MOSFET-ek International Rectifier IXYS a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Összehasonlító ár

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 1000 V, 3-tüskés, ISOPLUS247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...

IXYS

IXFR15N100Q3

kezdő: HUF 5 505,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 1000 V, 3-tüskés, ISOPLUS247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (1 ajánlat)

IXYS

IXFR15N100Q3

kezdő: HUF 5 206,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220 HiperFET, Polar Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFP10N80P

kezdő: HUF 1 239,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFP10N80P

kezdő: HUF 1 447,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 650 V, 3-tüskés, TO-264P HiperFET, X2-Class Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiPerFET™ X2 sorozat. Az IXYS X2 osztályú HiPerFET Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöl...

IXYS

IXFK100N65X2

kezdő: HUF 4 695,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 650 V, 3-tüskés, TO-264P HiperFET, X2-Class Egyszeres Si (1 ajánlat)

IXYS

IXFK100N65X2

kezdő: HUF 5 629,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 650 V, 3-tüskés, TO-264P X2-Class Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS X2-osztályú sorozat. Az IXYS X2 osztályú Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöltéssel ren...

IXYS

IXTK102N65X2

kezdő: HUF 4 885,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 650 V, 3-tüskés, TO-264P X2-Class Egyszeres Si (1 ajánlat)

IXYS

IXTK102N65X2

kezdő: HUF 4 829,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 30 V, 8-tüskés, SO-8 IRF7424PbF Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 11 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = IRF7424PbF Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...

International Rectifier

IRF7424TRPBF

kezdő: HUF 179,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 30 V, 8-tüskés, SO-8 IRF7424PbF Egyszeres (1 ajánlat)

A Infineon IRF7424 egy 30 V-os, P-csatornás HEXFET teljesítmény MOSFET, SO-8 tokozásban. Az SO-8-t testre szabott ólomkeret módosította a továbbfejlesztett termikus jellemzők és a többlapos képessé...

International Rectifier

IRF7424TRPBF

kezdő: HUF 309,09*
db-ként

kezdő: HUF 3 090,90*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFH110N10P

kezdő: HUF 1 645,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFH110N10P

kezdő: HUF 1 645,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 250 V, 3-tüskés, TO-247 Trench (2 ajánlat)

N-csatornás Trench-Gate MOSFET, IXYS. Árajtó Mosfet Technológia Alacsony Bekapcsolt Állapot RDS(be) Zavartűrés felsőbbrendű lavinánál

IXYS

IXTH110N25T

kezdő: HUF 2 145,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 250 V, 3-tüskés, TO-247 Trench (1 ajánlat)

N-csatornás Trench-Gate MOSFET, IXYS. Árajtó Mosfet Technológia Alacsony Bekapcsolt Állapot RDS(be) Zavartűrés felsőbbrendű lavinánál

IXYS

IXTH110N25T

kezdő: HUF 2 414,05*
db-ként

kezdő: HUF 72 421,50*
30 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 600 V, 3-tüskés, PLUS264 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)

IXYS

IXFB110N60P3

kezdő: HUF 6 459,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .. 19 előre

MOSFET-ek (277 cikk)