Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (301 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Vissza a szűrő-áttekintéshez
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 1000 V, 3-tüskés, ISOPLUS247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFR15N100Q3
kezdő: HUF 5 507,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 1000 V, 3-tüskés, ISOPLUS247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFR15N100Q3
kezdő: HUF 5 222,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220 HiperFET, Polar Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFP10N80P
kezdő: HUF 1 237,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFP10N80P
kezdő: HUF 1 447,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 650 V, 3-tüskés, TO-264P HiperFET, X2-Class Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiPerFET™ X2 sorozat. Az IXYS X2 osztályú HiPerFET Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöl...
IXYS
IXFK100N65X2
kezdő: HUF 4 672,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 650 V, 3-tüskés, TO-264P HiperFET, X2-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiPerFET™ X2 sorozat. Az IXYS X2 osztályú HiPerFET Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöl...
IXYS
IXFK100N65X2
kezdő: HUF 5 632,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 650 V, 3-tüskés, TO-264P X2-Class Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS X2-osztályú sorozat. Az IXYS X2 osztályú Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöltéssel ren...
IXYS
IXTK102N65X2
kezdő: HUF 4 883,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 650 V, 3-tüskés, TO-264P X2-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS X2-osztályú sorozat. Az IXYS X2 osztályú Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöltéssel ren...
IXYS
IXTK102N65X2
kezdő: HUF 4 816,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 30 V, 8-tüskés, SO-8 IRF7424PbF Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 11 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = IRF7424PbF Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...
International Rectifier
IRF7424TRPBF
kezdő: HUF 180,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 30 V, 8-tüskés, SO-8 IRF7424PbF Egyszeres (1 ajánlat) 
A Infineon IRF7424 egy 30 V-os, P-csatornás HEXFET teljesítmény MOSFET, SO-8 tokozásban. Az SO-8-t testre szabott ólomkeret módosította a továbbfejlesztett termikus jellemzők és a többlapos képessé...
International Rectifier
IRF7424TRPBF
kezdő: HUF 3 108,90*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFH110N10P
kezdő: HUF 1 644,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFH110N10P
kezdő: HUF 1 645,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 250 V, 3-tüskés, TO-247 Trench (2 ajánlat) 
N-csatornás Trench-Gate MOSFET, IXYS. Árajtó Mosfet Technológia Alacsony Bekapcsolt Állapot RDS(be) Zavartűrés felsőbbrendű lavinánál
IXYS
IXTH110N25T
kezdő: HUF 2 143,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 250 V, 3-tüskés, TO-247 Trench (1 ajánlat) 
N-csatornás Trench-Gate MOSFET, IXYS. Árajtó Mosfet Technológia Alacsony Bekapcsolt Állapot RDS(be) Zavartűrés felsőbbrendű lavinánál
IXYS
IXTH110N25T
kezdő: HUF 72 313,50*
30 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 600 V, 3-tüskés, PLUS264 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFB110N60P3
kezdő: HUF 6 449,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   21   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.