Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (4 152 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 26 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1
Infineon
IMW120R090M1HXKSA1
kezdő: HUF 1 490,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 26 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1
Infineon
IMW120R090M1HXKSA1
kezdő: HUF 1 490,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 19 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1
Infineon
IMW120R140M1HXKSA1
kezdő: HUF 1 186,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 19 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1
Infineon
IMW120R140M1HXKSA1
kezdő: HUF 1 188,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 IMW1 Si (2 ajánlat) 
A TO247-3 tokozású Infineon CoolSiC™ 220 V, 1200 m-es SIC MOSFET a csúcstechnológiás Trench Semiconductor folyamatra épül, amely a teljesítményt és a megbízhatóságot ötvözi. A hagyományos szilícium...
Infineon
IMW120R220M1HXKSA1
kezdő: HUF 1 061,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 IMW1 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 13 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...
Infineon
IMW120R220M1HXKSA1
kezdő: HUF 1 059,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 4,7 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 IMW1 Si (2 ajánlat) 
A TO247-3 tokozású Infineon CoolSiC™ 350 V, 1200 m-es SIC MOSFET a csúcstechnológiás Trench Semiconductor folyamatra épül, amely a teljesítményt és a megbízhatóságot ötvözi. A hagyományos szilícium...
Infineon
IMW120R350M1HXKSA1
kezdő: HUF 1 078,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 4,7 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 IMW1 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = IMW1 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás ...
Infineon
IMW120R350M1HXKSA1
kezdő: HUF 1 076,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 47 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolSiC Szilikon (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 47 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...
Infineon
IMW65R027M1HXKSA1
kezdő: HUF 4 276,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 47 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolSiC Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 47 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...
Infineon
IMW65R027M1HXKSA1
kezdő: HUF 4 801,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 58 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolSiC Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 58 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...
Infineon
IMW65R030M1HXKSA1
kezdő: HUF 2 227,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 58 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolSiC Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 58 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...
Infineon
IMW65R030M1HXKSA1
kezdő: HUF 2 234,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 46 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolSiC Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 46 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...
Infineon
IMW65R039M1HXKSA1
kezdő: HUF 1 713,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 46 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolSiC Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 46 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...
Infineon
IMW65R039M1HXKSA1
kezdő: HUF 1 723,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 39 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolSiC Szilikon (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 39 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...
Infineon
IMW65R048M1HXKSA1
kezdő: HUF 1 911,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   61   62   63   64   65   66   67   68   69   70   71   ..   277   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.