MOSFET-ek IXYS a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (15/19 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 63 A, 500 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...

IXYS

IXFN80N50Q3

kezdő: HUF 14 759,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 170 A, 650 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 170 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = HiperFET Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásell...

IXYS

IXFN170N65X2

kezdő: HUF 14 964,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 22 A, 1000 V, 4-tüskés, SOT-227 Linear Egyszeres Si (1 ajánlat)

N csatornás MOSFET, IXYS lineáris sorozat. N-Channel Power MOSFET-ek kifejezetten lineáris használatra tervezve. Ezek az eszközök kiterjesztett előremeneti érzékenység Biztonságos Működési területt...

IXYS

IXTN22N100L

kezdő: HUF 15 098,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 145 A, 650 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres (3 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 145 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = HiperFET Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásell...

IXYS

IXFN150N65X2

kezdő: HUF 15 309,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 310 A, 150 V, 4-tüskés, SOT-227 GigaMOS TrenchT2 HiperFET (2 ajánlat)

N csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ sorozat

IXYS

IXFN360N15T2

kezdő: HUF 15 544,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 82 A, 500 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (1 ajánlat)

IXYS

IXFN100N50Q3

kezdő: HUF 15 646,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 38 A, 1000 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (1 ajánlat)

IXYS

IXFN44N100Q3

kezdő: HUF 15 885,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 850 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres (3 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 90 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Csomag típusa = SOT-227 Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrá...

IXYS

IXFN90N85X

kezdő: HUF 16 298,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 850 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres (1 ajánlat)

A 850V Ultra-Junction X-osztályú, gyors testdiódákkal ellátott teljesítmény MOSFET-ek az IXYS Corporation új, nagy teljesítményű félvezető terméksorozatának tagjai. Ezek az erős eszközök mutatják a...

IXYS

IXFN90N85X

kezdő: HUF 16 593,00*
db-ként