Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (2 368 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
MOSFET, 1 elem/chip, 22 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HiperFET, X2-Class Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiPerFET™ X2 sorozat. Az IXYS X2 osztályú HiPerFET Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöl...
IXYS
IXFA22N65X2
kezdő: HUF 1 149,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 22 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HiperFET, X2-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiPerFET™ X2 sorozat. Az IXYS X2 osztályú HiPerFET Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöl...
IXYS
IXFA22N65X2
kezdő: HUF 3 458,90*
2 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 250 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HiperFET Egyszeres (3 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 80 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 250 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális n...
IXYS
IXFA80N25X3
kezdő: HUF 2 047,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 250 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HiperFET Egyszeres (1 ajánlat) 
Legalacsonyabb ellenállás RDS(ON) és kapu töltés Qg Gyors lágy visszaállású dióda dv/dt tartósság Kitűnő lavinahatás Nemzetközi szabványnak megfelelő csomagolás Akkumulátortöltők könnyű elektromos ...
IXYS
IXFA80N25X3
kezdő: HUF 2 503,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 600 V, 3-tüskés, PLUS264 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFB110N60P3
kezdő: HUF 6 332,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 600 V, 3-tüskés, PLUS264 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFB110N60P3
kezdő: HUF 5 956,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 132 A, 500 V, 3-tüskés, PLUS264 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFB132N50P3
kezdő: HUF 6 530,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 132 A, 500 V, 3-tüskés, PLUS264 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFB132N50P3
kezdő: HUF 114 906,70*
25 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 210 A, 300 V, 3-tüskés, PLUS264 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFB210N30P3
kezdő: HUF 8 072,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 210 A, 300 V, 3-tüskés, PLUS264 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFB210N30P3
kezdő: HUF 237 497,60*
25 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 82 A, 600 V, 3-tüskés, PLUS264 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFB82N60Q3
kezdő: HUF 11 862,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 82 A, 600 V, 3-tüskés, PLUS264 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFB82N60Q3
kezdő: HUF 12 247,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 850 V, 3-tüskés, PLUS264 HiperFET Egyszeres (3 ajánlat) 
A 850V Ultra-Junction X-osztályú, gyors testdiódákkal ellátott teljesítmény MOSFET-ek az IXYS Corporation új, nagy teljesítményű félvezető terméksorozatának tagjai. Ezek az erős eszközök mutatják a...
IXYS
IXFB90N85X
kezdő: HUF 11 043,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 850 V, 3-tüskés, PLUS264 HiperFET Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 90 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Sorozat = HiperFET Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...
IXYS
IXFB90N85X
kezdő: HUF 12 036,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFH110N10P
kezdő: HUF 1 614,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   158   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.