Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (2 094 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220FP SiHF068N60EF (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 16 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = SiHF068N60EF Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...
Vishay
SIHF068N60EF-GE3
kezdő: HUF 912,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220FP SiHF068N60EF (1 ajánlat) 
A Vishay EF sorozatú Power MOSFET gyors ház diódával ellátott negyedik generációs e-sorozatú technológiával rendelkezik. Csökkentette a szolgáltatóváltás és -vezetés veszteségeit.Lavinaenergia-beso...
Vishay
SIHF068N60EF-GE3
kezdő: HUF 1 316,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 3.2 A, 5 A, 850 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) E (2 ajánlat) 
A Vishay SIHD6N80AE-GEO3 e sorozatú MOSFET.Alacsony érdem Alacsony effektív kapacitás (CISS) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség Rendkívül kis mértékű kaputöltés (Qg) Lavinaenergia-besorolású...
Vishay
SIHD6N80AE-GE3
kezdő: HUF 173,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 3.2 A, 5 A, 850 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) E (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 3.2 A, 5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Sorozat = E Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásel...
Vishay
SIHD6N80AE-GE3
kezdő: HUF 150,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 6.4 A, 650 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) E (2 ajánlat) 
A Vishay SIHD690N60E-G3 e sorozatú teljesítmény MOSFET.Negyedik generációs e-sorozatú technológia Alacsony érdem Alacsony effektív kapacitás Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség Lavinaenergia-...
Vishay
SIHD690N60E-GE3
kezdő: HUF 217,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 6.4 A, 650 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) E (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4 A, 6.4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = E Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásel...
Vishay
SIHD690N60E-GE3
kezdő: HUF 170,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 850 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) E Series Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Sorozat = E Series Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrás...
Vishay
SiHD5N80AE-GE3
kezdő: HUF 227,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 850 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) E Series Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Sorozat = E Series Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrás...
Vishay
SiHD5N80AE-GE3
kezdő: HUF 223,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 3 A, 500 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) D Series Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, D sorozatú, magas feszültségű, Vishay Semiconductor
Vishay
SIHD3N50D-GE3
kezdő: HUF 144,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 2,9 A, 800 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (3 ajánlat) 
E sorozatú MOSFET tápegység.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (Ciss) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség ALKALMAZÁSOK Kiszolgálók és telekommunikációs eszközök tá...
Vishay
SIHD2N80AE-GE3
kezdő: HUF 166,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 2,9 A, 800 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 2,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális n...
Vishay
SIHD2N80AE-GE3
kezdő: HUF 1 382,40*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 19 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális ny...
Vishay
SIHD186N60EF-GE3
kezdő: HUF 499,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
EF sorozatú MOSFET gyors testdiódával.4. Generációs E sorozatú technológia Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (Co) ALKALMAZÁSOK Kiszolgálók és telekommunikációs eszközök...
Vishay
SIHD186N60EF-GE3
kezdő: HUF 3 441,40*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 850 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) E Series Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...
Vishay
SIHD11N80AE-T1-GE3
kezdő: HUF 478,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 850 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) E Series Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...
Vishay
SIHD11N80AE-T1-GE3
kezdő: HUF 566,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   71   72   73   74   75   76   77   78   79   80   81   ..   140   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.