30 V, 8-tüskés, 1212-8S Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 162 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növ...

Vishay

SISS52DN-T1-UE3

kezdő: HUF 753 094,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 37 A, 30 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 DMP32 Si (1 ajánlat)

A DiodesZetex 30 V-os, 8 tűs P-csatornás javítási mód MOSFET-et úgy tervezték, hogy minimalizálja a bekapcsolt állapotú ellenállást, ugyanakkor kiváló kapcsolási teljesítményt tartson fenn, így ide...

Diodes

DMP32M6SPS-13

kezdő: HUF 741 475,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 40 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SI4124DY-T1-GE3

kezdő: HUF 738 748,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 11 A, 150 V, PowerDI5060-8 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 11 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = PowerDI5060-8

Diodes

DMTH15H017SPSW-13

kezdő: HUF 727 861,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 160 mA, 60 V, 3-tüskés, E-Line Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZVP3306A

kezdő: HUF 723 151,00*
4 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 350 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L TrenchFET Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 350 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrás...

Vishay

SQJ136ELP-T1_GE3

kezdő: HUF 719 172,00*
3 000 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) SQ Rugged Egyszeres Si (1 ajánlat)

Vishay

SQD50N04-4M5L-GE3

kezdő: HUF 690 660,00*
2 000 db-ként

Vishay SQJ488EP-T1_GE3 IGBT (1 ajánlat)

MOSFET-ek

Vishay

SQJ488EP-T1_GE3

kezdő: HUF 689 488,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 25 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E Series Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = E Series Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...

Vishay

SIHB120N60E-T1-GE3

kezdő: HUF 683 611,40*
800 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 100 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI4190ADY-T1-GE3

kezdő: HUF 671 313,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1,3 A, 70 V, 3-tüskés, SOT-23 IntelliFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

IntelliFET Önállóan védett MOSFET-ek, diódák B. Az IntelliFET önműködő MOSFET-ek, amelyek integrálják az ESD (Electrostatic-Érzékeny Eszköz), a túláram, a túlfeszültség és a túlmelegedés elleni véd...

Diodes

ZXMS6004FFTA

kezdő: HUF 666 051,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 21 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI7454DDP-T1-GE3

kezdő: HUF 652 334,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 600 mA, 60 V, 3-tüskés, E-Line Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZVN4206A

kezdő: HUF 632 918,00*
4 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 105 A, 20 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 105 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növekm...

Vishay

SIR5211DP-T1-GE3

kezdő: HUF 626 721,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Egyszeres (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, TrentchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

Vishay

SIRA90DP-T1-RE3

kezdő: HUF 624 781,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 315 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 L N-Channel 40 V (1 ajánlat)

Vishay

SQJ138ELP-T1_GE3

kezdő: HUF 619 550,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 86 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 (2 ajánlat)

A Vishay N-csatornás 80 V-os (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8 tokozással rendelkezik, 86 A-es leeresztőárammal.TrenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET Nagyon kis RDS-Qg jósági tényező (FOM) A legkisebb RDS-...

Vishay

SiR826LDP-T1-RE3

kezdő: HUF 617 841,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 250 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SUM45N25-58-E3

kezdő: HUF 616 941,20*
800 db-ként

MOSFET, 2,2 A, 150 V, PowerPAK 1212-8 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 2,2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Vishay

SI7818DN-T1-E3

kezdő: HUF 616 900,02*
3 000 db-ként