MOSFET-ek ST Microelectronics International Rectifier a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 30 V, 8-tüskés, SO-8 IRF7424PbF Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 11 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = IRF7424PbF Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...

International Rectifier

IRF7424TRPBF

kezdő: HUF 180,00*
db-ként

Infineon IRLML2502 tranzisztor 55 V (2 ajánlat)

Infineon

IRLML2502TRPBF

kezdő: HUF 38,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 30 V, 8-tüskés, SO-8 IRF7424PbF Egyszeres (1 ajánlat)

A Infineon IRF7424 egy 30 V-os, P-csatornás HEXFET teljesítmény MOSFET, SO-8 tokozásban. Az SO-8-t testre szabott ólomkeret módosította a továbbfejlesztett termikus jellemzők és a többlapos képessé...

International Rectifier

IRF7424TRPBF

kezdő: HUF 3 108,90*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,2 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 IRLML2502 Egyszeres (1 ajánlat)

20 V-os egy N-csatornás HEXFET Power MOSFET Micro 3 csomagolásbanIpari szabvány szerinti érintkezőkiosztás, SOT-23 csomag Kompatibilis a meglévő felületre szerelési technikákkal, halogénmentes Több...

International Rectifier

IRLML2502TRPBF

kezdő: HUF 817,30*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 72 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 72 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...

ST Microelectronics

STWA75N60DM6

kezdő: HUF 3 380,50*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 72 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres (2 ajánlat)

Az új MDmesh™ M6 technológia magában foglalja az SJ MOSFET-EK ismert és konszolidált MDmesh-családjának legújabb fejlesztéseivel elért eredményeket. Az STMicroelectronics az MDhálós eszközök előző ...

ST Microelectronics

STWA75N60M6

kezdő: HUF 2 836,00*
db-ként

SiC teljesítménymodul, 75 A, 1200 V, ACEPACK 2 (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 75 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = ACEPACK 2 Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető

ST Microelectronics

A2F12M12W2-F1

kezdő: HUF 1 300 807,40004*
18 db-ként

SiC teljesítménymodul, 75 A, 1200 V, ACEPACK 2 (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 75 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = ACEPACK 2 Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető

ST Microelectronics

A2F12M12W2-F1

kezdő: HUF 72 597,00*
db-ként

SiC teljesítménymodul, 75 A, 1200 V, ACEPACK 2 (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 75 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = ACEPACK 2 Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető

ST Microelectronics

A2U12M12W2-F2

kezdő: HUF 1 371 693,70008*
18 db-ként

SiC teljesítménymodul, 75 A, 1200 V, ACEPACK 2 (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 75 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = ACEPACK 2 Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető

ST Microelectronics

A2U12M12W2-F2

kezdő: HUF 76 150,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220 STripFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

IRF630

kezdő: HUF 291,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220 STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

IRF630

kezdő: HUF 13 035,10*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9 A, 80 V, 3-tüskés, M250 Egyszeres Si (1 ajánlat)

RF MOSFET tranzisztorok, STMicroelectronics. A rádiófrekvenciás tranzisztorok olyan LDMOS optikai érzékelők, amelyek 1 MHz és 2 GHz közötti alkalmazásokon L-sávú műholdfelcsatlakozásra és DMOS telj...

ST Microelectronics

LET9045F

kezdő: HUF 1 212 567,90*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 31-tüskés, QFN 9 MASTERG GaN (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N, P Csomag típusa = QFN 9 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 31 Csatorna mód = Növekményes Elemek száma chipenként = 1

ST Microelectronics

MASTERGAN1LTR

kezdő: HUF 4 832 573,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 31-tüskés, QFN 9 MASTERG GaN (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N, P Csomag típusa = QFN 9 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 31 Csatorna mód = Növekményes Elemek száma chipenként = 1

ST Microelectronics

MASTERGAN1LTR

kezdő: HUF 1 890,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .. 64 előre

MOSFET-ek (951 cikk)