| | | | | | | Kép | | | | Megrendelés | | | |
|
Infineon IPW60R024CFD7XKSA1 |
kezdő: HUF 97 450,0002* 30 db-ként |
| |
|
Infineon IPW60R024CFD7XKSA1 |
kezdő: HUF 3 051,00* db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 2 790,00* db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 2 738,00* db-ként |
| |
|
Infineon BSD223PH6327XTSA1 |
kezdő: HUF 20,00* db-ként |
| |
MOSFET, 2 elem/chip, 390 mA, 20 V, 6-tüskés, SOT-363 (1 ajánlat) Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 390 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-363 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Elemek száma chip... |
Infineon BSD223PH6327XTSA1 |
kezdő: HUF 30,00* db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 1 122 254,00* 4 000 db-ként |
| |
MOSFET, 2 elem/chip, 4 A, 55 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET (1 ajánlat) Csatorna típusa = N, P Maximális folyamatos nyelőáram = 4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 55 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma chipenként = 2 |
|
kezdő: HUF 291,00* db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 86,00* db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 94,00* db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 2 263,10* 20 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 3 896,00* 20 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 156,00* db-ként |
| |
MOSFET, 2 elem/chip, 4,9 A, 6,5 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Izolált Si (1 ajánlat) Kettős N/P-csatornás MOSFET Infineon. Az Infineon kettős teljesítmény MOSFET-jei két HEXFET® eszközt integrálnak, hogy helytakarékos, költséghatékony kapcsolási megoldást nyújtsanak a nagy komponen... |
|
kezdő: HUF 3 522,60* 20 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 251,00* db-ként |
| |
|