MOSFET-ek onsemi a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (107/116 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 265 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, több mint 60 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDP025N06

kezdő: HUF 38 005,00*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220F SuperFET II Egyszeres Si (1 ajánlat)

SuperFET® és SuperFET® II N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild a szuper elosztó technológia segítségével hozzáadta a SuperFET® II nagyfeszültségű MOSFET termékcsaládot. Kategóri...

onsemi

FCPF650N80Z

kezdő: HUF 42 207,90*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 235 A, 75 V, 3-tüskés, TO-220 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, több mint 60 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDP032N08

kezdő: HUF 42 585,10*
50 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 300 mA, 60 V, 6-tüskés, SOT-363 Izolált Si (1 ajánlat)

Két N-csatornás MOSFET on Semiconductor

onsemi

NTJD5121NT1G

kezdő: HUF 44 796,00*
3 000 db-ként

SiC teljesítménymodul, 114 A, 1200 V, F1–2PACK (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 114 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt

onsemi

NXH010P120MNF1PTG

kezdő: HUF 45 851,00*
db-ként

SiC teljesítménymodul, 154 A, 900 V, F1–2PACK (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 154 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 900 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt

onsemi

NXH010P90MNF1PTG

kezdő: HUF 46 952,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 193 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, több mint 60 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDP030N06

kezdő: HUF 51 020,90*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 150 mA, 30 V, 3-tüskés, SC-75 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET Schottky diódával on Semiconductor

onsemi

NTA7002NT1G

kezdő: HUF 53 437,02*
3 000 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 915 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-523 (SC-89) Egyszeres (1 ajánlat)

Kisméretű MOSFET 20 V 915 mA 230 mOhm 1 N-csatornás SC-89 ESD-védelemmelAz alacsony RDS(on) Funkció Javítja a rendszer Hatékonyságát Alacsony Küszöbérték Feszültség, 1,5 V Névleges Feszültség ESD-v...

onsemi

NTE4153NT1G

kezdő: HUF 55 294,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-220 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...

onsemi

NTPF082N65S3F

kezdő: HUF 58 768,70*
50 db-ként

MOSFET, 149 A, 900 V, 20-tüskés SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 149 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 900 V Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 20 Tranzisztor anyaga = SiC

onsemi

NXH020U90MNF2PTG

kezdő: HUF 58 948,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 680 mA, 25 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...

onsemi

FDV303N

kezdő: HUF 59 283,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 240 mA, 20 V, 3-tüskés, SC-75 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET (20 V), on Semiconductor

onsemi

NTA4001NT1G

kezdő: HUF 61 989,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 149 A, 900 V, 20-tüskés SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 149 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 900 V Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 20 Tranzisztor anyaga = SiC

onsemi

NXH020U90MNF2PTG

kezdő: HUF 62 563,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1,37 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-323 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 20 V on Semiconductor

onsemi

NTS4101PT1G

kezdő: HUF 78 712,02*
3 000 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 .. 116 előre

MOSFET-ek (1 740 cikk)