MOSFET-ek Vishay a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (18/140 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Minőséghitelesítő pecsét

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 20 V, 6-tüskés, PowerPAK SC-70 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 8 V - 20 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SIA461DJ-T1-GE3

nincs adat

kezdő: HUF 481,10*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 200 V, 3-tüskés, TO-247AC Egyszeres Si (3 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 100 V - 400 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFP9240PBF

nincs adat

kezdő: HUF 448,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 200 V, 3-tüskés, TO-247AC Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 100 V - 400 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFP9240PBF

nincs adat

kezdő: HUF 768,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 30 V, 6-tüskés, SOT-363 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SIA462DJ-T1-GE3

nincs adat

kezdő: HUF 59,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 30 V, 6-tüskés, SOT-363 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SIA462DJ-T1-GE3

nincs adat

kezdő: HUF 2 796,00*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SI4178DY-T1-GE3

nincs adat

kezdő: HUF 79,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SI4178DY-T1-GE3

nincs adat

kezdő: HUF 1 839,30*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 60 V, 6-tüskés, SC-70-6L TrenchFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

TrenchFET® Gen IV power MOSFET Nagyon kis RDS-Qg jósági tényező (FOM) A legkisebb RDS-Qoss tényezőhöz hangolva

Vishay

SiA106DJ-T1-GE3

nincs adat

kezdő: HUF 167,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 60 V, 6-tüskés, SC-70-6L TrenchFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő forráse...

Vishay

SiA106DJ-T1-GE3

nincs adat

kezdő: HUF 1 613,10*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 600 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 E (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = E Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenáll...

Vishay

SIHH240N60E-T1-GE3

nincs adat

kezdő: HUF 417,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 600 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 E (1 ajánlat)

A Vishay e sorozatú teljesítmény MOSFET PowerPAK 8 x 8 tokozású, egyszeres konfigurációjú.Negyedik generációs e sorozatú technológia Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (...

Vishay

SIHH240N60E-T1-GE3

nincs adat

kezdő: HUF 521,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12,3 A, 250 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12,3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 250 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximál...

Vishay

SiSS92DN-T1-GE3

nincs adat

kezdő: HUF 164,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12,3 A, 250 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Egyszeres (1 ajánlat)

N-csatornás 250 V (D-S) MOSFET.TrentchFET® a ThunFET technológiával optimalizálja az RDS(on), QG, QSW és Qoss értékek egyensúlyát Vezető szerep: RDS(on) és RDS-COSS FOM

Vishay

SiSS92DN-T1-GE3

nincs adat

kezdő: HUF 1 652,60*
10 db-ként