MOSFET-ek Vishay a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (35/140 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 2,5 A, 60 V, 4-tüskés, HVMDIP Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V - 90 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFD024PBF

kezdő: HUF 191,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,5 A, 60 V, 4-tüskés, HVMDIP Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V - 90 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRLD024PBF

kezdő: HUF 158,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,6 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 2,6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...

Vishay

SI2302DDS-T1-GE3

kezdő: HUF 35,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,6 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat)

Halogénmentes TrenchFET® Power MOSFET 100%-ig Rg-tesztelt ALKALMAZÁSOK Hordozható eszközök terheléskapcsolása DC-DC átalakító

Vishay

SI2302DDS-T1-GE3

kezdő: HUF 1 996,10*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,6 A, 200 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFR210TRPBF

kezdő: HUF 491 199,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,6 A, 200 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFR210TRPBF

kezdő: HUF 173,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,7 A, 150 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 2,7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = SOIC Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...

Vishay

SI4848DY-T1-GE3

kezdő: HUF 215,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,7 A, 150 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres (1 ajánlat)

Halogénmentes TrenchFET® Power MOSFET-ek

Vishay

SI4848DY-T1-GE3

kezdő: HUF 1 949,50*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,7 A, 250 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 100 V - 400 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFR9214TRPBF

kezdő: HUF 236,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,7 A, 250 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 100 V - 400 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFR9214TRPBF

kezdő: HUF 920,70*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,7 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V - 90 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFL014TRPBF

kezdő: HUF 85,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,7 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V - 90 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFL014TRPBF

kezdő: HUF 2 384,20*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,9 A, 800 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (3 ajánlat)

E sorozatú MOSFET tápegység.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (Ciss) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség ALKALMAZÁSOK Kiszolgálók és telekommunikációs eszközök tá...

Vishay

SIHD2N80AE-GE3

kezdő: HUF 167,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,9 A, 800 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 2,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális n...

Vishay

SIHD2N80AE-GE3

kezdő: HUF 1 384,40*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,9 A, 800 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) E (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 2,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Sorozat = E Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 2....

Vishay

SIHU2N80AE-GE3

kezdő: HUF 375 578,01*
3 000 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 .. 140 előre

MOSFET-ek (2 094 cikk)