Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (273 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 250 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET Egyszeres (3 ajánlat) 
Legalacsonyabb ellenállás RDS(ON) és kapu töltés Qg Gyors lágy visszaállású dióda dv/dt tartósság Kitűnő lavinahatás Nemzetközi szabványnak megfelelő csomagolás Akkumulátortöltők könnyű elektromos ...
IXYS
IXFH80N25X3
kezdő: HUF 2 508,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 250 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 80 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 250 V Sorozat = HiperFET Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...
IXYS
IXFH80N25X3
kezdő: HUF 3 119,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 600 V, 3-tüskés, PLUS247 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFX80N60P3
kezdő: HUF 4 402,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 600 V, 3-tüskés, PLUS247 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFX80N60P3
kezdő: HUF 6 577,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET Egyszeres (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiPerFET™ X2 sorozat. Az IXYS X2 osztályú HiPerFET Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöl...
IXYS
IXFH80N65X2
kezdő: HUF 3 859,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 X2-Class Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS X2-osztályú sorozat. Az IXYS X2 osztályú Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöltéssel ren...
IXYS
IXTH80N65X2
kezdő: HUF 3 371,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 X2-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS X2-osztályú sorozat. Az IXYS X2 osztályú Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöltéssel ren...
IXYS
IXTH80N65X2
kezdő: HUF 4 442,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 82 A, 500 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFN100N50Q3
kezdő: HUF 18 104,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 82 A, 500 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFN100N50Q3
kezdő: HUF 15 680,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 82 A, 600 V, 3-tüskés, PLUS264 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFB82N60Q3
kezdő: HUF 12 129,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 82 A, 600 V, 3-tüskés, PLUS264 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFB82N60Q3
kezdő: HUF 12 248,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 86 A, 300 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN102N30P
kezdő: HUF 7 390,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 86 A, 300 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN102N30P
kezdő: HUF 8 335,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 88 A, 300 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFH88N30P
kezdő: HUF 3 873,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 88 A, 300 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFH88N30P
kezdő: HUF 115 521,00*
30 db-ként
 
 csomag
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.