Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (2 094 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 300 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 60 V - 90 V, Vishay Semiconductor
Vishay
2N7002K-T1-GE3
HUF 3 100,00*
100 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 31 A, 40 V, 7-tüskés, SC-70 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 31 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = SC-70 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Csatorna mód = Növekm...
Vishay
SIA4446DJ-T1-GE3
HUF 426 000,00*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 31 A, 40 V, 7-tüskés, SC-70 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 31 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = SC-70 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Csatorna mód = Növekm...
Vishay
SIA4446DJ-T1-GE3
kezdő: HUF 137,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 315 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 L N-Channel 40 V (1 ajánlat) 
A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.AEC-Q101-minősítés 100 % RG és UIS tesztelve Vékony...
Vishay
SQJ138ELP-T1_GE3
HUF 648 000,00*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 315 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 L N-Channel 40 V (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 315 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = N-Channel 40 V Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő f...
Vishay
SQJ138ELP-T1_GE3
kezdő: HUF 282,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 33 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC EF Series Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET gyors diódával, EF sorozat, Vishay Semiconductor. Csökkentett Hátrameneti Helyreállítási Idő, Hátrameneti Helyreállítási Terhelés És Hátrameneti Helyreállítási Áram Alacsony érde...
Vishay
SIHG33N60EF-GE3
kezdő: HUF 1 590,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 33 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC EF Series Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET gyors diódával, EF sorozat, Vishay Semiconductor. Csökkentett Hátrameneti Helyreállítási Idő, Hátrameneti Helyreállítási Terhelés És Hátrameneti Helyreállítási Áram Alacsony érde...
Vishay
SiHG33N60EF-GE3
kezdő: HUF 1 616,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 33,7 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 33,7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális...
Vishay
SiS128LDN-T1-GE3
kezdő: HUF 116,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 33,7 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 Egyszeres (1 ajánlat) 
N-csatornás 80 V (D-S) MOSFET.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET Nagyon alacsony RDS x QG érték (FOM) Behangolva a legalacsonyabb RDS x Qoss FOM-ra
Vishay
SiS128LDN-T1-GE3
kezdő: HUF 1 350,00*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 33.6 A, 100 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L TrenchFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 33.6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forr...
Vishay
SQJ211ELP-T1_GE3
kezdő: HUF 213,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 33.6 A, 100 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L TrenchFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 33.6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forr...
Vishay
SQJ211ELP-T1_GE3
kezdő: HUF 243,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 330 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 330 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális n...
Vishay
SQJ138EP-T1_GE3
kezdő: HUF 224,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 330 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L (1 ajánlat) 
A Vishay Automotive N-csatornás, 40 V-os (D-S), 175 °C-os MOSFET PowerPAK SO-8L tokozással rendelkezik.TrenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET AEC-Q101-minősítés 100 % RG és UIS tesztelve A Qgd/Qgs ar...
Vishay
SQJ138EP-T1_GE3
kezdő: HUF 220,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 334 A, 60 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 334 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növekm...
Vishay
SIRS4600DP-T1-RE3
HUF 3 189 000,00*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 334 A, 60 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 334 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növekm...
Vishay
SIRS4600DP-T1-RE3
kezdő: HUF 1 074,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   51   52   53   54   55   56   57   58   59   60   61   ..   140   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.