![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| Kép | | | |
![](/p.gif) |
|
|
MOSFET modul, 109 A, 1200 V (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 109 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető |
|
kezdő: HUF 1 266 081,00012* 18 db-ként |
|
|
MOSFET modul, 109 A, 1200 V (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 109 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető |
|
kezdő: HUF 69 731,00* db-ként |
|
|
MOSFET modul, 53 A, 1200 V (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 53 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető |
|
kezdő: HUF 1 674 445,00014* 18 db-ként |
|
|
MOSFET modul, 53 A, 1200 V (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 53 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető |
|
kezdő: HUF 92 374,00* db-ként |
|
|
MOSFET modul, 82 A, 1200 V (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 82 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető |
|
kezdő: HUF 996 046,20* 18 db-ként |
|
|
MOSFET modul, 82 A, 1200 V (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 82 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető |
|
kezdő: HUF 55 885,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 1 530,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 3 405,80* 2 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 43 267,3002* 30 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 1 399,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 21 897,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 29 462,00* db-ként |
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 1200 V SiC (1 ajánlat) Nagy Teljesítménysűrűség Magas Hőmérséklet (175 °C) Működés Kis Induktivitású (6.7 Nh) Kialakítás Valósítja Meg Az Optimalizált Harmadik Generációs Mosfet Technológiát A Terminal Elrendezés Egyszer... |
|
kezdő: HUF 318 857,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 134 521,50* 30 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 3 509,00* db-ként |
|