Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (4 183 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
Infineon IRF135S203 tranzisztor 100 V (2 ajánlat)
Infineon
IRF135S203
kezdő: HUF 584,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 129 A, 135 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET (1 ajánlat) 
StrongIRFET™ Power MOSFET Infineon. Az Infineon StrongIRFET családját alacsony R ;sub> DS ( ;/sub>be) és nagy áram teljesítményre optimalizálták. A portfólió továbbfejlesztett kaputechnológiát, lav...
Infineon
IRF135S203
kezdő: HUF 428 316,80*
800 db-ként
 
 csomag
Infineon IRF135B203 tranzisztor 80 V (2 ajánlat)
Infineon
IRF135B203
kezdő: HUF 539,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 129 A, 135 V, 3-tüskés, TO-220 HEXFET (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 129 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 135 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekményes Eleme...
Infineon
IRF135B203
kezdő: HUF 705,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (3 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET 100 V - 150 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumo...
Infineon
IRFR5410TRPBF
kezdő: HUF 193,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET 100 V - 150 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumo...
Infineon
IRFR5410TRPBF
kezdő: HUF 7 418,90*
20 db-ként
 
 csomag
Infineon IRFR5410 tranzisztor 30 V (2 ajánlat)
Infineon
IRFR5410TRLPBF
kezdő: HUF 268,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 13 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...
Infineon
IRFR5410TRLPBF
kezdő: HUF 335,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Szilikon (1 ajánlat) 
A Infineon p csatornás MOSFET a legújabb feldolgozási technikákat használja az alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás eléréséhez szilíciumterületenként. Ez az előny együtt a gyors kapcsolási sebes...
Infineon
AUIRFR5410TRL
kezdő: HUF 1 432 484,01*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 13 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...
Infineon
AUIRFR5410TRL
kezdő: HUF 631,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 IMW1 Si (2 ajánlat) 
A TO247-3 tokozású Infineon CoolSiC™ 220 V, 1200 m-es SIC MOSFET a csúcstechnológiás Trench Semiconductor folyamatra épül, amely a teljesítményt és a megbízhatóságot ötvözi. A hagyományos szilícium...
Infineon
IMW120R220M1HXKSA1
kezdő: HUF 1 509,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 IMW1 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 13 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = IMW1 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás =...
Infineon
IMW120R220M1HXKSA1
kezdő: HUF 1 606,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 IMZ1 Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 13 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = IMZ1 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás =...
Infineon
IMZ120R220M1HXKSA1
kezdő: HUF 1 310,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 IMZ1 Si (1 ajánlat) 
A TO247-4 tokozású Infineon CoolSSIC™ MOSFET 1200 V, 220, a csúcstechnológiás Trench Semiconductor folyamatra épül, amely a teljesítményt és a megbízhatóságot ötvözi. A hagyományos szilícium (Si) a...
Infineon
IMZ120R220M1HXKSA1
kezdő: HUF 1 460,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 150 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Si (2 ajánlat) 
Infineon IRF sorozatú egyszeres P-csatornás teljesítmény MOSFET. Ez a MOSFET Advanced feldolgozási technikákat használ a rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás eléréséhez szilíciumterüle...
Infineon
IRF6215STRLPBF
kezdő: HUF 191 904,00*
800 db-ként
 
 csomag
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   61   62   63   64   65   66   67   68   69   70   71   ..   279   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.