Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (2 377 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☑
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Ajánlatok ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
SiC teljesítménymodul, 304 A, 1200 V, 36-tüskés, F2 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 304 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = F2 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 36 Maximális nyelő forr...
1
onsemi
NXH006P120MNF2PTG
kezdő: HUF 92 722,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 304 A, 1200 V, 36-tüskés, F2 SiC (1 ajánlat) 
The ON Semiconductor power module containing an 1200 V SiC MOSFET half−bridge and a thermistor in an F2 package. It is typically used in solar inverter, UPS, electrical vehicle charging stations an...
1
onsemi
NXH006P120MNF2PTG
kezdő: HUF 98 655,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 204 A, 1200 V (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 204 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés Maximális teljesítménydisszipáció = 1360 W Maximális működés...
1
ROHM Semiconductor
BSM180D12P2C101
kezdő: HUF 1 715 183,80008*
12 db-ként
 
 csomag
SiC teljesítménymodul, 2 elem/chip, 300 A, 1200 V, 4-tüskés, C BSM SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 300 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = BSM Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekményes...
1
ROHM Semiconductor
BSM300D12P2E001
kezdő: HUF 1 285 786,00*
4 db-ként
 
 csomag
SiC teljesítménymodul, 2 elem/chip, 300 A, 1200 V, 4-tüskés, C BSM SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 300 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = BSM Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekményes...
1
ROHM Semiconductor
BSM300D12P2E001
kezdő: HUF 334 894,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 2 elem/chip, 180 A, 1200 V, 4-tüskés, C BSM SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 180 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = C Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekmé...
1
ROHM Semiconductor
BSM180D12P3C007
kezdő: HUF 192 239,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 2 elem/chip, 120 A, 1200 V, 4-tüskés, C BSM SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 120 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = BSM Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekményes...
1
ROHM Semiconductor
BSM120D12P2C005
kezdő: HUF 130 894,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 154 A, 900 V, F1–2PACK (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 154 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 900 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt
1
onsemi
NXH010P90MNF1PTG
kezdő: HUF 1 393 186,30808*
28 db-ként
 
 csomag
SiC teljesítménymodul, 154 A, 900 V, F1–2PACK (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 154 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 900 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt
1
onsemi
NXH010P90MNF1PTG
kezdő: HUF 47 174,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 114 A, 1200 V, F1–2PACK (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 114 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt
1
onsemi
NXH010P120MNF1PTG
kezdő: HUF 1 356 999,0042*
28 db-ként
 
 csomag
SiC teljesítménymodul, 114 A, 1200 V, F1–2PACK (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 114 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt
1
onsemi
NXH010P120MNF1PTG
kezdő: HUF 46 154,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres SiC (2 ajánlat) 
Csomag típusa = TO-220 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális teljesítménydisszipáció = 240 W Tranzisztorkonfiguráció = Egyszeres Maximális működési hőmérséklet = +175 °Cmm Magas...
2
onsemi
FFSP3065A
kezdő: HUF 1 457,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres SiC (1 ajánlat) 
A félvezető diódánAz ON Semiconductor TO-220-2L szilíciumkarbid (SIC) Schottky dióda a legújabb termék, amely teljesen új technológiát alkalmaz, amely kiváló kapcsolási teljesítményt és megbízhatós...
1
onsemi
FFSP3065A
kezdő: HUF 2 921,70*
2 db-ként
 
 csomag
ON Semiconductor NTMFS006N08MC (1 ajánlat) 
A ON SEMICONDUCTOR Power Trench sorozatú 150V N-csatornás MV MOSFET Advanced eljárással készül, amely árnyékolt kapu technológiát tartalmaz. Ezt a folyamatot úgy optimalizálták, hogy minimalizálják...
1
onsemi
NTMFS006N08MC
kezdő: HUF 331,00*
db-ként
 
 db
NTMJS1D4N06CLTWG (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor 60V N-csatornás MOSFET ipari teljesítménye 5x6 mm-es méretben kompakt és hatékony kivitelben, nagy hőteljesítménnyel, valamint a készülék ólommentes, és megfelel a RoHS előírások...
1
onsemi
NTMJS1D4N06CLTWG
kezdő: HUF 1 685,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   159   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.