MOSFET-ek Vishay a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (72/140 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 250 A, 40 V, 7-tüskés, D2PAK (TO-263) TrenchFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 250 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrás...

Vishay

SQM40016EM_GE3

kezdő: HUF 535,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SUP70040E-GE3

kezdő: HUF 536,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247AC Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFP450LCPBF

kezdő: HUF 536,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 71.9 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 71.9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...

Vishay

SiR681DP-T1-RE3

kezdő: HUF 536,00*
db-ként

MOSFET, 218 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8DC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 218 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8DC Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8

Vishay

SiDR626LEP-T1-RE3

kezdő: HUF 539,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 40 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres (3 ajánlat)

N-csatornás 40 V-os (D-S) MOSFET.TrenchFET® power MOSFET Legfeljebb 175 °C csatlakozási hőmérséklet A kiváló RDS-QG és RDS-Qoss FOM csökkenti az áramvezetési és kapcsolási hibákat a nagy hatékonysá...

Vishay

SUP40012EL-GE3

kezdő: HUF 541,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 56,7 A, 100 V, 7-tüskés, SO-8L Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 56,7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Csatorna mód = Növ...

Vishay

SIJ4108DP-T1-GE3

kezdő: HUF 541,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 850 V, 3-tüskés, TO-220AB E Series Si (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Sorozat = E Series Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...

Vishay

SiHP17N80AEF-GE3

kezdő: HUF 543,00*
db-ként

MOSFET, 27,7 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPak SO-8DC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 27,7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = PowerPak SO-8DC Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8

Vishay

SIDR510EP-T1-RE3

kezdő: HUF 543,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4.1 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFBE30PBF

kezdő: HUF 544,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9.2 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFB9N60APBF

kezdő: HUF 545,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 18 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220AB EF (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A, 18 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = EF Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...

Vishay

SIHP186N60EF-GE3

kezdő: HUF 546,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220AB EF-Series (1 ajánlat)

A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektí...

Vishay

SIHP15N80AEF-GE3

kezdő: HUF 547,00*
db-ként

MOSFET, 15 A, 600 V, D2PAK (TO-263) (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Vishay

SIHB15N60E-GE3

kezdő: HUF 548,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 17.4 A, 800 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 17.4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális...

Vishay

SIHB21N80AE-GE3

kezdő: HUF 550,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 .. 140 előre

MOSFET-ek (2 094 cikk)