MOSFET-ek Infineon a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (154/279 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 41 A, 700 V, 4-tüskés, PG-VSON-4 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 41 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Csomag típusa = PG-VSON-4 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Csatorna mód = N...

Infineon

IPL65R230C7AUMA1

kezdő: HUF 740,00*
db-ként

Infineon IRF1310NS tranzisztor 150 V (3 ajánlat)

Infineon

IRF1310NSTRLPBF

kezdő: HUF 304,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 42 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Si (1 ajánlat)

A Infineon sorozat ötödik generációs HEXFET International Rectifier hasznosítani Advanced feldolgozási technikák elérése rendkívül alacsony ellenállás szilícium területen. Ez az előnyök, valamint a...

Infineon

IRF1310NSTRLPBF

kezdő: HUF 421,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 42 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...

Infineon

IRF1310NPBF

kezdő: HUF 343,00*
db-ként

Infineon IRF1310N tranzisztor 30 V (2 ajánlat)

Infineon

IRF1310NPBF

kezdő: HUF 268,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 42 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247AC HEXFET Egyszeres Si (3 ajánlat)

Infineon

IRFP150NPBF

kezdő: HUF 487,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 42 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247AC HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

IRFP150NPBF

kezdő: HUF 10 404,00*
25 db-ként

Infineon BSC160N10NS3 G tranzisztor 30 V (1 ajánlat)

Infineon

BSC160N10NS3GATMA1

kezdő: HUF 1 025 396,00*
5 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 42 A, 100 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 42 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = OptiMOS™ 3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...

Infineon

BSC160N10NS3G

kezdő: HUF 1 984,90*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 42 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 42 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...

Infineon

IRFR4104TRLPBF

kezdő: HUF 737 088,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 42 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Si (1 ajánlat)

A Infineon HEXFET teljesítmény MOSFET a legújabb feldolgozási technikákat használja a rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás eléréséhez szilíciumterületenként. További jellemzői ennek a ...

Infineon

IRFR4104TRLPBF

kezdő: HUF 378,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 42 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...

Infineon

IRLR2905TRPBF

kezdő: HUF 157,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 42 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

IRLR2905TRPBF

kezdő: HUF 361 160,00*
2 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 42 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Si (1 ajánlat)

A Infineon HEXFET teljesítmény MOSFET sorozat 55V maximális elvezető forrás feszültség Ez egy N-csatornás HEXFET teljesítmény MOSFET egy D-Pak csomag típus. A Infineon sorozat ötödik generációs HEX...

Infineon

IRLR2905TRLPBF

kezdő: HUF 230,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 42 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 42 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 55 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...

Infineon

IRLR2905TRLPBF

kezdő: HUF 263,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 .. 279 előre

MOSFET-ek (4 175 cikk)