Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (947 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCT30N120H SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...
ST Microelectronics
SCT30N120H
kezdő: HUF 5 581,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh K5, SuperMESH5 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-channel MDmesh™ K5 sorozat, SuperMESH5™ STMicroelectronics
ST Microelectronics
STP13N80K5
kezdő: HUF 5 582,90*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 2 elem/chip, 92 A, 92 A, 3-tüskés, TO-247 Szilikon (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 92 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 92 A Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekményes E...
ST Microelectronics
STWA65N023M9
kezdő: HUF 5 660,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 32 A, 650 V, 3-tüskés, ACEPACK SMIT (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 32 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = ACEPACK SMIT Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3
ST Microelectronics
SH32N65DM6AG
kezdő: HUF 5 674,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 32 A, 650 V, 3-tüskés, ACEPACK SMIT (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 32 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = ACEPACK SMIT Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3
ST Microelectronics
SH32N65DM6AG
kezdő: HUF 5 725,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220 STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STP16NF06L
kezdő: HUF 5 759,10*
50 db-ként
 
 csomag
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCT30N120H SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...
ST Microelectronics
SCT30N120H
kezdő: HUF 5 793,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics autóipari minőségű szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET technológiát az ST Advanced and innovative 2ngenerációs SiC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. A készülék rendkív...
ST Microelectronics
SCTW40N120G2VAG
kezdő: HUF 5 794,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 2 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás STripfFET™ MOSFET teljesítményerősítő STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással ...
ST Microelectronics
STR2P3LLH6
kezdő: HUF 5 996,50*
50 db-ként
 
 csomag
MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 33 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...
ST Microelectronics
SCTW40N120G2VAG
kezdő: HUF 6 420,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás Szilikon Carbide (SIC) MOSFET, STMicroelectronics. A szilícium-karbid (SIC) MOSFET-ek esetében a tápellátás az 1200 V-os fokozathoz képest rendkívül alacsony, statikus, lefolyó anyagból...
ST Microelectronics
SCT30N120
kezdő: HUF 6 424,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás Szilikon Carbide (SIC) MOSFET, STMicroelectronics. A szilícium-karbid (SIC) MOSFET-ek esetében a tápellátás az 1200 V-os fokozathoz képest rendkívül alacsony, statikus, lefolyó anyagból...
ST Microelectronics
SCT30N120
kezdő: HUF 6 541,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 68 A, 650 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-247 ST SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 68 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...
ST Microelectronics
STW70N65DM6-4
kezdő: HUF 6 547,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220FP STripFET II Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel STripfFET™ II, STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltés��ek és alacsony ellenállással rendelkeznek.
ST Microelectronics
STP55NF06FP
kezdő: HUF 6 684,00*
50 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220 STripFET II Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel STripfFET™ II, STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.
ST Microelectronics
STP55NF06L
kezdő: HUF 6 743,20*
50 db-ként
 
 csomag
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   51   52   53   54   55   56   57   58   59   60   61   ..   64   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.