![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| Kép | | | |
![](/p.gif) |
|
|
MOSFET modul, 109 A, 1200 V (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 109 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető |
|
kezdő: HUF 1 267 254,00* 18 db-ként |
|
|
MOSFET modul, 109 A, 1200 V (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 109 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető |
|
kezdő: HUF 69 276,00* db-ként |
|
|
MOSFET modul, 53 A, 1200 V (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 53 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető |
|
kezdő: HUF 1 677 345,00012* 18 db-ként |
|
|
MOSFET modul, 53 A, 1200 V (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 53 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető |
|
kezdő: HUF 91 945,00* db-ként |
|
|
MOSFET modul, 82 A, 1200 V (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 82 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető |
|
kezdő: HUF 998 390,20014* 18 db-ként |
|
|
MOSFET modul, 82 A, 1200 V (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 82 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető |
|
kezdő: HUF 55 985,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 1 553,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 3 417,80* 2 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 43 322,3001* 30 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 1 425,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 22 273,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 29 436,00* db-ként |
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 1200 V SiC (1 ajánlat) Nagy Teljesítménysűrűség Magas Hőmérséklet (175 °C) Működés Kis Induktivitású (6.7 Nh) Kialakítás Valósítja Meg Az Optimalizált Harmadik Generációs Mosfet Technológiát A Terminal Elrendezés Egyszer... |
|
kezdő: HUF 318 729,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 135 068,5002* 30 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 3 516,00* db-ként |
|