Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (947 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☑
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Összehasonlító ár ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 116 A, 650 V, 7-tüskés, H2PAK-7 SCTH90 SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics 650V szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET áramterheléses teljesítményértéke 116A, és a forrásellenállás 18 m ohm. Az egység egy részén alacsony az ellenállásuk, és nagyon jó a ...
ST Microelectronics
SCTH90N65G2V-7
kezdő: HUF 8 012,00*
db-ként
kezdő: HUF 8 012,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 119 A, 650 V, 3-tüskés, HiP247 SCTW90 SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 119 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SCTW90 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...
ST Microelectronics
SCTW90N65G2V
kezdő: HUF 9 023,00*
db-ként
kezdő: HUF 9 023,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 119 A, 650 V, 3-tüskés, HiP247 SCTW90 SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics 650V szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET áramterheléses értéke 119A, a forrásellenállás pedig 18 m. Az egység egy részén alacsony az ellenállásuk, és nagyon jó a kapcsolási te...
ST Microelectronics
SCTW90N65G2V
kezdő: HUF 8 263,00*
db-ként
kezdő: HUF 8 263,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 119 A, 650 V, 4-tüskés, HiP247-4 SCTWA90N65G2V-4 SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 119 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = HiP247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásel...
ST Microelectronics
SCTWA90N65G2V-4
kezdő: HUF 10 675,00*
db-ként
kezdő: HUF 10 675,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 119 A, 650 V, 4-tüskés, HiP247-4 SCTWA90N65G2V-4 SiC (1 ajánlat) 
The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistan...
ST Microelectronics
SCTWA90N65G2V-4
kezdő: HUF 10 241,00*
db-ként
kezdő: HUF 10 241,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, 3-tüskés, H2PAK-2 STB37N60 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = STB37N60 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrás...
ST Microelectronics
STH12N120K5-2
kezdő: HUF 2 444,00*
db-ként
kezdő: HUF 2 444,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, 3-tüskés, H2PAK-2 STB37N60 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = STB37N60 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrás...
ST Microelectronics
STH12N120K5-2
kezdő: HUF 2 454,00*
db-ként
kezdő: HUF 2 454,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat) 
Az MDmesh™ egy új, forradalmian új MOSFET technológia, amely a vállalat PowerMESH™vízszintes elrendezéséhez társítja a Többprocesszoros Eljárást. A kapott termék rendkívül alacsony ellenállással, n...
ST Microelectronics
STB12NM50T4
kezdő: HUF 775,00*
db-ként
kezdő: HUF 775,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 350 mΩ Csatorna m...
ST Microelectronics
STB12NM50T4
kezdő: HUF 1 465,32*
db-ként
kezdő: HUF 7 326,60*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) STripFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
P-csatornás STripfFET™ MOSFET teljesítményerősítő STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással ...
ST Microelectronics
STD26P3LLH6
kezdő: HUF 165,00*
db-ként
kezdő: HUF 165,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás STripfFET™ MOSFET teljesítményerősítő STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással ...
ST Microelectronics
STD26P3LLH6
kezdő: HUF 165,23*
db-ként
kezdő: HUF 1 652,30*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-Channel MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STP14NM50N
kezdő: HUF 430,00*
db-ként
kezdő: HUF 430,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-Channel MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STP12NM50
kezdő: HUF 405,00*
db-ként
kezdő: HUF 405,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STP14NM50N
kezdő: HUF 652,00*
db-ként
kezdő: HUF 652,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STP12NM50
kezdő: HUF 377,064*
db-ként
kezdő: HUF 18 853,20*
50 db-ként
 
 csomag
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   ..   64   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.