![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| Kép | | | |
![](/p.gif) |
|
|
MOSFET modul, 109 A, 1200 V (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 109 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető |
|
kezdő: HUF 1 270 682,0001* 18 db-ként |
|
|
MOSFET modul, 109 A, 1200 V (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 109 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető |
|
kezdő: HUF 69 465,00* db-ként |
|
|
MOSFET modul, 53 A, 1200 V (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 53 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető |
|
kezdő: HUF 1 676 714,00004* 18 db-ként |
|
|
MOSFET modul, 53 A, 1200 V (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 53 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető |
|
kezdő: HUF 92 092,00* db-ként |
|
|
MOSFET modul, 82 A, 1200 V (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 82 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető |
|
kezdő: HUF 995 254,20* 18 db-ként |
|
|
MOSFET modul, 82 A, 1200 V (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 82 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető |
|
kezdő: HUF 55 800,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 1 553,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 3 418,80* 2 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 43 130,3001* 30 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 1 421,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 21 572,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 29 507,00* db-ként |
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 1200 V SiC (1 ajánlat) Nagy Teljesítménysűrűség Magas Hőmérséklet (175 °C) Működés Kis Induktivitású (6.7 Nh) Kialakítás Valósítja Meg Az Optimalizált Harmadik Generációs Mosfet Technológiát A Terminal Elrendezés Egyszer... |
|
kezdő: HUF 319 434,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 134 617,50* 30 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 3 520,00* db-ként |
|