Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (4 152 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 128 A, 75 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Si (1 ajánlat) 
A Infineon HEXFET sorozatú egyszeres N-csatornás teljesítmény MOSFET D2PAK (TO-263) típusú tokozással integrálva.Teljesen jellemzett kapacitás és lavina SOA Továbbfejlesztett test dióda DV/dt és di...
Infineon
IRFS3307ZTRRPBF
kezdő: HUF 628,00*
db-ként
Infineon IRF135S203 tranzisztor 100 V (2 ajánlat)
Infineon
IRF135S203
kezdő: HUF 589,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 129 A, 135 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET (1 ajánlat) 
StrongIRFET™ Power MOSFET Infineon. Az Infineon StrongIRFET családját alacsony R ;sub> DS ( ;/sub>be) és nagy áram teljesítményre optimalizálták. A portfólió továbbfejlesztett kaputechnológiát, lav...
Infineon
IRF135S203
kezdő: HUF 393 996,40*
800 db-ként
Infineon IRF135B203 tranzisztor 80 V (2 ajánlat)
Infineon
IRF135B203
kezdő: HUF 394,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 129 A, 135 V, 3-tüskés, TO-220 HEXFET (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 129 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 135 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekményes Eleme...
Infineon
IRF135B203
kezdő: HUF 392,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (3 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET 100 V - 150 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumo...
Infineon
IRFR5410TRPBF
kezdő: HUF 193,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET 100 V - 150 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumo...
Infineon
IRFR5410TRPBF
kezdő: HUF 7 402,90*
20 db-ként
Infineon IRFR5410 tranzisztor 30 V (2 ajánlat)
Infineon
IRFR5410TRLPBF
kezdő: HUF 109,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 13 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...
Infineon
IRFR5410TRLPBF
kezdő: HUF 334,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Szilikon (1 ajánlat) 
A Infineon p csatornás MOSFET a legújabb feldolgozási technikákat használja az alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás eléréséhez szilíciumterületenként. Ez az előny együtt a gyors kapcsolási sebes...
Infineon
AUIRFR5410TRL
kezdő: HUF 1 099 300,02*
3 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 13 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...
Infineon
AUIRFR5410TRL
kezdő: HUF 377,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 IMW1 Si (2 ajánlat) 
A TO247-3 tokozású Infineon CoolSiC™ 220 V, 1200 m-es SIC MOSFET a csúcstechnológiás Trench Semiconductor folyamatra épül, amely a teljesítményt és a megbízhatóságot ötvözi. A hagyományos szilícium...
Infineon
IMW120R220M1HXKSA1
kezdő: HUF 1 059,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 IMW1 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 13 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...
Infineon
IMW120R220M1HXKSA1
kezdő: HUF 1 057,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 IMZ1 Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 13 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = IMZ1 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás =...
Infineon
IMZ120R220M1HXKSA1
kezdő: HUF 1 174,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 IMZ1 Si (1 ajánlat) 
A TO247-4 tokozású Infineon CoolSSIC™ MOSFET 1200 V, 220, a csúcstechnológiás Trench Semiconductor folyamatra épül, amely a teljesítményt és a megbízhatóságot ötvözi. A hagyományos szilícium (Si) a...
Infineon
IMZ120R220M1HXKSA1
kezdő: HUF 1 175,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   61   62   63   64   65   66   67   68   69   70   71   ..   277   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.