MOSFET-ek Infineon a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (191/279 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 4,7 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 IMW1 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = IMW1 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás ...

Infineon

IMW120R350M1HXKSA1

kezdő: HUF 1 485,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,7 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 IMZ1 Si (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = IMZ1 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás ...

Infineon

IMZ120R350M1HXKSA1

kezdő: HUF 1 475,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,7 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 IMZ1 Si (1 ajánlat)

A TO247-4 tokozású Infineon CoolSiC™ 350 V, 1200 m-es SIC MOSFET a csúcstechnológiás Trench Semiconductor folyamatra épül, amely a teljesítményt és a megbízhatóságot ötvözi. A hagyományos szilícium...

Infineon

IMZ120R350M1HXKSA1

kezdő: HUF 1 419,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,8 A, 500 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) CoolMOS™ CE Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 500 V Sorozat = CoolMOS™ CE Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...

Infineon

IPD50R1K4CEAUMA1

kezdő: HUF 103,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,8 A, 550 V, 3-tüskés, SOT-223 CoolMOS™ CE (1 ajánlat)

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET

Infineon

IPN50R1K4CEATMA1

kezdő: HUF 158 280,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4.1 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 12 V - 25 V, Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokb...

Infineon

IRLML6246TRPBF

kezdő: HUF 879,30*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET 100 V - 150 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumo...

Infineon

IRF5210PBF

kezdő: HUF 20 791,40*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 100 V, 8-tüskés, PQFN 3 x 3 OptiMOS™ 3 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = OptiMOS™ 3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...

Infineon

BSZ150N10LS3GATMA1

kezdő: HUF 340,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 100 V, 8-tüskés, PQFN 3 x 3 OptiMOS™ 5 Szilikon (1 ajánlat)

A Infineon n csatorna normál szintje 175 °C üzemi hőmérséklet és 100% lavina teszttel rendelkezik. Mások mellett LED-es világításban és az erőátviteli rendszerrel kapcsolatos alkalmazásokban haszná...

Infineon

IAUZ40N10S5N130ATMA1

kezdő: HUF 262,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 100 V, 8-tüskés, PQFN 3 x 3 OptiMOS™ Si (1 ajánlat)

Az Infineon OptiMOS™ 5 teljesítmény MOSFET logikai szintje kiválóan alkalmas vezeték nélküli töltés, adapter és telekommunikációs alkalmazásokhoz. Az eszközök alacsony kapu-töltése (Q g) csökkenti ...

Infineon

BSZ146N10LS5ATMA1

kezdő: HUF 340,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 100 V, 8-tüskés, TSDSON OptiMOS™ 5 Egyszeres (1 ajánlat)

Az Infineon 100 V-os OptiMOS™ 5 teljesítmény MOSFET-jeinek legújabb generációja kimondottan távközlési és szervertápegységek szinkron-egyenirányítására készültek. Emellett ezek az eszközök egyéb ip...

Infineon

BSZ097N10NS5ATMA1

kezdő: HUF 3 077,80*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 100 V, 8-tüskés, TSDSON-8 FL (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TSDSON-8 FL Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma c...

Infineon

BSZ0803LSATMA1

kezdő: HUF 905 193,00*
5 000 db-ként