Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (6 853 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
SiC teljesítménymodul, 75 A, 1200 V, ACEPACK 2 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 75 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = ACEPACK 2 Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető
ST Microelectronics
A2F12M12W2-F1
kezdő: HUF 1 356 170,90004*
18 db-ként
 
 csomag
SiC teljesítménymodul, 75 A, 1200 V, ACEPACK 2 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 75 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = ACEPACK 2 Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető
ST Microelectronics
A2F12M12W2-F1
kezdő: HUF 75 355,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 75 A, 1200 V, ACEPACK 2 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 75 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = ACEPACK 2 Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető
ST Microelectronics
A2U12M12W2-F2
kezdő: HUF 1 360 094,70006*
18 db-ként
 
 csomag
SiC teljesítménymodul, 75 A, 1200 V, ACEPACK 2 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 75 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = ACEPACK 2 Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető
ST Microelectronics
A2U12M12W2-F2
kezdő: HUF 75 575,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 304 A, 1200 V, 36-tüskés, F2 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 304 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = F2 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 36 Maximális nyelő forr...
onsemi
NXH006P120MNF2PTG
kezdő: HUF 92 080,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 304 A, 1200 V, 36-tüskés, F2 SiC (1 ajánlat) 
The ON Semiconductor power module containing an 1200 V SiC MOSFET half−bridge and a thermistor in an F2 package. It is typically used in solar inverter, UPS, electrical vehicle charging stations an...
onsemi
NXH006P120MNF2PTG
kezdő: HUF 97 746,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 154 A, 900 V, F1–2PACK (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 154 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 900 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt
onsemi
NXH010P90MNF1PTG
kezdő: HUF 1 379 560,308*
28 db-ként
 
 csomag
SiC teljesítménymodul, 154 A, 900 V, F1–2PACK (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 154 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 900 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt
onsemi
NXH010P90MNF1PTG
kezdő: HUF 46 551,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 114 A, 1200 V, F1–2PACK (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 114 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt
onsemi
NXH010P120MNF1PTG
kezdő: HUF 1 345 977,00412*
28 db-ként
 
 csomag
SiC teljesítménymodul, 114 A, 1200 V, F1–2PACK (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 114 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt
onsemi
NXH010P120MNF1PTG
kezdő: HUF 45 430,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 55 A, 1200 V, 7-tüskés, H2PAK-7 SCTH50N120-7 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 55 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCTH50N120-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő fo...
ST Microelectronics
SCTH50N120-7
kezdő: HUF 15 058,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 3-tüskés, HiP247 SCTWA35N65G2V SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SCTWA35N65G2V Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...
ST Microelectronics
SCTWA35N65G2V
kezdő: HUF 3 937,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 3-tüskés, HiP247 SCTWA35N65G2V SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon card Power MOSFET technológiát az ST Advanced and innovative 2ngenerációs SIC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. A készülék rendkívül alacsony ellenállású egysé...
ST Microelectronics
SCTWA35N65G2V
kezdő: HUF 4 027,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCT30N120H SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...
ST Microelectronics
SCT30N120H
kezdő: HUF 5 536,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCT30N120H SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...
ST Microelectronics
SCT30N120H
kezdő: HUF 5 740,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres SiC (2 ajánlat) 
Csomag típusa = TO-220 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális teljesítménydisszipáció = 240 W Tranzisztorkonfiguráció = Egyszeres Maximális működési hőmérséklet = +175 °Cmm Magas...
onsemi
FFSP3065A
kezdő: HUF 1 439,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres SiC (1 ajánlat) 
A félvezető diódánAz ON Semiconductor TO-220-2L szilíciumkarbid (SIC) Schottky dióda a legújabb termék, amely teljesen új technológiát alkalmaz, amely kiváló kapcsolási teljesítményt és megbízhatós...
onsemi
FFSP3065A
kezdő: HUF 2 876,70*
2 db-ként
 
 csomag
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 16 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics autóipari osztályú szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET-EK a V-ellenálláshoz képest igen kis mértékben eltérő teljesítményt és szórást is megadnak hőmérséklet. Nagyon magas üze...
ST Microelectronics
SCT20N120AG
kezdő: HUF 4 859,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 16 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 16 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...
ST Microelectronics
SCT20N120AG
kezdő: HUF 4 631,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics autóipari osztályú szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET-EK a V-ellenálláshoz képest igen kis mértékben eltérő teljesítményt és szórást is megadnak hőmérséklet. Nagyon magas üze...
ST Microelectronics
SCT10N120AG
kezdő: HUF 2 512,90*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   343   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.