| | | | | | | Kép | | | | Megrendelés | | | |
|
|
kezdő: HUF 2 703,00* db-ként |
| |
|
Infineon BSD223PH6327XTSA1 |
kezdő: HUF 17,00* db-ként |
| |
MOSFET, 2 elem/chip, 390 mA, 20 V, 6-tüskés, SOT-363 (1 ajánlat) Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 390 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-363 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Elemek száma chip... |
Infineon BSD223PH6327XTSA1 |
kezdő: HUF 17,00* db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 1 118 344,00* 4 000 db-ként |
| |
MOSFET, 2 elem/chip, 4 A, 55 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET (1 ajánlat) Csatorna típusa = N, P Maximális folyamatos nyelőáram = 4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 55 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma chipenként = 2 |
|
kezdő: HUF 289,00* db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 123,00* db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 94,00* db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 2 226,10* 20 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 1 887,00* 20 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 156,00* db-ként |
| |
MOSFET, 2 elem/chip, 4,9 A, 6,5 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Izolált Si (1 ajánlat) Kettős N/P-csatornás MOSFET Infineon. Az Infineon kettős teljesítmény MOSFET-jei két HEXFET® eszközt integrálnak, hogy helytakarékos, költséghatékony kapcsolási megoldást nyújtsanak a nagy komponen... |
|
kezdő: HUF 3 496,60* 20 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 250,00* db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 380,00* db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 322 413,00* 2 000 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 161,00* db-ként |
| |
|