Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (3 849 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 7,9 A, 20 V, TSOP-6 (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 7,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = TSOP-6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Vishay
SI3460DDV-T1-GE3
kezdő: HUF 45,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 2,6 A, 12 V, 3-tüskés, SOT-23 PowerTrench Egyszeres Si (3 ajánlat) 
PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a k...
onsemi
FDN306P
kezdő: HUF 46,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 4.4 A, 8 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 8 V - 20 V, Vishay Semiconductor
Vishay
SI2305CDS-T1-GE3
kezdő: HUF 46,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 900 mA, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 NDS352AP Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Kiemelési mód, P-csatornás MOSFET on Semiconductor. A P-csatornás MOSFET-ek félvezetők termékcsaládján A Félszabadalmazott, magas sejtsűrűségű DMOS technológiát alkalmazzák. Ezt a rendkívül nagy sű...
onsemi
NDS352AP
kezdő: HUF 46,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1,3 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
NDS331N
kezdő: HUF 47,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1,6 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 PowerTrench Egyszeres Si (3 ajánlat) 
PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a k...
onsemi
FDN338P
kezdő: HUF 47,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1,7 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, max. 9,9 A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDN335N
kezdő: HUF 47,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 2,25 A, 30 V, 7-tüskés, POWERPAK SC-70W-6L N-Channel 30 V (1 ajánlat) 
A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.TrenchFET teljesítmény MOSFET AEC-Q101-minősítés Ne...
Vishay
SQA470CEJW-T1_GE3
kezdő: HUF 47,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 3,5 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 8 V - 20 V, Vishay Semiconductor
Vishay
SI2377EDS-T1-GE3
kezdő: HUF 47,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 3,5 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 TrenchFET (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 3,5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrás...
Vishay
SI2307CDS-T1-GE3
kezdő: HUF 47,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 TrenchFET (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásel...
Vishay
SI2399DS-T1-GE3
kezdő: HUF 47,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 2 elem/chip, 280 mA, 60 V, 6-tüskés, SOT-563 Izolált Si (2 ajánlat) 
A Dual Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántóföldi Hatások A tranzisztorok a Fairchild szabadalmazott, nagy cellasűrűséggel, MOS technológiával készülnek. Ezt a rendkívül nagy sűrűségű ...
onsemi
2N7002V
kezdő: HUF 47,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 2 elem/chip, 600 mA, 20 V, 6-tüskés, SC-89-6 PowerTrench Izolált Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® Dual N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Félnél PowerTSUAL® MOSFET-ek optimalizált energiakapcsolt eszközök, amelyek növelik a rendszer hatékonyságát és az áramsűrűséget. A ...
onsemi
FDY3000NZ
HUF 47,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 2,1 A, 20 V, 4 mikroláb (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 2,1 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = 4 mikroláb Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Vishay
SI8824EDB-T2-E1
kezdő: HUF 47,00*
db-ként
 
 db
Vishay SIA931DJ-T1-GE3 IGBT (1 ajánlat) 
MOSFET-ek
Vishay
SIA931DJ-T1-GE3
kezdő: HUF 47,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   257   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.