MOSFET-ek onsemi Infineon ST Microelectronics a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (234/456 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

Infineon BSS83P tranzisztor 60 V (3 ajánlat)

Infineon

BSS83PH6327XTSA1

kezdő: HUF 28,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 330 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 SIPMOS® Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon SIGMOS® P-Channel MOSFET-ek. Az Infineon SIPMOS ;sup> ® ;/sup> kis Jel P- csatorna MOSFET-ek számos olyan funkciót kínálnak, amelyek között szerepelhet a kontrasztnövelés mód, a folyamatos...

Infineon

BSS83P

kezdő: HUF 42,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 331 A, 80 V, 8-tüskés, HSOF (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 331 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = HSOF Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növekm...

Infineon

IPT014N08NM5ATMA1

kezdő: HUF 1 474,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 333 A, 80 V, 8-tüskés, HSOF-8 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 333 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = HSOF-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma chipen...

Infineon

IPT013N08NM5LFATMA1

kezdő: HUF 1 244,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 333 A, 80 V, 8-tüskés, HSOF-8 (1 ajánlat)

Infineon

IPT013N08NM5LFATMA1

kezdő: HUF 1 865,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 337 A, 30 V, 8-tüskés, DFN NTMFS0D8N Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 337 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = NTMFS0D8N Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...

onsemi

NTMFS0D8N03CT1G

kezdő: HUF 280,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 337 A, 30 V, 8-tüskés, DFN NTMFS0D8N Si (1 ajánlat)

A teljesítmény MOSFET ON Semiconductor 30V-ja 337 A-t használt a leeresztőáramból egyetlen N−-csatornával. Javítja a pillanatnyi felügyeletet és javítja a rendszer hatékonyságát.Advanced csomag (5x...

onsemi

NTMFS0D8N03CT1G

kezdő: HUF 549,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 34 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 CoolSiC SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 34 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...

Infineon

AIMW120R080M1XKSA1

kezdő: HUF 875 762,3208*
240 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 34 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 CoolSiC SiC (1 ajánlat)

Infineon

AIMW120R080M1XKSA1

kezdő: HUF 3 900,00*
db-ként

Infineon IPB320N20N3 G tranzisztor 200 V (2 ajánlat)

Infineon

IPB320N20N3GATMA1

kezdő: HUF 508,00*
db-ként

Infineon IPP320N20N3 G tranzisztor 200 V (3 ajánlat)

Infineon

IPP320N20N3GXKSA1

kezdő: HUF 635,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 34 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220 OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött

Infineon

IPP320N20N3GXKSA1

kezdő: HUF 1 372,60*
2 db-ként

Infineon IRFH5020 tranzisztor 60 V (2 ajánlat)

Infineon

IRFH5020TRPBF

kezdő: HUF 1 321 036,00*
4 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 34 A, 200 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 HEXFET (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 34 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 200 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrásell...

Infineon

IRFH5020TRPBF

kezdő: HUF 502,00*
db-ként

Infineon IPW60R099P7 tranzisztor 650 V (1 ajánlat)

Infineon

IPW60R099P7XKSA1

kezdő: HUF 32 754,1002*
30 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 231 232 233 234 235 236 237 238 239 240 241 .. 456 előre

MOSFET-ek (6 833 cikk)