MOSFET-ek ST Microelectronics a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 30 V, 8-tüskés, PowerFlate 5 x 6 Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerFlate 5 x 6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális ...

ST Microelectronics

STL40DN3LLH5

kezdő: HUF 204,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 30 V, 8-tüskés, PowerFlate 5 x 6 Egyszeres (1 ajánlat)

Ez a készülék egy N csatornás MOSFET-et fejlesztett STMicroelectronics A készüléket úgy optimalizálták, hogy alacsony, működés közbeni ellenállást érjenek el, ami hozzájárul ahhoz, hogy a kategória...

ST Microelectronics

STL40DN3LLH5

kezdő: HUF 2 817,70*
10 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (2 ajánlat)

Ez a készülék egy N csatornás MOSFET-erősítő, az MDmesh™ M5 innovatív függőleges gyártási technológiájával, amelyet a jól ismert PowerMESH™ vízszintes elrendezés követ. A kapott termék rendkívül ki...

ST Microelectronics

STB43N65M5

kezdő: HUF 1 984,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 7 A Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 630 m/s Csatorna m...

ST Microelectronics

STB43N65M5

kezdő: HUF 6 004,10*
2 db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...

ST Microelectronics

SCT10N120

kezdő: HUF 2 311,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat)

Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...

ST Microelectronics

SCT10N120

kezdő: HUF 1 930,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 15 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,...

ST Microelectronics

STF22N60M6

kezdő: HUF 603,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 15 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (1 ajánlat)

Az STMicroelectronics új MDmesh™ M6 technológiája magában foglalja az SJ MOSFET-EK ismert és konszolidált MDmesh-családjának legújabb fejlesztései által elért eredményeket. Az STMicroelectronics az...

ST Microelectronics

STF22N60M6

kezdő: HUF 619,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 20 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...

ST Microelectronics

SCTWA20N120

kezdő: HUF 3 832,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 20 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat)

ST Microelectronics

SCTWA20N120

kezdő: HUF 4 624,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) ST SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenál...

ST Microelectronics

STB33N60DM6

kezdő: HUF 1 032 499,00*
1 000 db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) ST SiC (1 ajánlat)

Az STMicroelectronics nagyfeszültségű N-csatornás teljesítményMOSFET az MDmesh™ DM6 gyors helyreállító diódasorozat része. Az MDmesh gyorsgenerációs rendszerrel összehasonlítva a DM6 egyesíti a nag...

ST Microelectronics

STB33N60DM6

kezdő: HUF 1 591,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,...

ST Microelectronics

STF33N60DM6

kezdő: HUF 1 114,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (1 ajánlat)

Az STMicroelectronics N-csatornás Power MOSFET az MDmesh™ DM6 gyors helyreállító diódasorozat része. Az MDmesh gyorsgenerációs rendszerrel összehasonlítva a DM6 egyesíti a nagyon alacsony helyreáll...

ST Microelectronics

STF33N60DM6

kezdő: HUF 1 516,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (2 ajánlat)

ST Microelectronics

STP33N60DM6

kezdő: HUF 870,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STP33N60DM6

kezdő: HUF 1 236,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 30 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (2 ajánlat)

ST Microelectronics

STF36N60M6

kezdő: HUF 1 259,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 30 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,...

ST Microelectronics

STF36N60M6

kezdő: HUF 1 672,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat)

Az STMicroelectronics autóipari minőségű szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET technológiát az ST Advanced and innovative 2ngenerációs SiC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. A készülék rendkív...

ST Microelectronics

SCTW40N120G2VAG

kezdő: HUF 5 776,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 33 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...

ST Microelectronics

SCTW40N120G2VAG

kezdő: HUF 6 435,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (2 ajánlat)

ST Microelectronics

SCTH40N120G2V7AG

kezdő: HUF 4 889,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 33 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrásellen...

ST Microelectronics

SCTH40N120G2V7AG

kezdő: HUF 4 899,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (2 ajánlat)

ST Microelectronics

SCTW100N65G2AG

kezdő: HUF 10 461,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (1 ajánlat)

ST Microelectronics

SCTW100N65G2AG

kezdő: HUF 11 002,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 38 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-247 ST SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 38 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,...

ST Microelectronics

STWA65N60DM6

kezdő: HUF 1 912,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 38 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-247 ST SiC (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STWA65N60DM6

kezdő: HUF 2 589,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 39 A, 600 V, Kiürítéses, 4-tüskés, TO-247-4 ST SiC (2 ajánlat)

ST Microelectronics

STW48N60M6-4

kezdő: HUF 1 911,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 39 A, 600 V, Kiürítéses, 4-tüskés, TO-247-4 ST SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 39 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,...

ST Microelectronics

STW48N60M6-4

kezdő: HUF 2 219,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...

ST Microelectronics

SCTWA30N120

kezdő: HUF 7 899,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat)

ST Microelectronics

SCTWA30N120

kezdő: HUF 8 049,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat)

ST Microelectronics

SCTW35N65G2VAG

kezdő: HUF 4 174,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0...

ST Microelectronics

SCTW35N65G2VAG

kezdő: HUF 4 163,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 52 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-247 ST SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 52 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,...

ST Microelectronics

STWA67N60M6

kezdő: HUF 1 826,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 52 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-247 ST SiC (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STWA67N60M6

kezdő: HUF 3 654,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 62 A, 600 V, Kiürítéses, 4-tüskés, TO-247-4 ST SiC (2 ajánlat)

ST Microelectronics

STW70N60DM6-4

kezdő: HUF 3 169,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 62 A, 600 V, Kiürítéses, 4-tüskés, TO-247-4 ST SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 62 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,...

ST Microelectronics

STW70N60DM6-4

kezdő: HUF 3 579,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 65 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat)

ST Microelectronics

SCT50N120

kezdő: HUF 10 079,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 65 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 65 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...

ST Microelectronics

SCT50N120

kezdő: HUF 10 093,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 68 A, 650 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-247 ST SiC (2 ajánlat)

ST Microelectronics

STW70N65DM6

kezdő: HUF 2 747,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 68 A, 650 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-247 ST SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 68 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...

ST Microelectronics

STW70N65DM6

kezdő: HUF 3 443,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 68 A, 650 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-247 ST SiC (2 ajánlat)

ST Microelectronics

STW70N65DM6-4

kezdő: HUF 3 522,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 68 A, 650 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-247 ST SiC (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STW70N65DM6-4

kezdő: HUF 6 528,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 68 A, 650 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-247 ST SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 68 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,...

ST Microelectronics

STWA70N65DM6

kezdő: HUF 2 889,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 68 A, 650 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-247 ST SiC (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STWA70N65DM6

kezdő: HUF 3 705,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 98 A, 650 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 98 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrásellená...

ST Microelectronics

SCTH100N65G2-7AG

kezdő: HUF 8 391,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 98 A, 650 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (1 ajánlat)

ST Microelectronics

SCTH100N65G2-7AG

kezdő: HUF 8 390,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 13 A, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 13 A Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 280 mΩ Csatorna m...

ST Microelectronics

STB18N60M6

kezdő: HUF 435 186,00*
1 000 db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 13 A, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat)

Az új MDmesh M6 technológia magában foglalja az SJ MOSFET-ek jól ismert és konszolidált MDmesh termékcsaládjának legújabb fejlesztéseit. Az STMicroelectronics az MDmesh eszközök előző generációjára...

ST Microelectronics

STB18N60M6

kezdő: HUF 3 167,80*
5 db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 13 A, 3-tüskés, TO-220FP Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 13 A Csomag típusa = TO-220FP Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 280 mΩ Csatorna mód = Növekmény...

ST Microelectronics

STF18N60M6

kezdő: HUF 410,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 13 A, 3-tüskés, TO-220FP Egyszeres (1 ajánlat)

Az új MDmesh™ M6 technológia magában foglalja az SJ MOSFET-ek jól ismert és konszolidált MDmesh termékcsaládjának legújabb fejlesztéseit. Az STMicroelectronics az MDmesh eszközök előző generációjár...

ST Microelectronics

STF18N60M6

kezdő: HUF 2 815,60*
5 db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 15 A, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Csomag típusa = TO-220 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 195 m/s Csatorna mód = Növekménye...

ST Microelectronics

STP26N60DM6

kezdő: HUF 652,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 15 A, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres (1 ajánlat)

Ez a nagyfeszültségű N-csatornás MOSFET az MDmesh™ DM6 gyors helyreállítást biztosító diódasorozat része. A korábbi MDmesh gyors generációhoz képest a DM6 a nagyon alacsony helyreállási időt (Qrr),...

ST Microelectronics

STP26N60DM6

kezdő: HUF 2 055,10*
2 db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 15 A, 600 V, 5-tüskés, PowerFLAT 8 x 8 HV Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = PowerFLAT 8 x 8 HV Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximál...

ST Microelectronics

STL26N60DM6

kezdő: HUF 668,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 15 A, 600 V, 5-tüskés, PowerFLAT 8 x 8 HV Egyszeres (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STL26N60DM6

kezdő: HUF 990,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 25 A, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres (1 ajánlat)

Ez a nagyfeszültségű N-csatornás MOSFET az MDmesh™ DM2 gyors helyreállítást biztosító diódasorozat része. Alacsony visszaállítási töltést (Qrr) és időt (trr) biztosít alacsony RDS(on) funkcióval, a...

ST Microelectronics

STP26N65DM2

kezdő: HUF 30 780,10*
50 db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 25 A, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Csomag típusa = TO-220 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 190 Ω Csatorna mód = Növekményes ...

ST Microelectronics

STP26N65DM2

kezdő: HUF 884,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, 5-tüskés, PowerFLAT 8 x 8 HV Egyszeres (2 ajánlat)

ST Microelectronics

STL45N60DM6

kezdő: HUF 1 214,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, 5-tüskés, PowerFLAT 8 x 8 HV Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = PowerFLAT 8 x 8 HV Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximál...

ST Microelectronics

STL45N60DM6

kezdő: HUF 2 950,10*
2 db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 25 A, 750 V, 4-tüskés, PowerFLAT 5x6 HV GaN (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 750 V Csomag típusa = PowerFLAT 5x6 HV Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Csatorna ...

ST Microelectronics

SGT65R65AL

kezdő: HUF 4 541 065,02*
3 000 db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 25 A, 750 V, 4-tüskés, PowerFLAT 5x6 HV GaN (1 ajánlat)

ST Microelectronics

SGT65R65AL

kezdő: HUF 2 300,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 5,5 A, 600 V, 8-tüskés, PowerFLAT 5 x 6 HV Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 5,5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = PowerFLAT 5 x 6 HV Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximá...

ST Microelectronics

STL10N60M6

kezdő: HUF 293,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 5,5 A, 600 V, 8-tüskés, PowerFLAT 5 x 6 HV Egyszeres (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STL10N60M6

kezdő: HUF 2 253,30*
5 db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 53 A, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat)

Ez a készülék egy N csatornás MOSFET-erősítő, az MDmesh™ M5 innovatív függőleges gyártási technológiájával, amelyet a jól ismert PowerMESH™ vízszintes elrendezés fejez össze. A kapott termék rendkí...

ST Microelectronics

STB45N30M5

kezdő: HUF 1 303 309,00*
1 000 db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 53 A, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 53 A Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 40 mΩ Csatorna mó...

ST Microelectronics

STB45N30M5

kezdő: HUF 3 546,60*
2 db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 7 A, 600 V, 8-tüskés, PowerFLAT 5 x 6 HV Egyszeres (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STL13N60M6

kezdő: HUF 1 021 752,00*
3 000 db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 7 A, 600 V, 8-tüskés, PowerFLAT 5 x 6 HV Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = PowerFLAT 5 x 6 HV Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximáli...

ST Microelectronics

STL13N60M6

kezdő: HUF 2 477,00*
5 db-ként

MOSFET tranzisztor, 2 elem/chip, 15 A, 750 V, 4-tüskés, Tekercs GaN (2 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 750 V Csomag típusa = Tekercs Rögzítés típusa = Felületre szerelhető, furatszerelt Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekmény...

ST Microelectronics

SGT120R65AL

kezdő: HUF 993,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor, 2 elem/chip, 15 A, 750 V, 4-tüskés, Tekercs GaN (1 ajánlat)

ST Microelectronics

SGT120R65AL

kezdő: HUF 1 385,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor, 95 V, 5-tüskés, LBB (1 ajánlat)

Csatorna típusa = Dual N Maximális nyelő forrásfeszültség = 95 V Csomag típusa = LBB Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5

ST Microelectronics

RF5L15120CB4

kezdő: HUF 59 655,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor, 95 V, 5-tüskés, LBB (1 ajánlat)

Csatorna típusa = Dual N Maximális nyelő forrásfeszültség = 95 V Csomag típusa = LBB Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5

ST Microelectronics

RF5L15120CB4

kezdő: HUF 59 914,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics

ST Microelectronics

STD1NK60T4

kezdő: HUF 116,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics

ST Microelectronics

STD1NK60T4

kezdő: HUF 334 329,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 600 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics

ST Microelectronics

STD1NK60-1

kezdő: HUF 15 966,4005*
75 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 600 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics

ST Microelectronics

STD1NK60-1

kezdő: HUF 86,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1,85 A, 1000 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STU2NK100Z

kezdő: HUF 211,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1.85 A, 1000 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STU2NK100Z

kezdő: HUF 2 498,80*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Ez a nagyfeszültségű N-csatornás MOSFET az MDmesh™ DM2 gyors helyreállító diódasorozat része. Alacsony visszaállítási töltést (Qrr) és időt (trr) biztosít alacsony RDS(on) funkcióval, amely alkalma...

ST Microelectronics

STD11N60DM2

kezdő: HUF 277,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 420 mΩ Csatorna mó...

ST Microelectronics

STD11N60DM2

kezdő: HUF 2 589,20*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 40 V, 8-tüskés, SOIC STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás STripfFET™ MOSFET teljesítményerősítő STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással ...

ST Microelectronics

STS10P4LLF6

kezdő: HUF 682 900,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 40 V, 8-tüskés, SOIC STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STS10P4LLF6

kezdő: HUF 2 630,30*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 480 V, Kiürítéses, 3-tüskés, DPAK (TO-252) STD (1 ajánlat)

Az STMicroelectronics N-csatornás MDmesh M6 Power MOSFET DPAK csomagban csökkentette a kapcsolási veszteségeket. Emellett területenként alacsonyabb RDS(on)-t is tartalmaz, mint az előző generációná...

ST Microelectronics

STD13N60M6

kezdő: HUF 354,1112*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 480 V, Kiürítéses, 3-tüskés, DPAK (TO-252) STD (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 480 V Sorozat = STD Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellená...

ST Microelectronics

STD13N60M6

kezdő: HUF 2 136,00*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP11NK50Z

kezdő: HUF 316,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP11NK50Z

kezdő: HUF 2 694,90*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) STripFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

ST Microelectronics

STD10P6F6

kezdő: HUF 139,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STD10P6F6

kezdő: HUF 3 799,20*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) (1 ajánlat)

A STMicroelectronics nagyfeszültségű N-csatornás teljesítmény MOSFET a mesh DM6 gyors regeneráló diódasorozatot képezi. A korábbi mesh Fast generációhoz képest a DM6 ötvözi a nagyon alacsony helyre...

ST Microelectronics

STD12N60DM6

kezdő: HUF 328,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális ny...

ST Microelectronics

STD12N60DM6

kezdő: HUF 327,00*
db-ként