Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (277 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 1000 V, 3-tüskés, ISOPLUS247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFR15N100Q3
kezdő: HUF 5 505,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 1000 V, 3-tüskés, ISOPLUS247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFR15N100Q3
kezdő: HUF 5 206,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220 HiperFET, Polar Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFP10N80P
kezdő: HUF 1 239,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFP10N80P
kezdő: HUF 1 447,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 650 V, 3-tüskés, TO-264P HiperFET, X2-Class Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiPerFET™ X2 sorozat. Az IXYS X2 osztályú HiPerFET Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöl...
IXYS
IXFK100N65X2
kezdő: HUF 4 695,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 650 V, 3-tüskés, TO-264P HiperFET, X2-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiPerFET™ X2 sorozat. Az IXYS X2 osztályú HiPerFET Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöl...
IXYS
IXFK100N65X2
kezdő: HUF 5 629,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 650 V, 3-tüskés, TO-264P X2-Class Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS X2-osztályú sorozat. Az IXYS X2 osztályú Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöltéssel ren...
IXYS
IXTK102N65X2
kezdő: HUF 4 885,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 650 V, 3-tüskés, TO-264P X2-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS X2-osztályú sorozat. Az IXYS X2 osztályú Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöltéssel ren...
IXYS
IXTK102N65X2
kezdő: HUF 4 829,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 30 V, 8-tüskés, SO-8 IRF7424PbF Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 11 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = IRF7424PbF Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...
International Rectifier
IRF7424TRPBF
kezdő: HUF 179,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 30 V, 8-tüskés, SO-8 IRF7424PbF Egyszeres (1 ajánlat) 
A Infineon IRF7424 egy 30 V-os, P-csatornás HEXFET teljesítmény MOSFET, SO-8 tokozásban. Az SO-8-t testre szabott ólomkeret módosította a továbbfejlesztett termikus jellemzők és a többlapos képessé...
International Rectifier
IRF7424TRPBF
kezdő: HUF 3 090,90*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFH110N10P
kezdő: HUF 1 645,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFH110N10P
kezdő: HUF 1 645,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 250 V, 3-tüskés, TO-247 Trench (2 ajánlat) 
N-csatornás Trench-Gate MOSFET, IXYS. Árajtó Mosfet Technológia Alacsony Bekapcsolt Állapot RDS(be) Zavartűrés felsőbbrendű lavinánál
IXYS
IXTH110N25T
kezdő: HUF 2 145,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 250 V, 3-tüskés, TO-247 Trench (1 ajánlat) 
N-csatornás Trench-Gate MOSFET, IXYS. Árajtó Mosfet Technológia Alacsony Bekapcsolt Állapot RDS(be) Zavartűrés felsőbbrendű lavinánál
IXYS
IXTH110N25T
kezdő: HUF 72 421,50*
30 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 600 V, 3-tüskés, PLUS264 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFB110N60P3
kezdő: HUF 6 459,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 600 V, 3-tüskés, PLUS264 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFB110N60P3
kezdő: HUF 5 935,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 850 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres (3 ajánlat) 
A 850V Ultra-Junction X-osztályú, gyors testdiódákkal ellátott teljesítmény MOSFET-ek az IXYS Corporation új, nagy teljesítményű félvezető terméksorozatának tagjai. Ezek az erős eszközök mutatják a...
IXYS
IXFN110N85X
kezdő: HUF 20 691,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 850 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 110 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Csomag típusa = SOT-227 Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forr...
IXYS
IXFN110N85X
kezdő: HUF 19 714,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 112 A, 500 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFN132N50P3
kezdő: HUF 10 699,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 112 A, 500 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFN132N50P3
kezdő: HUF 10 445,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 115 A, 200 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN140N20P
kezdő: HUF 6 075,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 115 A, 200 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN140N20P
kezdő: HUF 59 535,70*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 115 A, 300 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN140N30P
kezdő: HUF 9 271,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 115 A, 300 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN140N30P
kezdő: HUF 108 112,50*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-247 Linear Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N csatornás MOSFET, IXYS lineáris sorozat. N-Channel Power MOSFET-ek kifejezetten lineáris használatra tervezve. Ezek az eszközök kiterjesztett előremeneti érzékenység Biztonságos Működési területt...
IXYS
IXTH12N100L
kezdő: HUF 5 837,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-247 Linear Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N csatornás MOSFET, IXYS lineáris sorozat. N-Channel Power MOSFET-ek kifejezetten lineáris használatra tervezve. Ezek az eszközök kiterjesztett előremeneti érzékenység Biztonságos Működési területt...
IXYS
IXTH12N100L
kezdő: HUF 5 347,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220 HiperFET, Polar Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFP12N50P
kezdő: HUF 787,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFP12N50P
kezdő: HUF 4 821,20*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 X2-Class Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS X2-osztályú sorozat. Az IXYS X2 osztályú Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöltéssel ren...
IXYS
IXTH12N65X2
kezdő: HUF 1 053,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 X2-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS X2-osztályú sorozat. Az IXYS X2 osztályú Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöltéssel ren...
IXYS
IXTH12N65X2
kezdő: HUF 2 324,90*
2 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 150 V, 3-tüskés, TO-247AD HiperFET, Polar Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFH120N15P
kezdő: HUF 2 137,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 150 V, 3-tüskés, TO-247AD HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFH120N15P
kezdő: HUF 2 459,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 200 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFH120N20P
kezdő: HUF 2 987,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 200 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFH120N20P
kezdő: HUF 3 078,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 300 V, 3-tüskés, PLUS247 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFX120N30P3
kezdő: HUF 4 372,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 300 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFK120N30P3
kezdő: HUF 4 389,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 300 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFK120N30P3
kezdő: HUF 5 202,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 650 V, 3-tüskés, PLUS247 X2-Class Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS X2-osztályú sorozat. Az IXYS X2 osztályú Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöltéssel ren...
IXYS
IXTX120N65X2
kezdő: HUF 6 400,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 650 V, 3-tüskés, PLUS247 X2-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS X2-osztályú sorozat. Az IXYS X2 osztályú Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöltéssel ren...
IXYS
IXTX120N65X2
kezdő: HUF 6 164,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 650 V, 3-tüskés, TO-264P HiperFET Egyszeres (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiPerFET™ X2 sorozat. Az IXYS X2 osztályú HiPerFET Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöl...
IXYS
IXFK120N65X2
kezdő: HUF 6 555,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 650 V, 3-tüskés, TO-264P X2-Class Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS X2-osztályú sorozat. Az IXYS X2 osztályú Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöltéssel ren...
IXYS
IXTK120N65X2
kezdő: HUF 6 441,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 650 V, 3-tüskés, TO-264P X2-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS X2-osztályú sorozat. Az IXYS X2 osztályú Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöltéssel ren...
IXYS
IXTK120N65X2
kezdő: HUF 7 006,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 132 A, 250 V, 24-tüskés, SMPD GigaMOS, HiperFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ sorozat
IXYS
MMIX1F180N25T
kezdő: HUF 13 638,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 132 A, 250 V, 24-tüskés, SMPD GigaMOS, HiperFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ sorozat
IXYS
MMIX1F180N25T
kezdő: HUF 11 746,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 132 A, 500 V, 3-tüskés, PLUS264 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFB132N50P3
kezdő: HUF 6 594,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 132 A, 500 V, 3-tüskés, PLUS264 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFB132N50P3
kezdő: HUF 114 738,70*
25 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFP14N60P3
kezdő: HUF 19 581,70*
50 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFP14N60P3
kezdő: HUF 3 577,70*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFH14N60P
kezdő: HUF 1 149,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 145 A, 650 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres (3 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 145 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = HiperFET Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásell...
IXYS
IXFN150N65X2
kezdő: HUF 15 261,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 145 A, 650 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres (1 ajánlat) 
Alacsony RDS(ON) és Qg Gyors testdióda dv/dt tartósság Minősített lavinahatás Alacsony csomaginduktivitás Nemzetközi szabványnak megfelelő csomagolás Rezonáns mód tápellátás Nagy intenzitású kisülé...
IXYS
IXFN150N65X2
kezdő: HUF 13 459,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Q-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFH15N100Q3
kezdő: HUF 151 289,8002*
30 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFH15N100Q3
kezdő: HUF 4 591,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 150 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN180N15P
kezdő: HUF 7 581,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 150 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN180N15P
kezdő: HUF 78 777,60*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 300 V, 3-tüskés, PLUS247 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFX150N30P3
kezdő: HUF 5 576,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 300 V, 3-tüskés, PLUS247 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFX150N30P3
kezdő: HUF 6 905,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 300 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFK150N30P3
kezdő: HUF 6 166,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 300 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFK150N30P3
kezdő: HUF 5 874,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFH16N50P
kezdő: HUF 1 148,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFH16N50P
kezdő: HUF 47 364,30*
30 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFH16N50P3
kezdő: HUF 1 359,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 170 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFH170N10P
kezdő: HUF 3 255,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 170 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFH170N10P
kezdő: HUF 2 610,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 170 A, 650 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 170 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = HiperFET Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásell...
IXYS
IXFN170N65X2
kezdő: HUF 15 364,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 170 A, 650 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres (1 ajánlat) 
Alacsony RDS(ON) és Qg Gyors testdióda dv/dt tartósság Minősített lavinahatás Alacsony csomaginduktivitás Nemzetközi szabványnak megfelelő csomagolás Rezonáns mód tápellátás Nagy intenzitású kisülé...
IXYS
IXFN170N65X2
kezdő: HUF 14 606,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 178 A, 100 V, 4-tüskés, SOT-227 Linear L2 (2 ajánlat) 
N csatornás MOSFET, IXYS lineáris sorozat. N-Channel Power MOSFET-ek kifejezetten lineáris használatra tervezve. Ezek az eszközök kiterjesztett előremeneti érzékenység Biztonságos Működési területt...
IXYS
IXTN200N10L2
kezdő: HUF 14 658,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 178 A, 100 V, 4-tüskés, SOT-227 Linear L2 (1 ajánlat) 
N csatornás MOSFET, IXYS lineáris sorozat. N-Channel Power MOSFET-ek kifejezetten lineáris használatra tervezve. Ezek az eszközök kiterjesztett előremeneti érzékenység Biztonságos Működési területt...
IXYS
IXTN200N10L2
kezdő: HUF 169 509,60*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 1000 V, 3-tüskés, ISOPLUS247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFR24N100Q3
kezdő: HUF 8 565,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 1000 V, 3-tüskés, ISOPLUS247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFR24N100Q3
kezdő: HUF 8 464,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFH18N100Q3
kezdő: HUF 5 054,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFH18N100Q3
kezdő: HUF 4 986,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-268 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFT18N100Q3
kezdő: HUF 5 662,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 192 A, 300 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFN210N30P3
kezdő: HUF 13 568,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 192 A, 300 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFN210N30P3
kezdő: HUF 14 698,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 2 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 X2-Class Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS X2-osztályú sorozat. Az IXYS X2 osztályú Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöltéssel ren...
IXYS
IXTP2N65X2
kezdő: HUF 486,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFH20N50P3
kezdő: HUF 1 371,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 200 A, 100 V, 4-tüskés, SOT-227 Polar HiPerFET (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN200N10P
kezdő: HUF 7 588,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 200 A, 100 V, 4-tüskés, SOT-227 Polar HiPerFET (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN200N10P
kezdő: HUF 93 844,10*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 210 A, 300 V, 3-tüskés, PLUS264 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFB210N30P3
kezdő: HUF 5 965,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 210 A, 300 V, 3-tüskés, PLUS264 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFB210N30P3
kezdő: HUF 147 699,60*
25 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 22 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-264 Linear Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N csatornás MOSFET, IXYS lineáris sorozat. N-Channel Power MOSFET-ek kifejezetten lineáris használatra tervezve. Ezek az eszközök kiterjesztett előremeneti érzékenység Biztonságos Működési területt...
IXYS
IXTK22N100L
kezdő: HUF 13 224,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 22 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-264 Linear Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N csatornás MOSFET, IXYS lineáris sorozat. N-Channel Power MOSFET-ek kifejezetten lineáris használatra tervezve. Ezek az eszközök kiterjesztett előremeneti érzékenység Biztonságos Működési területt...
IXYS
IXTK22N100L
kezdő: HUF 14 602,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 22 A, 1000 V, 4-tüskés, SOT-227 Linear Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N csatornás MOSFET, IXYS lineáris sorozat. N-Channel Power MOSFET-ek kifejezetten lineáris használatra tervezve. Ezek az eszközök kiterjesztett előremeneti érzékenység Biztonságos Működési területt...
IXYS
IXTN22N100L
kezdő: HUF 17 254,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 22 A, 1000 V, 4-tüskés, SOT-227 Linear Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N csatornás MOSFET, IXYS lineáris sorozat. N-Channel Power MOSFET-ek kifejezetten lineáris használatra tervezve. Ezek az eszközök kiterjesztett előremeneti érzékenység Biztonságos Működési területt...
IXYS
IXTN22N100L
kezdő: HUF 15 112,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 22 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220AB HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFP22N60P3
kezdő: HUF 1 160,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 22 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220AB HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFP22N60P3
kezdő: HUF 1 746,10*
2 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 22 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFH22N60P3
kezdő: HUF 1 474,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 22 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFH22N60P3
kezdő: HUF 4 132,90*
2 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 22 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HiperFET, X2-Class Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiPerFET™ X2 sorozat. Az IXYS X2 osztályú HiPerFET Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöl...
IXYS
IXFA22N65X2
kezdő: HUF 1 155,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 22 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HiperFET, X2-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiPerFET™ X2 sorozat. Az IXYS X2 osztályú HiPerFET Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöl...
IXYS
IXFA22N65X2
kezdő: HUF 3 430,90*
2 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 1000 V, 3-tüskés, PLUS247 HiperFET, Q-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFX24N100Q3
kezdő: HUF 254 912,40*
30 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 1000 V, 3-tüskés, PLUS247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFX24N100Q3
kezdő: HUF 7 432,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFK24N100Q3
kezdő: HUF 7 495,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFK24N100Q3
kezdő: HUF 6 790,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 1000 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ sorozat
IXYS
IXFN24N100
kezdő: HUF 13 514,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 1000 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ sorozat
IXYS
IXFN24N100
kezdő: HUF 12 414,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 800 V, 3-tüskés, TO-247AD HiperFET, Polar Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFH24N80P
kezdő: HUF 2 780,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 800 V, 3-tüskés, TO-247AD HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFH24N80P
kezdő: HUF 102 763,6002*
30 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 800 V, 3-tüskés, ISOPLUS247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFR44N80P
kezdő: HUF 5 818,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: 1   2   3   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.