Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (2 094 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 67,4 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SH TrenchFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 67,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...
Vishay
SiSH536DN-T1-GE3
kezdő: HUF 168,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 67,4 A, 70 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S (2 ajánlat) 
A Vishay N-csatornás 70 V-os (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S tokozással rendelkezik.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET Nagyon alacsony RDS x QG érték-of-Merit (FOM) A legalacsonyabb RDS x ...
Vishay
SiSS76LDN-T1-GE3
kezdő: HUF 171,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 67,4 A, 70 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 67,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 70 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximáli...
Vishay
SiSS76LDN-T1-GE3
kezdő: HUF 161,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 67.5 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 (2 ajánlat) 
A Vishay N-csatornás 100 V-os (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8 tokozással rendelkezik.TrenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET Nagyon alacsony RDS x QG érték-of-Merit (FOM) A legalacsonyabb RDS x Qoss FOM-re...
Vishay
SiR882BDP-T1-RE3
kezdő: HUF 1 043,115*
5 db-ként
 
 csomagok
MOSFET, 1 elem/chip, 67.5 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 67.5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális ...
Vishay
SiR882BDP-T1-RE3
kezdő: HUF 347,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 690 mA, 100 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 100 V - 400 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFL9110TRPBF
kezdő: HUF 91,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 690 mA, 100 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 100 V - 400 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFL9110TRPBF
kezdő: HUF 701,30*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220 FP E (1 ajánlat) 
A Vishay e sorozatú teljesítmény MOSFET vékony ólomból 220 FULLPAK tokozású, 7 A-es leeresztődési árammal rendelkezik.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (Co(er)) Keveseb...
Vishay
SIHA17N80AE-GE3
kezdő: HUF 428,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220 FP E (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Csomag típusa = TO-220 FP Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...
Vishay
SIHA17N80AE-GE3
kezdő: HUF 370,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 850 V, 3-tüskés, TO-220 FP (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Csomag típusa = TO-220 FP Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1
Vishay
SIHA21N80AEF-GE3
kezdő: HUF 727,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 850 V, 3-tüskés, TO-220 FP (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Csomag típusa = TO-220 FP Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1
Vishay
SIHA21N80AEF-GE3
kezdő: HUF 1 089,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 7,2 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220FP Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFI520GPBF
kezdő: HUF 163,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 7,2 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220FP Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFI520GPBF
kezdő: HUF 2 974,80*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 7,2 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (2 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor
Vishay
SI4431CDY-T1-GE3
kezdő: HUF 112,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 7,2 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor
Vishay
SI4431CDY-T1-GE3
kezdő: HUF 2 864,10*
20 db-ként
 
 csomag
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   71   72   73   74   75   76   77   78   79   80   81   ..   140   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.