| | | | |
| Kép | | | |
|
|
|
MOSFET modul, 109 A, 1200 V (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 109 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető |
|
kezdő: HUF 850 070,10006* 18 db-ként |
|
|
MOSFET modul, 109 A, 1200 V (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 109 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető |
|
kezdő: HUF 47 177,00* db-ként |
|
|
MOSFET modul, 53 A, 1200 V (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 53 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető |
|
kezdő: HUF 1 670 913,00* 18 db-ként |
|
|
MOSFET modul, 53 A, 1200 V (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 53 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető |
|
kezdő: HUF 92 031,00* db-ként |
|
|
MOSFET modul, 82 A, 1200 V (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 82 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető |
|
kezdő: HUF 993 200,20002* 18 db-ként |
|
|
MOSFET modul, 82 A, 1200 V (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 82 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető |
|
kezdő: HUF 55 748,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 1 301,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 2 596,60* 2 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 43 208,3001* 30 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 1 445,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 22 860,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 29 461,00* db-ként |
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 1200 V SiC (1 ajánlat) Nagy Teljesítménysűrűség Magas Hőmérséklet (175 °C) Működés Kis Induktivitású (6.7 Nh) Kialakítás Valósítja Meg Az Optimalizált Harmadik Generációs Mosfet Technológiát A Terminal Elrendezés Egyszer... |
|
kezdő: HUF 318 076,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 134 193,5001* 30 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 3 519,00* db-ként |
|