Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (2 092 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☑
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Összehasonlító ár ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 55,9 A, 100 V, 8-tüskés, 1212-8S Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 55,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = N...
Vishay
SISS5110DN-T1-GE3
kezdő: HUF 358,00*
db-ként
kezdő: HUF 358,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 55,9 A, 100 V, 8-tüskés, 1212-8S Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 55,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = N...
Vishay
SISS5110DN-T1-GE3
kezdő: HUF 359,00*
db-ként
kezdő: HUF 359,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 55,9 A, 100 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 55,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növe...
Vishay
SIR5108DP-T1-RE3
kezdő: HUF 377,785*
db-ként
kezdő: HUF 1 133 355,00*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 55,9 A, 100 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 55,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növe...
Vishay
SIR5108DP-T1-RE3
kezdő: HUF 489,00*
db-ként
kezdő: HUF 489,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 55.5 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Egyszeres (2 ajánlat) 
N-csatornás 80 V (D-S) MOSFET.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET Nagyon alacsony RDS x QG érték (FOM) Behangolva a legalacsonyabb RDS x Qoss FOM-ra
Vishay
SISS30LDN-T1-GE3
kezdő: HUF 167,00*
db-ként
kezdő: HUF 167,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 55.5 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 55.5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximáli...
Vishay
SISS30LDN-T1-GE3
kezdő: HUF 186,12*
db-ként
kezdő: HUF 1 861,20*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 56,7 A, 100 V, 7-tüskés, SO-8L Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 56,7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Csatorna mód = Növ...
Vishay
SIJ4108DP-T1-GE3
kezdő: HUF 413,00*
db-ként
kezdő: HUF 413,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 56,7 A, 100 V, 7-tüskés, SO-8L Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 56,7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Csatorna mód = Növ...
Vishay
SIJ4108DP-T1-GE3
kezdő: HUF 536,00*
db-ként
kezdő: HUF 536,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 57 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor
Vishay
SUP57N20-33-E3
kezdő: HUF 667,00*
db-ként
kezdő: HUF 667,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 57 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor
Vishay
SUP57N20-33-E3
kezdő: HUF 798,46*
db-ként
kezdő: HUF 3 992,30*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 575 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8L SQJQ144AE (1 ajánlat) 
A Vishay Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C-os MOSFET vékony, 1.6 mm-es tokozással rendelkezik.Nagyon alacsony hőellenállás TenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET
Vishay
SQJQ144AE-T1_GE3
kezdő: HUF 416,00*
db-ként
kezdő: HUF 416,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 575 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8L SQJQ144AE (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 575 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = SQJQ144AE Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrás...
Vishay
SQJQ144AE-T1_GE3
kezdő: HUF 403,00*
db-ként
kezdő: HUF 403,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 575 A, 40 V, 8-tüskés, PowerPAK 8 x 8LR N-Channel 40 V (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 575 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = N-Channel 40 V Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő f...
Vishay
SQJQ144AER-T1_GE3
kezdő: HUF 348,00*
db-ként
kezdő: HUF 348,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 575 A, 40 V, 8-tüskés, PowerPAK 8 x 8LR N-Channel 40 V (1 ajánlat) 
A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.AEC-Q101-minősítés 100 % RG és UIS tesztelve Vékony...
Vishay
SQJQ144AER-T1_GE3
kezdő: HUF 669,00*
db-ként
kezdő: HUF 669,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 58 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, TrentchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
Vishay
SIRA14DP-T1-GE3
kezdő: HUF 62,00*
db-ként
kezdő: HUF 62,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   71   72   73   74   75   76   77   78   79   80   81   ..   140   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.