MOSFET-ek Infineon a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (148/277 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 4,5 A, 800 V, 5-tüskés, ThinPAK 5 x 6 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Csomag típusa = ThinPAK 5 x 6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Elemek szám...

Infineon

IPLK80R1K2P7ATMA1

kezdő: HUF 136,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,7 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 IMW1 Si (2 ajánlat)

A TO247-3 tokozású Infineon CoolSiC™ 350 V, 1200 m-es SIC MOSFET a csúcstechnológiás Trench Semiconductor folyamatra épül, amely a teljesítményt és a megbízhatóságot ötvözi. A hagyományos szilícium...

Infineon

IMW120R350M1HXKSA1

kezdő: HUF 1 076,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,7 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 IMW1 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = IMW1 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás ...

Infineon

IMW120R350M1HXKSA1

kezdő: HUF 1 075,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,7 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 IMZ1 Si (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = IMZ1 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás ...

Infineon

IMZ120R350M1HXKSA1

kezdő: HUF 1 035,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,7 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 IMZ1 Si (1 ajánlat)

A TO247-4 tokozású Infineon CoolSiC™ 350 V, 1200 m-es SIC MOSFET a csúcstechnológiás Trench Semiconductor folyamatra épül, amely a teljesítményt és a megbízhatóságot ötvözi. A hagyományos szilícium...

Infineon

IMZ120R350M1HXKSA1

kezdő: HUF 1 031,00*
db-ként

Infineon IPD50R1K4CE tranzisztor 900 V (1 ajánlat)

Infineon

IPD50R1K4CEAUMA1

kezdő: HUF 122 929,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,8 A, 500 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) CoolMOS™ CE Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 500 V Sorozat = CoolMOS™ CE Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...

Infineon

IPD50R1K4CEAUMA1

kezdő: HUF 103,00*
db-ként

Infineon IPN50R1K4CE tranzisztor 500 V (1 ajánlat)

Infineon

IPN50R1K4CEATMA1

kezdő: HUF 356,44*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,8 A, 550 V, 3-tüskés, SOT-223 CoolMOS™ CE (1 ajánlat)

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET

Infineon

IPN50R1K4CEATMA1

kezdő: HUF 130 189,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4.1 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 12 V - 25 V, Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokb...

Infineon

IRLML6246TRPBF

kezdő: HUF 851,20*
20 db-ként

Infineon IRF5210 tranzisztor 30 V (3 ajánlat)

Infineon

IRF5210PBF

kezdő: HUF 332,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET 100 V - 150 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumo...

Infineon

IRF5210PBF

kezdő: HUF 20 663,40*
50 db-ként

Infineon BSZ150N10LS3 G tranzisztor 200 V (1 ajánlat)

Infineon

BSZ150N10LS3GATMA1

kezdő: HUF 803,085*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 100 V, 8-tüskés, PQFN 3 x 3 OptiMOS™ 3 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = OptiMOS™ 3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...

Infineon

BSZ150N10LS3GATMA1

kezdő: HUF 162,00*
db-ként

Infineon IAUZ40N10S5N130 tranzisztor 100 V (1 ajánlat)

Infineon

IAUZ40N10S5N130ATMA1

kezdő: HUF 145,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 .. 277 előre

MOSFET-ek (4 152 cikk)