MOSFET-ek Vishay a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (84/140 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 400 V, 3-tüskés, TO-220AB D Series Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, D sorozatú, magas feszültségű, Vishay Semiconductor

Vishay

SIHP6N40D-GE3

kezdő: HUF 10 120,00*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 400 V, 3-tüskés, TO-220AB D Series Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, D sorozatú, magas feszültségű, Vishay Semiconductor

Vishay

SIHP6N40D-GE3

kezdő: HUF 202,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 5 A, 850 V, 3-tüskés, TO-220AB E Series Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Sorozat = E Series Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...

Vishay

SiHP6N80AE-GE3

kezdő: HUF 331,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 5 A, 850 V, 3-tüskés, TO-220AB E Series Si (1 ajánlat)

Vishay

SiHP6N80AE-GE3

kezdő: HUF 380,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8,7 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220AB D Series Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, D sorozatú, magas feszültségű, Vishay Semiconductor

Vishay

SIHP8N50D-GE3

kezdő: HUF 13 407,00*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8,7 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220AB D Series Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, D sorozatú, magas feszültségű, Vishay Semiconductor

Vishay

SIHP8N50D-GE3

kezdő: HUF 251,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 51 A, 600 V, 8-tüskés, 8 x 8LR Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 51 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = 8 x 8LR Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növ...

Vishay

SIHR080N60E-T1-GE3

kezdő: HUF 6 255 699,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 51 A, 600 V, 8-tüskés, 8 x 8LR Szilikon (1 ajánlat)

Vishay

SIHR080N60E-T1-GE3

kezdő: HUF 2 125,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 550 V, 3-tüskés, Super-247 D Series Si (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 36 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 550 V Sorozat = D Series Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...

Vishay

SiHS36N50D-GE3

kezdő: HUF 1 794,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 550 V, 3-tüskés, Super-247 D Series Si (1 ajánlat)

Vishay

SiHS36N50D-GE3

kezdő: HUF 1 552,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 85 A, 700 V, 3-tüskés, Super-247 E Series Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 85 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Sorozat = E Series Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...

Vishay

SiHS90N65E-GE3

kezdő: HUF 145 243,40*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 85 A, 700 V, 3-tüskés, Super-247 E Series Si (1 ajánlat)

Vishay

SiHS90N65E-GE3

kezdő: HUF 5 427,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,9 A, 800 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) E (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 2,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Sorozat = E Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 2....

Vishay

SIHU2N80AE-GE3

kezdő: HUF 127,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,9 A, 800 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) E (1 ajánlat)

A Vishay e sorozatú teljesítmény MOSFET IPAK (TO-251) tokozással rendelkezik.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (CISS) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség Rendkívü...

Vishay

SIHU2N80AE-GE3

kezdő: HUF 70,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,1 A, 800 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) Egyszeres (2 ajánlat)

E sorozatú MOSFET tápegységKis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (Ciss) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség ALKALMAZÁSOK Kiszolgálók és telekommunikációs eszközök táp...

Vishay

SIHU4N80AE-GE3

kezdő: HUF 260,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 .. 140 előre

MOSFET-ek (2 094 cikk)