Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (2 094 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 30 V, 8-tüskés, SO-8 TrenchFET (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...
Vishay
SI4459ADY-T1-GE3
kezdő: HUF 2 548,90*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E Series Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, E-sorozat, alacsony érdemű, Vishay Semiconductor. Az E sorozatú Power MOSFET-ek a Vishay cégtől nagy feszültségű tranzisztorok, amelyek ultraalacsony maximális ellenállással, al...
Vishay
SIHB30N60E-GE3
kezdő: HUF 1 289,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E Series Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, E-sorozat, alacsony érdemű, Vishay Semiconductor. Az E sorozatú Power MOSFET-ek a Vishay cégtől nagy feszültségű tranzisztorok, amelyek ultraalacsony maximális ellenállással, al...
Vishay
SIHB30N60E-GE3
kezdő: HUF 1 348,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SiHB105N60EF (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = SiHB105N60EF Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...
Vishay
SIHB105N60EF-GE3
kezdő: HUF 634,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SiHB105N60EF (1 ajánlat) 
A Vishay EF sorozatú Power MOSFET gyors ház diódával ellátott negyedik generációs e-sorozatú technológiával rendelkezik. Csökkentette a szolgáltatóváltás és -vezetés veszteségeit.Kis jósági tényező...
Vishay
SIHB105N60EF-GE3
kezdő: HUF 585,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 FP SiHA105N60EF (1 ajánlat) 
A Vishay EF sorozatú Power MOSFET gyors ház diódával ellátott negyedik generációs e-sorozatú technológiával rendelkezik. Csökkentette a szolgáltatóváltás és -vezetés veszteségeit.Kis jósági tényező...
Vishay
SIHA105N60EF-GE3
kezdő: HUF 624,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 FP SiHA105N60EF (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = SiHA105N60EF Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...
Vishay
SIHA105N60EF-GE3
kezdő: HUF 754,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220FP E Series Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, E-sorozat, alacsony érdemű, Vishay Semiconductor. Az E sorozatú Power MOSFET-ek a Vishay cégtől nagy feszültségű tranzisztorok, amelyek ultraalacsony maximális ellenállással, al...
Vishay
SIHF30N60E-GE3
kezdő: HUF 1 134,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220FP E Series Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, E-sorozat, alacsony érdemű, Vishay Semiconductor. Az E sorozatú Power MOSFET-ek a Vishay cégtől nagy feszültségű tranzisztorok, amelyek ultraalacsony maximális ellenállással, al...
Vishay
SiHF30N60E-GE3
kezdő: HUF 1 865,20*
2 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC E Series Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, E-sorozat, alacsony érdemű, Vishay Semiconductor. Az E sorozatú Power MOSFET-ek a Vishay cégtől nagy feszültségű tranzisztorok, amelyek ultraalacsony maximális ellenállással, al...
Vishay
SIHG30N60E-GE3
kezdő: HUF 1 498,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC E Series Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, E-sorozat, alacsony érdemű, Vishay Semiconductor. Az E sorozatú Power MOSFET-ek a Vishay cégtől nagy feszültségű tranzisztorok, amelyek ultraalacsony maximális ellenállással, al...
Vishay
SiHG30N60E-GE3
kezdő: HUF 1 503,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC SiHG105N60EF (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = SiHG105N60EF Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,102 Ω Csatorna mód = ...
Vishay
SIHG105N60EF-GE3
kezdő: HUF 773,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC SiHG105N60EF (1 ajánlat) 
A Vishay EF sorozatú Power MOSFET gyors ház diódával ellátott negyedik generációs e-sorozatú technológiával rendelkezik. Csökkentette a szolgáltatóváltás és -vezetés veszteségeit.Kis jósági tényező...
Vishay
SIHG105N60EF-GE3
kezdő: HUF 806,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 8-tüskés, PowerPAK 10 x 12 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = PowerPAK 10 x 12 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek sz...
Vishay
SIHK075N60E-T1-GE3
kezdő: HUF 1 137,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 8-tüskés, PowerPAK 10 x 12 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = PowerPAK 10 x 12 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek sz...
Vishay
SIHK075N60E-T1-GE3
kezdő: HUF 1 587,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   41   42   43   44   45   46   47   48   49   50   51   ..   140   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.