Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (939 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 4-tüskés, HiP247-4 Szilikon (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = HiP247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásell...
ST Microelectronics
SCTWA35N65G2V-4
kezdő: HUF 4 841,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 4-tüskés, HiP247-4 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = HiP247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásell...
ST Microelectronics
SCTWA35N65G2V-4
kezdő: HUF 7 920,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 45 A, 1200 V, 4-tüskés, HiP247-4 SCTWA40N120G2V-4 SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCTWA40N120G2V-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrás...
ST Microelectronics
SCTWA40N120G2V-4
kezdő: HUF 5 857,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 45 A, 1200 V, 4-tüskés, HiP247-4 SCTWA40N120G2V-4 SiC (1 ajánlat) 
SiC MOSFETAz STMicroelectronics 7 V, 55 650-os SCTH35N65G2V- STPOWER SiC MOSFET ugyanolyan névleges feszültségű és egyenértékű bekapcsolt állapotú ellenállással, Trench Field-stop (TFS) IGBT-vel. A...
ST Microelectronics
SCTWA40N120G2V-4
kezdő: HUF 10 443,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 60 A, 1200 V, 4-tüskés, HiP247-4 SCTW (2 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás = 5.2e+007 ...
ST Microelectronics
SCTWA60N120G2-4
kezdő: HUF 8 889,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 60 A, 1200 V, 4-tüskés, HiP247-4 SCTW (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCTW Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás = 5.2e+007 Ω Maximáli...
ST Microelectronics
SCTWA60N120G2-4
kezdő: HUF 8 613,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 91 A, 1200 V, 4-tüskés, HiP247-4 Szilikon (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 91 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásel...
ST Microelectronics
SCTWA70N120G2V-4
kezdő: HUF 14 370,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 91 A, 1200 V, 4-tüskés, HiP247-4 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 91 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásel...
ST Microelectronics
SCTWA70N120G2V-4
kezdő: HUF 25 725,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 119 A, 650 V, 4-tüskés, HiP247-4 SCTWA90N65G2V-4 SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 119 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SCTWA90N65G2V-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forráse...
ST Microelectronics
SCTWA90N65G2V-4
kezdő: HUF 10 688,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 119 A, 650 V, 4-tüskés, HiP247-4 SCTWA90N65G2V-4 SiC (1 ajánlat) 
The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistan...
ST Microelectronics
SCTWA90N65G2V-4
kezdő: HUF 10 251,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 125 V, 4-tüskés, M174 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
RF MOSFET tranzisztorok, STMicroelectronics. A rádiófrekvenciás tranzisztorok olyan LDMOS optikai érzékelők, amelyek 1 MHz és 2 GHz közötti alkalmazásokon L-sávú műholdfelcsatlakozásra és DMOS telj...
ST Microelectronics
SD2931-10W
kezdő: HUF 23 984,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 125 V, 4-tüskés, M174 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
RF MOSFET tranzisztorok, STMicroelectronics. A rádiófrekvenciás tranzisztorok olyan LDMOS optikai érzékelők, amelyek 1 MHz és 2 GHz közötti alkalmazásokon L-sávú műholdfelcsatlakozásra és DMOS telj...
ST Microelectronics
SD2931-10W
kezdő: HUF 24 396,00*
db-ként
 
 db
MOSFET tranzisztor, 2 elem/chip, 15 A, 750 V, 4-tüskés, Tekercs GaN (2 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 750 V Csomag típusa = Tekercs Rögzítés típusa = Felületre szerelhető, furatszerelt Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekmény...
ST Microelectronics
SGT120R65AL
kezdő: HUF 1 009,00*
db-ként
 
 db
MOSFET tranzisztor, 2 elem/chip, 15 A, 750 V, 4-tüskés, Tekercs GaN (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 750 V Csomag típusa = Tekercs Rögzítés típusa = Felületre szerelhető, furatszerelt Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekmény...
ST Microelectronics
SGT120R65AL
kezdő: HUF 1 391,00*
db-ként
 
 db
MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 25 A, 750 V, 4-tüskés, PowerFLAT 5x6 HV GaN (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 750 V Csomag típusa = PowerFLAT 5x6 HV Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Csatorna ...
ST Microelectronics
SGT65R65AL
kezdő: HUF 4 540 213,02*
3 000 db-ként
 
 csomag
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   63   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.