Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (1 123 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres (2 ajánlat) 
Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy a rendszer minimalizálja az állapot állóságát (RDS(on)), és kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatékonyságú energiagaz...
Diodes
DMN6069SE-13
kezdő: HUF 77,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 Egyszeres (1 ajánlat) 
Ez az új generációs N-Channel Enhancement Mode MOSFET célja az RDS(BE) minimálisra csökkentése, ugyanakkor kiemelkedő kapcsolási teljesítmény fenntartása.Névleges +175 °C-os - ideális magas Környez...
Diodes
DMTH43M8LPS-13
kezdő: HUF 123,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PowerDI5060-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális ny...
Diodes
DMTH43M8LPS-13
kezdő: HUF 2 059,10*
10 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 12,2 A, 12 V, 6-tüskés, U-DFN2020 Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12,2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 12 V Csomag típusa = U-DFN2020 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő...
Diodes
DMN1008UFDF-7
kezdő: HUF 32,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 12,2 A, 12 V, 6-tüskés, U-DFN2020 Egyszeres (1 ajánlat) 
A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is (RDS(ON)) alacsony ellenállással rendelkezzen, és mégis kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatásfokú teljesítményk...
Diodes
DMN1008UFDF-7
kezdő: HUF 5 308,60*
50 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 30 V, 8-tüskés, TSSOP Egyszeres (1 ajánlat) 
A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is (RDS(ON)) alacsony ellenállással rendelkezzen, és mégis kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatásfokú teljesítményk...
Diodes
DMN3020UTS-13
kezdő: HUF 48,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 30 V, 8-tüskés, TSSOP Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = TSSOP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...
Diodes
DMN3020UTS-13
kezdő: HUF 3 970,40*
25 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 40 V, 3-tüskés, TO-220AB DMN Egyszeres (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMNH4005SCT
kezdő: HUF 31 464,50*
50 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 40 V, 3-tüskés, TO-220AB DMN Egyszeres (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMNH4005SCT
kezdő: HUF 3 614,80*
5 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrá...
Diodes
DMG3415U-7-57
kezdő: HUF 76 864,02*
3 000 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat) 
Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy az alacsony teljesítményszintet (RDS(BE)) is minimalizálják, és kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtanak, így ideális a nagy hatásfokú teljesít...
Diodes
DMG3415U-7-57
kezdő: HUF 2 552,30*
100 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 4,6 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...
Diodes
DMN2058UW-7
kezdő: HUF 94 514,01*
3 000 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 4,6 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat) 
Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy az alacsony teljesítményszintet (RDS(BE)) is minimalizálják, és kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtanak, így ideális a nagy hatásfokú teljesít...
Diodes
DMN2058UW-7
kezdő: HUF 3 697,80*
100 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 46,3 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 46,3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális ...
Diodes
DMTH10H025SK3-13
kezdő: HUF 92,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 46,3 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Az új generációs MOSFET-ek alacsony ellenállással és gyors átkapcsolással rendelkeznek, így ideálisan használható nagy hatásfokú teljesítménykezelő alkalmazásokhoz.100%-Osan Kifeszített Induktív Ka...
Diodes
DMTH10H025SK3-13
kezdő: HUF 1 131,40*
10 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 46,9 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 46,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális n...
Diodes
DMTH6016LK3-13
kezdő: HUF 68,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 46,9 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy az alacsony teljesítményszintet (RDS(BE)) is minimalizálják, és kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtanak, így ideális a nagy hatásfokú teljesít...
Diodes
DMTH6016LK3-13
kezdő: HUF 2 217,10*
25 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is (RDS(ON)) alacsony ellenállással rendelkezzen, és mégis kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatásfokú teljesítményk...
Diodes
DMPH4023SK3-13
kezdő: HUF 287 905,00*
2 500 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...
Diodes
DMPH4023SK3-13
kezdő: HUF 1 403,70*
10 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is (RDS(ON)) alacsony ellenállással rendelkezzen, és mégis kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatásfokú teljesítményk...
Diodes
DMPH4013SK3-13
kezdő: HUF 127,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 55 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...
Diodes
DMPH4013SK3-13
kezdő: HUF 3 312,70*
10 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7,1 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 7,1 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SOT-223 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő fo...
Diodes
DMN6040SE-13
kezdő: HUF 49,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7,1 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres (1 ajánlat) 
A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is (RDS(ON)) alacsony ellenállással rendelkezzen, és mégis kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatásfokú teljesítményk...
Diodes
DMN6040SE-13
kezdő: HUF 2 330,10*
25 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7,4 A, 20 V, 8-tüskés, TSSOP Egyszeres (1 ajánlat) 
A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is (RDS(ON)) alacsony ellenállással rendelkezzen, és mégis kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatásfokú teljesítményk...
Diodes
DMP2021UTS-13
kezdő: HUF 255 209,00*
2 500 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7,4 A, 20 V, 8-tüskés, TSSOP Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 7,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = TSSOP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...
Diodes
DMP2021UTS-13
kezdő: HUF 1 372,20*
10 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SOT-223 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forr...
Diodes
DMN6069SE-13
kezdő: HUF 59,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (2 ajánlat) 
A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is (RDS(ON)) alacsony ellenállással rendelkezzen, és mégis kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatásfokú teljesítményk...
Diodes
DMN3009SK3-13
kezdő: HUF 55,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 80 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...
Diodes
DMN3009SK3-13
kezdő: HUF 2 813,70*
25 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 80 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 55 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...
Diodes
DMNH6011LK3-13
kezdő: HUF 1 768,80*
5 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 26 A, 60 V, 8-tüskés, DI5060 DMP (1 ajánlat) 
Kettős P-csatornás MOSFET, Diodes Inc.
Diodes
DMPH6050SPD-13
kezdő: HUF 602 322,00*
2 500 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 26 A, 60 V, 8-tüskés, DI5060 DMP (1 ajánlat) 
Kettős P-csatornás MOSFET, Diodes Inc.
Diodes
DMPH6050SPD-13
kezdő: HUF 3 748,30*
10 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 33,2 A, 60 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 33,2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerDI5060-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális n...
Diodes
DMTH6016LPD-13
kezdő: HUF 373 567,00*
2 500 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 33,2 A, 60 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 (1 ajánlat) 
A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is minimális legyen az ellenállás (RDS(BE)), de kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így nagy hatékonyságú energiagazdálkodási alkalmazáso...
Diodes
DMTH6016LPD-13
kezdő: HUF 2 622,10*
10 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 5,2 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC DMP (2 ajánlat) 
Kettős P-csatornás MOSFET, Diodes Inc.
Diodes
DMPH6050SSD-13
kezdő: HUF 154,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 5,2 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC DMP (1 ajánlat) 
Kettős P-csatornás MOSFET, Diodes Inc.
Diodes
DMPH6050SSD-13
kezdő: HUF 2 077,20*
10 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 7,6 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC DMT (2 ajánlat) 
Két N-csatornás MOSFET, Diodes Inc.
Diodes
DMTH6016LSD-13
kezdő: HUF 147,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 7,6 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC DMT (1 ajánlat) 
Két N-csatornás MOSFET, Diodes Inc.
Diodes
DMTH6016LSD-13
kezdő: HUF 2 119,90*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP (1 ajánlat) 
Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Diodes
DMT10H4M9LPSW-13
kezdő: HUF 832 047,50*
2 500 db-ként
 
 csomag
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP (1 ajánlat) 
Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Diodes
DMT10H4M9LPSW-13
kezdő: HUF 529,00*
db-ként
 
 db
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP (1 ajánlat) 
Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Diodes
DMT10H4M9SPSW-13
kezdő: HUF 820 821,50*
2 500 db-ként
 
 csomag
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP (1 ajánlat) 
Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Diodes
DMT10H4M9SPSW-13
kezdő: HUF 523,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-323 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMG1012UW-7
kezdő: HUF 19,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-323 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMG1012UW-7
kezdő: HUF 1 085,00*
100 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 20 V, 3-tüskés, X2-DFN1006 Egyszeres (1 ajánlat) 
Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy az alacsony teljesítményszintet (RDS(BE)) is minimalizálják, és kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtanak, így ideális a nagy hatásfokú teljesít...
Diodes
DMN2450UFB4-7R
kezdő: HUF 32 294,01*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 20 V, 3-tüskés, X2-DFN1006 Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 1 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = X2-DFN1006 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő f...
Diodes
DMN2450UFB4-7R
kezdő: HUF 15,90*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 30 V, 6-tüskés, SOT-363 DMN3190LDWQ (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 1 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = DMN3190LDWQ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő forrás...
Diodes
DMN3190LDWQ-7
kezdő: HUF 153,445*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 30 V, 6-tüskés, SOT-363 DMN3190LDWQ (1 ajánlat) 
A DiodesZetex DMN3190LDWQ sorozatú MOSFET-et úgy tervezték, hogy megfeleljen az autóipari alkalmazások szigorú követelményeinek.Alacsony bemeneti kapacitás Gyors kapcsolási sebesség
Diodes
DMN3190LDWQ-7
kezdő: HUF 97,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZVN4206GTA
kezdő: HUF 129,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZVN4206GTA
kezdő: HUF 143 222,00*
1 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 1,1 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZXM61P03FTA
kezdő: HUF 177 632,01*
3 000 db-ként
 
 csomag
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   23   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.