Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (4 155 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☑
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 8,8 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) SIPMOS® Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Infineon SIGMOS® P-Channel MOSFET-ek. Az Infineon SIPMOS ;sup> ® ;/sup> kis Jel P- csatorna MOSFET-ek számos olyan funkciót kínálnak, amelyek között szerepelhet a kontrasztnövelés mód, a folyamatos...
Infineon
SPD08P06P
kezdő: HUF 209,62*
db-ként
kezdő: HUF 2 096,20*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 8,8 A, 650 V, 3-tüskés, TO-252 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8,8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-252 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekményes...
Infineon
IPD60R1K0PFD7SAUMA1
kezdő: HUF 94,00*
db-ként
kezdő: HUF 94,00*
db-ként
 
 db
Infineon
SPD08P06PGBTMA1
kezdő: HUF 114,00*
db-ként
kezdő: HUF 114,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...
Infineon
IRF8010STRLPBF
kezdő: HUF 305,00*
db-ként
kezdő: HUF 305,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...
Infineon
IRF8010STRLPBF
kezdő: HUF 360,85975*
db-ként
kezdő: HUF 288 687,80*
800 db-ként
 
 csomag
Infineon
IPB083N10N3GATMA1
kezdő: HUF 260,00*
db-ként
kezdő: HUF 260,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött
Infineon
IPB083N10N3GATMA1
kezdő: HUF 537,088*
db-ként
kezdő: HUF 4 296,704*
8 db-ként
 
 csomag
Infineon
IPI086N10N3GXKSA1
kezdő: HUF 287,00*
db-ként
kezdő: HUF 287,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 100 V, 3-tüskés, I2PAK (TO-262) OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött
Infineon
IPI086N10N3GXKSA1
kezdő: HUF 206,14*
db-ként
kezdő: HUF 1 030,70*
5 db-ként
 
 csomag
Infineon
IPP072N10N3GXKSA1
kezdő: HUF 340,00*
db-ként
kezdő: HUF 340,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött
Infineon
IPP072N10N3 G
kezdő: HUF 728,20*
db-ként
kezdő: HUF 1 456,40*
2 db-ként
 
 csomag
Infineon
IPD050N10N5ATMA1
kezdő: HUF 409,15*
db-ként
kezdő: HUF 1 022 875,00*
2 500 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 100 V, 3-tüskés, TO-252 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 80 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-252 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chipen...
Infineon
IPD050N10N5ATMA1
kezdő: HUF 626,00*
db-ként
kezdő: HUF 626,00*
db-ként
 
 db
Infineon
IPD082N10N3GATMA1
kezdő: HUF 286,00*
db-ként
kezdő: HUF 286,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 100 V, 3-tüskés, TO-252 OptiMOS™ 3 Si (1 ajánlat) 
A Infineon 100V OptiMOS nagy teljesítményű MOSFET-EK kiváló megoldásokat kínálnak a nagy hatékonyságú, nagy teljesítménysűrűségű SMPS-ekhez. Az utána következő legjobb technológiával összehasonlítv...
Infineon
IPD082N10N3GATMA1
kezdő: HUF 342,00*
db-ként
kezdő: HUF 342,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   191   192   193   194   195   196   197   198   199   200   201   ..   277   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.