MOSFET-ek Vishay a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (73/140 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Összehasonlító ár

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 58 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, TrentchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

Vishay

SIRA14DP-T1-GE3

kezdő: HUF 62,66*
db-ként

kezdő: HUF 626,60*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 58 A, 40 V, 8-tüskés, SO-8SW Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 58 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = SO-8SW Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növek...

Vishay

SQRS152ELP-T1_GE3

kezdő: HUF 268,58667*
db-ként

kezdő: HUF 805 760,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 58 A, 40 V, 8-tüskés, SO-8SW Szilikon (1 ajánlat)

Vishay

SQRS152ELP-T1_GE3

kezdő: HUF 300,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 58,1 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 58,1 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek s...

Vishay

SiSS588DN-T1-GE3

kezdő: HUF 169,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 58,1 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S (1 ajánlat)

Vishay

SiSS588DN-T1-GE3

kezdő: HUF 324,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 59 A, 100 V, 7-tüskés, SO-8L Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 59 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Csatorna mód = Növek...

Vishay

SIJ4106DP-T1-GE3

kezdő: HUF 423,31467*
db-ként

kezdő: HUF 1 269 944,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 59 A, 100 V, 7-tüskés, SO-8L Szilikon (1 ajánlat)

Vishay

SIJ4106DP-T1-GE3

kezdő: HUF 429,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 59,2 A, 40 V, 8-tüskés, 1212-8S Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 59,2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Nö...

Vishay

SISS4409DN-T1-GE3

kezdő: HUF 301,931*
db-ként

kezdő: HUF 905 793,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 59,2 A, 40 V, 8-tüskés, 1212-8S Szilikon (1 ajánlat)

Vishay

SISS4409DN-T1-GE3

kezdő: HUF 306,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 59.7 A, 150 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 N-Channel 150 V (2 ajánlat)

A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.TrenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET Nagyon alacson...

Vishay

SIR572DP-T1-RE3

kezdő: HUF 291,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 59.7 A, 150 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 N-Channel 150 V (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 59.7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Sorozat = N-Channel 150 V Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyel...

Vishay

SIR572DP-T1-RE3

kezdő: HUF 459,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 12 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 8 V - 20 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI2333DDS-T1-GE3

kezdő: HUF 41,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 12 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 8 V - 20 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI2333DDS-T1-GE3

kezdő: HUF 41,95134*
db-ként

kezdő: HUF 125 854,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 TrenchFET (2 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásel...

Vishay

SI2399DS-T1-GE3

kezdő: HUF 47,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 TrenchFET (1 ajánlat)

Vishay

SI2399DS-T1-GE3

kezdő: HUF 63,955*
db-ként

kezdő: HUF 1 279,10*
20 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 .. 140 előre

MOSFET-ek (2 094 cikk)