MOSFET-ek Vishay a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (43/140 oldal)

Kép

Cikk

Ajánlatok

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 265 A, 80 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 265 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növekm...

Vishay

SIRS5800DP-T1-GE3

kezdő: HUF 2 561 767,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 265 A, 80 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Vishay

SIRS5800DP-T1-GE3

kezdő: HUF 874,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 266 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 266 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális n...

Vishay

SQJ140EP-T1_GE3

kezdő: HUF 197,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 266 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L (1 ajánlat)

A Vishay Automotive N-csatornás, 40 V-os (D-S), 175 °C-os MOSFET PowerPAK SO-8L tokozású, 266 A-es elvezető árammal.TrenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET AEC-Q101-minősítés 100 % RG és UIS tesztelve...

Vishay

SQJ140EP-T1_GE3

kezdő: HUF 221,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 266 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L (1 ajánlat)

Vishay

SQJ140ELP-T1_GE3

kezdő: HUF 229,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 266 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L (1 ajánlat)

Vishay

SQJ140ELP-T1_GE3

kezdő: HUF 271,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 20 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, TrentchFET Gen III, Vishay Semiconductor

Vishay

SISS23DN-T1-GE3

kezdő: HUF 104,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 20 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, TrentchFET Gen III, Vishay Semiconductor

Vishay

SISS23DN-T1-GE3

kezdő: HUF 3 449,60*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 40 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SIR416DP-T1-GE3

kezdő: HUF 188,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 40 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SIR416DP-T1-GE3

kezdő: HUF 2 660,50*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 277 A, 100 V, 4-tüskés, 8 x 8L Szilikon (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 277 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = 8 x 8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növ...

Vishay

SIJH5100E-T1-GE3

kezdő: HUF 2 918 626,00*
2 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 277 A, 100 V, 4-tüskés, 8 x 8L Szilikon (1 ajánlat)

Vishay

SIJH5100E-T1-GE3

kezdő: HUF 2 302,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 278 A, 60 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 L N-Channel 60 V (2 ajánlat)

A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.AEC-Q101-minősítés 100 % RG és UIS tesztelve Vékony...

Vishay

SQJA16EP-T1_GE3

kezdő: HUF 1 127,655*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 278 A, 60 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 L N-Channel 60 V (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 278 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerPAK 8 x 8 L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális...

Vishay

SQJA16EP-T1_GE3

kezdő: HUF 315,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SIHL540STRL-GE3

kezdő: HUF 358 999,00*
800 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 .. 140 előre

MOSFET-ek (2 094 cikk)