Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (1 123 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☑
☐
☐
Kép
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres (2 ajánlat) 
Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy a rendszer minimalizálja az állapot állóságát (RDS(on)), és kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatékonyságú energiagaz...
2
Diodes
DMN6069SE-13
kezdő: HUF 59,00*
db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 Egyszeres (1 ajánlat) 
Ez az új generációs N-Channel Enhancement Mode MOSFET célja az RDS(BE) minimálisra csökkentése, ugyanakkor kiemelkedő kapcsolási teljesítmény fenntartása.Névleges +175 °C-os - ideális magas Környez...
1
Diodes
DMTH43M8LPS-13
kezdő: HUF 120,00*
db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PowerDI5060-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális ny...
1
Diodes
DMTH43M8LPS-13
kezdő: HUF 2 050,70*
10 db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 12,2 A, 12 V, 6-tüskés, U-DFN2020 Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12,2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 12 V Csomag típusa = U-DFN2020 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő...
2
Diodes
DMN1008UFDF-7
kezdő: HUF 32,00*
db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 12,2 A, 12 V, 6-tüskés, U-DFN2020 Egyszeres (1 ajánlat) 
A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is (RDS(ON)) alacsony ellenállással rendelkezzen, és mégis kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatásfokú teljesítményk...
1
Diodes
DMN1008UFDF-7
kezdő: HUF 1 582,50*
50 db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 30 V, 8-tüskés, TSSOP Egyszeres (1 ajánlat) 
A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is (RDS(ON)) alacsony ellenállással rendelkezzen, és mégis kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatásfokú teljesítményk...
1
Diodes
DMN3020UTS-13
kezdő: HUF 47,00*
db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 30 V, 8-tüskés, TSSOP Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = TSSOP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...
1
Diodes
DMN3020UTS-13
kezdő: HUF 3 934,00*
25 db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 40 V, 3-tüskés, TO-220AB DMN Egyszeres (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve
1
Diodes
DMNH4005SCT
kezdő: HUF 29 023,20*
50 db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 40 V, 3-tüskés, TO-220AB DMN Egyszeres (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve
1
Diodes
DMNH4005SCT
kezdő: HUF 2 848,20*
5 db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrá...
1
Diodes
DMG3415U-7-57
kezdő: HUF 79 005,00*
3 000 db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat) 
Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy az alacsony teljesítményszintet (RDS(BE)) is minimalizálják, és kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtanak, így ideális a nagy hatásfokú teljesít...
1
Diodes
DMG3415U-7-57
kezdő: HUF 2 549,90*
100 db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 4,6 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...
1
Diodes
DMN2058UW-7
kezdő: HUF 58 926,00*
3 000 db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 4,6 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat) 
Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy az alacsony teljesítményszintet (RDS(BE)) is minimalizálják, és kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtanak, így ideális a nagy hatásfokú teljesít...
1
Diodes
DMN2058UW-7
kezdő: HUF 2 118,30*
100 db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 46,3 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 46,3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális ...
1
Diodes
DMTH10H025SK3-13
kezdő: HUF 91,00*
db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 46,3 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Az új generációs MOSFET-ek alacsony ellenállással és gyors átkapcsolással rendelkeznek, így ideálisan használható nagy hatásfokú teljesítménykezelő alkalmazásokhoz.100%-Osan Kifeszített Induktív Ka...
1
Diodes
DMTH10H025SK3-13
kezdő: HUF 928,90*
10 db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   75   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.