Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (939 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Vissza a szűrő-áttekintéshez
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) STripFET H7 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel STAripbeFET™ H7 sorozat STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.
ST Microelectronics
STD45N10F7
kezdő: HUF 1 806,60*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220FP STripFET H7 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-Channel STAripbeFET™ H7 sorozat STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.
ST Microelectronics
STF100N10F7
kezdő: HUF 349,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220FP STripFET H7 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel STAripbeFET™ H7 sorozat STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.
ST Microelectronics
STF100N10F7
kezdő: HUF 2 135,50*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás Szilikon Carbide (SIC) MOSFET, STMicroelectronics. A szilícium-karbid (SIC) MOSFET-ek esetében a tápellátás az 1200 V-os fokozathoz képest rendkívül alacsony, statikus, lefolyó anyagból...
ST Microelectronics
SCT30N120
kezdő: HUF 6 413,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás Szilikon Carbide (SIC) MOSFET, STMicroelectronics. A szilícium-karbid (SIC) MOSFET-ek esetében a tápellátás az 1200 V-os fokozathoz képest rendkívül alacsony, statikus, lefolyó anyagból...
ST Microelectronics
SCT30N120
kezdő: HUF 6 509,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-Channel MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STW45NM50
kezdő: HUF 2 502,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STW45NM50
kezdő: HUF 100 659,2001*
30 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STW45NM60
kezdő: HUF 2 146,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STW45NM60
kezdő: HUF 109 640,9001*
30 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 3-tüskés, HiP247 SCTW35 SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics 650V szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET jelenlegi teljesítménye 45A, és forrásellenállás 45 m ohm. Az egység egy részén alacsony az ellenállásuk, és nagyon jó a kapcsolási te...
ST Microelectronics
SCTW35N65G2V
kezdő: HUF 4 221,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 3-tüskés, HiP247 SCTW35 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SCTW35 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás ...
ST Microelectronics
SCTW35N65G2V
kezdő: HUF 4 219,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 4-tüskés, HiP247-4 Szilikon (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = HiP247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásell...
ST Microelectronics
SCTWA35N65G2V-4
kezdő: HUF 4 781,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 4-tüskés, HiP247-4 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = HiP247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásell...
ST Microelectronics
SCTWA35N65G2V-4
kezdő: HUF 7 902,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 7-tüskés, H2PAK-7 SCTH35 SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics 650V szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET jelenlegi teljesítménye 45A, és a forrásellenállás 55 m ohm. Az egység egy részén alacsony az ellenállásuk, és nagyon jó a kapcsolási ...
ST Microelectronics
SCTH35N65G2V-7
kezdő: HUF 3 503,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 7-tüskés, H2PAK-7 SCTH35 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SCTH35 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrásell...
ST Microelectronics
SCTH35N65G2V-7
kezdő: HUF 4 266,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   41   42   43   44   45   46   47   48   49   50   51   ..   63   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.