Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (1 545 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 30 V, 8-tüskés, PowerFlate 5 x 6 Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerFlate 5 x 6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális ...
ST Microelectronics
STL40DN3LLH5
kezdő: HUF 203,00*
db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 30 V, 8-tüskés, PowerFlate 5 x 6 Egyszeres (1 ajánlat) 
Ez a készülék egy N csatornás MOSFET-et fejlesztett STMicroelectronics A készüléket úgy optimalizálták, hogy alacsony, működés közbeni ellenállást érjenek el, ami hozzájárul ahhoz, hogy a kategória...
ST Microelectronics
STL40DN3LLH5
kezdő: HUF 2 800,70*
10 db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (2 ajánlat) 
Ez a készülék egy N csatornás MOSFET-erősítő, az MDmesh™ M5 innovatív függőleges gyártási technológiájával, amelyet a jól ismert PowerMESH™ vízszintes elrendezés követ. A kapott termék rendkívül ki...
ST Microelectronics
STB43N65M5
kezdő: HUF 1 882,00*
db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 7 A Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 630 m/s Csatorna m...
ST Microelectronics
STB43N65M5
kezdő: HUF 3 764,50*
2 db-ként
MOSFET modul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...
ST Microelectronics
SCT10N120
kezdő: HUF 2 305,00*
db-ként
MOSFET modul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...
ST Microelectronics
SCT10N120
kezdő: HUF 1 916,00*
db-ként
MOSFET modul, 1 elem/chip, 15 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,...
ST Microelectronics
STF22N60M6
kezdő: HUF 425,00*
db-ként
MOSFET modul, 1 elem/chip, 15 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics új MDmesh™ M6 technológiája magában foglalja az SJ MOSFET-EK ismert és konszolidált MDmesh-családjának legújabb fejlesztései által elért eredményeket. Az STMicroelectronics az...
ST Microelectronics
STF22N60M6
kezdő: HUF 422,00*
db-ként
MOSFET modul, 1 elem/chip, 20 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...
ST Microelectronics
SCTWA20N120
kezdő: HUF 3 681,00*
db-ként
MOSFET modul, 1 elem/chip, 20 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...
ST Microelectronics
SCTWA20N120
kezdő: HUF 4 611,00*
db-ként
MOSFET modul, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) ST SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenál...
ST Microelectronics
STB33N60DM6
kezdő: HUF 1 031 493,00*
1 000 db-ként
MOSFET modul, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) ST SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics nagyfeszültségű N-csatornás teljesítményMOSFET az MDmesh™ DM6 gyors helyreállító diódasorozat része. Az MDmesh gyorsgenerációs rendszerrel összehasonlítva a DM6 egyesíti a nag...
ST Microelectronics
STB33N60DM6
kezdő: HUF 1 586,00*
db-ként
MOSFET modul, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,...
ST Microelectronics
STF33N60DM6
kezdő: HUF 1 160,00*
db-ként
MOSFET modul, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics N-csatornás Power MOSFET az MDmesh™ DM6 gyors helyreállító diódasorozat része. Az MDmesh gyorsgenerációs rendszerrel összehasonlítva a DM6 egyesíti a nagyon alacsony helyreáll...
ST Microelectronics
STF33N60DM6
kezdő: HUF 1 512,00*
db-ként
MOSFET modul, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics N-csatornás Power MOSFET az MDmesh™ DM6 gyors helyreállító diódasorozat része. Az MDmesh gyorsgenerációs rendszerrel összehasonlítva a DM6 egyesíti a nagyon alacsony helyreáll...
ST Microelectronics
STP33N60DM6
kezdő: HUF 909,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   103   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.