Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (1 743 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 30 V, 8-tüskés, SO-8 IRF7424PbF Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 11 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = IRF7424PbF Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...
International Rectifier
IRF7424TRPBF
kezdő: HUF 179,00*
db-ként
 
 db
Infineon
IRLML2502TRPBF
kezdő: HUF 38,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 30 V, 8-tüskés, SO-8 IRF7424PbF Egyszeres (1 ajánlat) 
A Infineon IRF7424 egy 30 V-os, P-csatornás HEXFET teljesítmény MOSFET, SO-8 tokozásban. Az SO-8-t testre szabott ólomkeret módosította a továbbfejlesztett termikus jellemzők és a többlapos képessé...
International Rectifier
IRF7424TRPBF
kezdő: HUF 3 116,90*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 4,2 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 IRLML2502 Egyszeres (1 ajánlat) 
20 V-os egy N-csatornás HEXFET Power MOSFET Micro 3 csomagolásbanIpari szabvány szerinti érintkezőkiosztás, SOT-23 csomag Kompatibilis a meglévő felületre szerelési technikákkal, halogénmentes Több...
International Rectifier
IRLML2502TRPBF
kezdő: HUF 828,30*
20 db-ként
 
 csomag
Phoenix Contact
1952539
kezdő: HUF 424,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 60 V, 3-tüskés, TO-92 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
Advanced Power MOSFET, Fairchild Semiconductor. Tartós Lavinagyártás Robusztus Kapu-Oxid Technológia Kisebb Bemeneti Kapacitás Jobb Kamraajtó Töltés
onsemi
2N7000
kezdő: HUF 40,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 60 V, 3-tüskés, TO-92 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Advanced Power MOSFET, Fairchild Semiconductor. Tartós Lavinagyártás Robusztus Kapu-Oxid Technológia Kisebb Bemeneti Kapacitás Jobb Kamraajtó Töltés
onsemi
2N7000
kezdő: HUF 1 434,20*
20 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 60 V, 3-tüskés, TO-92 Egyszeres (3 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 200 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = TO-92 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...
onsemi
2N7000-D26Z
kezdő: HUF 34,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 60 V, 3-tüskés, TO-92 Egyszeres (1 ajánlat) 
Ezek az N-csatornás kis jelMOSFET-ek a Semiconductor szabadalmazott, magas CELLASŰRŰSÉGE, valamint a DMOS technológia alkalmazásával készültek. Ezeket a termékeket úgy tervezték, hogy a működés köz...
onsemi
2N7000-D26Z
kezdő: HUF 3 063,80*
100 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 60 V, 3-tüskés, TO-92 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Advanced Power MOSFET, Fairchild Semiconductor. Tartós Lavinagyártás Robusztus Kapu-Oxid Technológia Kisebb Bemeneti Kapacitás Jobb Kamraajtó Töltés
onsemi
2N7000_D26Z
kezdő: HUF 5 335,80*
100 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 60 V, 3-tüskés, TO-92 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
Advanced Power MOSFET, Fairchild Semiconductor. Tartós Lavinagyártás Robusztus Kapu-Oxid Technológia Kisebb Bemeneti Kapacitás Jobb Kamraajtó Töltés
onsemi
2N7000TA
kezdő: HUF 29,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 115 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
2N7002
kezdő: HUF 32,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 115 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
2N7002
kezdő: HUF 647,00*
20 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 2 elem/chip, 115 mA, 60 V, 6-tüskés, SOT-363 Izolált Si (3 ajánlat) 
A Dual Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántóföldi Hatások A tranzisztorok a Fairchild szabadalmazott, nagy cellasűrűséggel, MOS technológiával készülnek. Ezt a rendkívül nagy sűrűségű ...
onsemi
2N7002DW
kezdő: HUF 34,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 2 elem/chip, 115 mA, 60 V, 6-tüskés, SOT-363 Izolált Si (1 ajánlat) 
A Dual Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántóföldi Hatások A tranzisztorok a Fairchild szabadalmazott, nagy cellasűrűséggel, MOS technológiával készülnek. Ezt a rendkívül nagy sűrűségű ...
onsemi
2N7002DW
kezdő: HUF 4 925,50*
50 db-ként
 
 csomag
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   117   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.